FOTODIODO PIN O NIP VERTICAL Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION COMPATIBLE CON UN PROCESO CMOS CONVENCIONAL.
Fotodiodo integrado con un substrato (1), que está fuertemente impurificado de un agente impurificador de un primer tipo de conductividad para obtener una resistencia específica del substrato y con - una zona I (2) adyacente,
que está levemente impurificada de un agente impurificador del primer tipo de conductividad y presenta un grosor determinado; - una zona de electrodo (3) con una impurificación de un segundo tipo de conductividad inverso al primero, correspondiendo el nivel impurificador a una zona de cubeta (8) formada en el substrato o a una fuente y drenaje de un componente CMOS (4) formado en el substrato, caracterizado porque - la resistencia específica del substrato (1) es menor de 50 mOhmios*cm y el grosor de la zona I (2) está situado entre 8 µm y 25 µm.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HAARBERGSTRASSE 67,99097 ERFURT.
Inventor/es: BACH,KONRAD, EINBRODT,WOLFGANG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 2 de Abril de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L27/146 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
- H01L31/105 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
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