Metalización multinivel sobre un sustrato de cerámica.

Procedimiento para la preparación de una metalización multinivel de cobre sobre un sustrato de cerámica (4) de AlN o Al2O3,

mediante el cual se crean sobre un mismo sustrato de cerámica (4) áreas de alto rendimiento (1) con metalizaciones con mayor capacidad de carga de corriente eléctrica y áreas de bajo rendimiento (2) con metalizaciones con menor capacidad de carga de corriente eléctrica, caracterizado por los siguientes pasos de procedimiento, que deben realizarse sucesivamente:

a) impresión de una metalización base conjunta para el área de alto rendimiento (1) y el área de bajo rendimiento (2) de una pasta base de cobre que contiene vidrio mediante serigrafía o impresión tampográfica con un espesor de 20 a 50 μm,

b) refuerzo de la metalización base en las áreas de alto rendimiento (1) por medio de la impresión repetida o múltiple de una pasta de refuerzo de cobre sin proporción de vidrio sobre la metalización base por medio de serigrafía o impresión con plantillas hasta un espesor total del cobre de 300 a 500 μm,

c) cocido del sustrato de cerámica metalizado (4) con las áreas de alto rendimiento (1) y las áreas de bajo rendimiento (2) conjuntamente a 850 a 950 °C en nitrógeno,

d) nivelación mecánica de las áreas de alto rendimiento (1) para la creación de una superficie plana con una aspereza Rz < 5 μm.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/052177.

Solicitante: CERAMTEC GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: CeramTec-Platz 1-9 73207 Plochingen ALEMANIA.

Inventor/es: THIMM,ALFRED, ADLER,SIGURD, DILSCH,ROLAND.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/48 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
  • H01L23/498 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.

PDF original: ES-2630371_T3.pdf

 

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