Elemento de control de campo eléctrico para fonones.
Un transistor fonónico (200, 300) que comprende:
contactos eléctricos (216A,
216B ; 312, 314; 308);
dos puntos cuánticos (210A, 210B; 302A, 302B) incrustados en un semiconductor (212) de modo que cuando se aplica un desvío eléctrico a los contactos eléctricos, un campo eléctrico que se produce por el desvío eléctrico es sustancialmente paralelo a un eje a través de los dos puntos cuánticos, en donde los dos puntos cuánticos incluyen un primero y un segundo punto cuántico,
en donde el primer punto cuántico y el semiconductor proporcionan un estado continuo, en donde el segundo punto cuántico proporciona un estado discreto,
en donde el estado continuo y el estado discreto se acoplan cuando el desvío eléctrico se aplica a los contactos eléctricos,
y en donde el desvío eléctrico proporciona un mecanismo de activación de puerta para el acoplamiento de modo que cuando el desvío eléctrico incluye un primer potencial electro, el campo eléctrico inhibe la generación o transmisión de fonones, y cuando el desvío eléctrico incluye un segundo potencial electro diferente del primer potencial electro, el campo eléctrico fomenta la generación o transmisión de fonones; y
una guía de onda fonónica (226)
que se acopla al semiconductor, la guía de onda fonónica está configurada para transportar fonones a través de la misma.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2015/013915.
Solicitante: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94607 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: SCHEIBNER,MICHAEL.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/12 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por los materiales de los que están constituidos.
- H01L29/16 H01L 29/00 […] › incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.
- H01L29/872 H01L 29/00 […] › Diodos Schottky.
- H01L33/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
- H01L49/00 H01L […] › Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los grupos H01L 27/00 - H01L 47/00 y H01L 51/00 y no cubiertos por otra subclase; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2684669_T3.pdf
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