Estructura de transistor de película delgada que tiene canal tridimensional en forma de aleta y método de fabricación.

Un método de preparación de una estructura de transistor de película delgada con un canal tridimensional en forma de aleta,

que es a lo largo de la dirección de la longitud del canal, grueso en un medio y delgado en ambos lados, en el que un proceso de preparación es específicamente como sigue:

(a) depositar y grabar un electrodo (2) de compuerta inferior sobre un sustrato (1);

(b) depositar una capa (3) dieléctrica inferior en una parte superior de una estructura obtenida del paso (a), y depositar secuencialmente una película semiconductora sobre la capa (3) dieléctrica inferior;

(c) grabar la película semiconductora para obtener un canal (4) en forma de aleta;

(d) depositar respectivamente un electrodo (5) fuente y un electrodo (6) de drenaje sobre la película semiconductora ubicada a ambos lados del canal (4) en forma de aleta, y grabar;

(e) depositar una capa (7) dieléctrica superior y un electrodo (8) de compuerta superior en una parte superior de una estructura obtenida del paso (d); y

(f) grabar el electrodo (8) de compuerta superior y completar una preparación de un transistor de película delgada de canal de forma de aleta de doble compuerta.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/CN2016/092450.

Solicitante: Sun Yat-Sen University.

Nacionalidad solicitante: China.

Dirección: No. 135 Xingang West Road, Haizhu, Guangzhou Guangdong 510275 CHINA.

Inventor/es: CHEN,JUN, WANG,KAI, OU,HAI.

Fecha de Publicación: 1 de Julio de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L29/423 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
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H01L31/0224 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.

PDF original: ES-2811315_T3.pdf

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