PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE OXISULFURO DE ZINC.
Procedimiento para la preparación de una capa semiconductora de oxisulfuro de zinc (ZnSxO1-x),
donde X toma valores mayores a cero y menores a uno, mediante electrodeposición en una celda electrolítica formada por un electrodo de trabajo o cátodo, un contra-electrodo o ánodo, un electrodo de referencia y un electrolito. El electrolito comprende un líquido iónico, oxígeno (O2) o una fuente precursora de oxígeno, una fuente de zinc seleccionada del grupo que comprende: una sal de zinc, un contra-electrodo de zinc, y combinación de ambos, una fuente de azufre y donde el proceso se lleva a cabo a una temperatura entre 0º y 250ºC, manteniendo durante el proceso la concentración de zinc en el electrolito entre 5x10-5M y 0,1 M, y la concentración de azufre en el electrolito entre 1% y 5000% en proporción atómica con respecto a la concentración de zinc y la relación entre la concentración de precursor de azufre y de oxígeno en el electrolito varía entre 0.1 y 5000.
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P201530937.
Solicitante: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: SEVILLA.
Inventor/es: SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio, TENA ZAERA,RAMÓN, AGUIRRE DE MIGUEL,Aranzazu, MUÑOZ GARCÍA,Cristina, KOSTA PÉREZ,Ivet, QUESADA RUBIO,Luis Enrique, JIMÉNEZ MORALES,Juan Miguel.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C25D3/00 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › Revestimientos electrolíticos; Baños utilizados.
- H01L31/18 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2595634_A1.pdf
PDF original: ES-2595634_B1.pdf
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