Piedras nuevas artificiales y método de fabricación.
Las piedras nuevas artificiales y método de fabricación, son gemas fabricadas en laboratorio para las que basta con un soplete de oxígeno y dos ladrillos de la construcción para introducir en sus agujeros el material de trabajo,
y, someterlo a una temperatura de (3.000°C) durante un tiempo próximo a las dos horas. Se utilizará el silicio de la arena, del mármol, el grafito o el cristal, que se combinarán con óxido de aluminio, óxido de cobre, óxido de bronce, bario y flúor en distintas combinaciones de elementos.
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P201500436.
Solicitante: PORRAS VILA,F. JAVIER.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: VALENCIA.
Inventor/es: PORRAS VILA,F. JAVIER.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C04B30/00 QUIMICA; METALURGIA. › C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS. › C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › Composiciones para piedra artificial, que no contienen ligantes (piedra artificial a partir de escoria fundida C04B 5/00).
- C30B29/20 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Oxidos de aluminio.
PDF original: ES-2627988_B1.pdf
PDF original: ES-2627988_A1.pdf
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