Material de fotoelectrodo y material de fotocélula.
Fotoelectrodo (12), caracterizado por que el fotoelectrodo (12) comprende óxido de silicio tratado con ácido fluorhídrico.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16161955.
Solicitante: International Frontier Technology Laboratory Inc.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: Kyodo Tsushin Building 2-5 Toranomon 2-chome, Minato-ku Tokyo 105-0001 JAPON.
Inventor/es: ITO, TOMOKO, KOMATSU,NOBUAKI, NANJO,SHIN-ICHIRO, NAGAI,HIROKI.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C25B1/00 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25B PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS PARA LA PRODUCCION DE COMPUESTOS ORGANICOS O INORGANICOS, O DE NO METALES; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › Producción electrolítica de compuestos inorgánicos o no metales.
- C25B11/04 C25B […] › C25B 11/00 Electrodos; Su fabricación no prevista en otro lugar. › caracterizados por el material.
- C25B11/06
- H01L31/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
- H01M14/00 H01 […] › H01M PROCEDIMIENTOS O MEDIOS, p. ej. BATERÍAS, PARA LA CONVERSION DIRECTA DE LA ENERGIA QUIMICA EN ENERGIA ELECTRICA. › Generadores electroquímicos de corriente o tensión no previstos en los grupos H01M 6/00 - H01M 12/00; Su fabricación.
PDF original: ES-2761799_T3.pdf
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