Procedimiento de fabricación de circuitos integrados de diodos electroluminiscentes y circuitos integrados obtenidos por este procedimiento.

Procedimiento de fabricación de circuitos integrados de diodos electroluminiscentes (23),

que comprende las etapas siguientes:

- se proporciona de forma continua un sustrato (1) dieléctrico flexible que tiene una primera (5) y una segunda (7) caras principales, opuestas entre sí con respecto al grosor del sustrato (1), incluyendo este sustrato una primera lámina (3) de material eléctricamente conductor sobre la primera (5) cara principal,

- se realizan al menos dos pozos (9) de conexión que se extienden entre la primera (5) y la segunda (7) caras principales, por perforación a través del sustrato (1) y de la primera lámina (3) de material eléctricamente conductor,

- se deposita una segunda lámina (11) de material eléctricamente conductor, sobre la primera cara principal (7) del sustrato (1), obturando esta segunda lámina (11) de material eléctricamente conductor los pozos (9) de conexión,

- se realiza al menos un ánodo y un cátodo (19) en la segunda lámina (11) de material eléctricamente conductor, ubicado sobre la segunda (7) cara principal del sustrato (1),

- se conecta al menos un diodo electroluminiscente (23) entre el ánodo y el cátodo (19),

- se encapsula el diodo electroluminiscente (19) en una resina (29), situada sobre la primera cara (5) principal del sustrato (1), mientras que el ánodo y el cátodo (19) están situados sobre la segunda cara (7) principal del sustrato (1).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15179271.

Solicitante: Linxens Holding.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 37, rue des Closeaux 78200 Mantes-la-Jolie FRANCIA.

Inventor/es: EYMARD,ERIC.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L33/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
  • H01L33/48 H01L […] › H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00). › caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.
  • H01L33/54 H01L 33/00 […] › que tienen una forma particular.
  • H01L33/62 H01L 33/00 […] › Disposiciones para llevar la corriente eléctrica a o desde el cuerpo de semiconductores, p. ej. leadframes, hilos de conexión o bolas de soldadura.

PDF original: ES-2745716_T3.pdf

 

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