CIP-2021 : H01L 33/32 : que contienen nitrógeno.

CIP-2021HH01H01LH01L 33/00H01L 33/32[4] › que contienen nitrógeno.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

H01L 33/32 · · · · que contienen nitrógeno.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Fuente luminosa con un elemento emisor de luz.

(07/08/2019) Fuente luminosa para generar luz blanca, que comprende un diodo emisor de luz (LED) para emitir una radiación azul y/o ultravioleta y al menos un luminóforo, que absorbe una porción de la radiación azul y/o ultravioleta y él mismo emite radiación en otra región espectral, caracterizado porque: • el luminóforo es un ortosilicato alcalinotérreo activado con europio bivalente de uno de los siguientes compuestos o de una mezcla de dichos compuestos:

Imagen de detalle
Imagen de detalle
• el luminóforo emite radiación en la región espectral de color amarillo-verde,…

Dispositivo receptor de luz o emisor de luz y método para fabricar el mismo.

(21/06/2017) Un dispositivo receptor de luz o emisor de luz en el que una pluralidad de elementos semiconductores (3, 3A, 3B) en partículas que tienen una función de transducción de luz a electricidad o una función de transducción de electricidad a luz están incorporados alineados en al menos dos filas, teniendo cada uno de dichos elementos semiconductores un par de electrodos que están dispuestos en forma de punto sobre partes de extremo opuestas del elemento con su centro interpuesto; un par de miembros de hilo conductor (4a, 4b; 31a, 31b) que conectan la pluralidad de elementos semiconductores en cada fila; y un material de cubierta transparente que cubre todos los elementos semiconductores y miembros de hilo conductor (4a, 4b; 31a, 31b)en forma embebida, caracterizados por que el material de cubierta transparente no es flexible y de una resina…

Fuente de fotones individuales apropiada para la producción a gran escala y procedimiento de producción.

(11/01/2017). Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: MIKULICS,MARTIN, HARDTDEGEN,HILDE.

Fuente de fotones individuales, que comprende al menos un cuerpo sólido activo , que en el caso de excitación con luz, cuyos fotones presentan en cada caso una energía de excitación, emite en un intervalo de tiempo predeterminado un fotón individual con una energía de emisión menor, estando dispuesto el cuerpo sólido activo sobre una superficie o superficie límite de una fuente de luz primaria que se hace funcionar eléctricamente para fotones con la energía de excitación, de modo que puede excitarse a través de esta superficie o superficie límite, caracterizada porque en el cuerpo sólido activo sólo hay un único nivel de energía que puede excitarse mediante la fuente de luz primaria.

PDF original: ES-2618286_T3.pdf

Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa.

(16/11/2016) Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de: al menos una capa de tipo n , una capa de emision y una 5 capa de tipo p ; en el que la luz desde la capa de emision se extrae a traves de una superficie de cara de nitrogeno, denominada en lo que sigue "superficie de cara N", del diodo emisor de luz y la superficie de cara N del diodo emisor de luz esta compuesta de una rugosidad superficial con forma de cono que incrementa la eficiencia de extraccion de la luz desde la capa de emision fuera de la superficie de cara N del diodo emisor de luz; y en el que las formas de cono de la rugosidad superficial de la superficie de cara N tienen un tamano proximo…

Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización.

(30/03/2016) Un dispositivo emisor de luz que comprende: un conductor, un chip de LED que emite una luz visible y está montado sobre dicho conductor, teniendo dicho chip de LED una capa semiconductora de nitruro de tipo p y una capa semiconductora de nitruro de tipo n y electrodos formados sobre superficies expuestas de dicha capa semiconductora de nitruro de tipo p y dicha capa semiconductora de nitruro de tipo n, un material trasparente que recubre dicho chip de LED, y un fósforo contenido en dicho material trasparente y que absorbe una parte de la luz emitida por el chip de LED, y emite una luz que tiene una longitud de onda de emisión principal más larga que un valor máximo de emisión principal de dicho chip de LED, en el que el…

Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización.

(30/03/2016) Un dispositivo para emitir luz de color blanco que comprende: (i) un dispositivo de visualización de diodo emisor de luz (LED) que incluye: una pluralidad de chips de diodo emisor de luz (LED) que emite luz visible de un color azul y que comprende un semiconductor de un compuesto de nitruro de galio que contiene indio; y un fósforo capaz de absorber una parte de la luz de color azul y de emitir una luz que tiene una longitud de onda de emisión principal más larga que el valor máximo de emisión principal de dichos chips de LED, en el que dicho fósforo comprende un material fluorescente de granate activado con cerio, que contiene al menos un elemento seleccionado entre Y, Lu, Sc, La, Gd y Sm, y al menos un elemento seleccionado entre Al, Ga…

Fuente de luz para generar luz blanca.

(28/08/2013) Fuente de luz para la generación de luz blanca que comprende un diodo emisor de luz (LED) para la emisión de radiación azul y al menos un luminóforo que absorbe una parte de la radiación azul y que también emite radiación en otro intervalo espectral caracterizada por qué: - el luminóforo es un ortosilicato alcalinotérreo activado con europio bivalente de una de las siguientes composiciones o de una mezcla de dichas composiciones: a) (2-x-y)SrO ·x (BauCav)O·(1-a-b-c-d)SiO2·aP2O5 bAl2O3dGeO2:yEu2+ siendo: 0 ≤ x< 1,6; 0,005

DIODO EMISOR DE LUZ CON UN SUSTRATO DE CARBURO DE SILICIO.

(20/04/2010) Un diodo emisor de luz que emite luz en la porción de 400-550 nm de un espectro visible, comprendiendo dicho diodo emisor de luz: un sustrato ; una estructura tampón de nucleación dispuesta en una superficie superior de dicho sustrato ; una heteroestructura de diodo de unión P-N dispuesta en dicha estructura tampón , que comprende: una primera capa de revestimiento; y una segunda capa de revestimiento, escogidas dicha primera capa de revestimiento y dicha segunda capa de revestimiento entre al menos uno de nitruros binarios del Grupo III y nitruros ternarios del Grupo III; una primera capa ventana formada de GaN dopado con Mg y dispuesta en dicha heteroestructura de diodo de unión P-N; una segunda capa ventana formada de GaN dopado con Mg y dispuesta en dicha primera capa ventana ; una capa conductora formada de NiO/Au…

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