MATERIAL COMPUESTO.

MATERIAL COMPUESTO UTIL COMO DIODO CAPAZ DE OPERAR A ALTAS TEMPERATURAS COMO,

POR EJEMPLO, DE 500 A 600 C O UN MECANISMO OPTICO SEMICONDUCTOR CAPAZ DE EMITIR RAYOS ULTRAVIOLETAS. CONTIENE UN CRISTAL DE DIAMANTE CON AISLAMIENTO ELECTRICO Y UN CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO, FORMADO EN UNA CARA DEL CRISTAL DE DIAMANTE COMO UN SUSTRATO, DE TAL MANERA QUE EN EL CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO TIENE EL MISMO INDICE DE PLANO QUE EL SUSTRATO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 5-33, KITAHAMA 4-CHOME, CHUO-KU, OSAKA-SHI, OSAKA 541.

Inventor/es: YOSHIDA, KATSUHITO, TSUJI, KAZUSWO.

Fecha de Publicación: 16 de Noviembre de 1994.

Fecha Concesión Europea: 3 de Agosto de 1994.

Clasificación Internacional de Patentes:

B01J3/06 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL. › B01J PROCEDIMIENTOS QUÍMICOS O FÍSICOS, p. ej. CATÁLISIS O QUÍMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS. › B01J 3/00 Procedimientos que utilizan una presión superior o inferior a la presión atmosférica para obtener modificaciones químicas o físicas de la materia; Aparatos a este efecto (recipientes a presión para contener o almacenar gases comprimidos, licuados o solidificados F17C). › Procedimientos que utilizan hiperpresiones, p. ej. para la formación de diamantes; Equipos apropiados, p. ej. muelas o matrices (B01J 3/04 tiene prioridad).
C30B25/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
C30B25/18 C30B 25/00 […] › caracterizado por el sustrato.
C30B29/04 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Diamante.
C30B29/38 C30B 29/00 […] › Nitruros.
C30B29/40 C30B 29/00 […] › Compuestos A III B V.

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