Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y método de fabricación del mismo.

Estructura epitaxial estratificada para dispositivos (1; 1') de PHEMT de enriquecimiento y empobrecimiento,

que comprende:

* una capa (11) de superred y tampón;

* una capa (12) barrera de soporte no dopada formada sobre la capa (11) de superred y tampón y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs);

* una capa (13) de dopado delta de soporte dopada formada sobre la capa (12) barrera de soporte;

* una capa (14) separadora de soporte no dopada formada sobre la capa (13) de dopado delta de soporte y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs);

* una capa (15) canal no dopada formada sobre la capa (14) separadora de soporte y compuesta por indio galio arsénido (InGaAs);

* una capa (16) separadora no dopada formada sobre la capa (15) canal y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs);

* una capa (17) de dopado delta formada sobre la capa (16) separadora;

* una capa (18) barrera de enriquecimiento no dopada formada sobre la capa (17) de dopado delta;

* una primera capa (19) de detención de ataque químico dopada, formada sobre la capa (18) barrera de enriquecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs);

* una primera capa (20) barrera de empobrecimiento dopada formada sobre la primera capa (19) de detención de ataque químico;

* una segunda capa (21) barrera de empobrecimiento no dopada formada sobre la primera capa (20) barrera de empobrecimiento;

* una segunda capa (22) de detención de ataque químico dopada formada sobre la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs);

* una primera capa (23) de cubierta dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa (22) de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs);

* una segunda capa (24) de cubierta no dopada formada sobre la primera capa (23) de cubierta y compuesta por galio arsénido (GaAs);

* una tercera capa (25) de detención de ataque químico dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa (24) de cubierta y compuesta por aluminio arsénido (AlAs); y

* una capa (26) óhmica dopada con dopado de tipo n, formada sobre la tercera capa (25) de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs).

Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y método de fabricación del mismo Campo técnico de la invención La presente invención se refiere, en general, a transistores de alta movilidad de electrones pseudomórficos (PHEMT) de enriquecimiento/empobrecimiento y, en particular, a un dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y a un método para fabricar dispositivos de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento que encuentra aplicación ventajosa, aunque no exclusiva, en la producción de circuitos integrados que operan a frecuencias de ondas milimétricas y microondas.

Estado de la técnica Como se sabe, los transistores de alta movilidad de electrones pseudomórficos (PHEMT) se usan ampliamente en circuitos integrados que operan a frecuencias de ondas milimétricas y microondas, tales como los denominados circuitos integrados de microondas monolíticos (MMIC) .

En particular, los PHEMT se aprovechan ampliamente en diversos tipos de sistemas, tal como sistemas de radiocomunicación y sistemas de radar.

En detalle, los PHEMT han encontrada una amplia utilización a lo largo de los años porque proporcionan una alta ganancia de radiofrecuencia (ganancia de RF) , una alta eficacia de potencia añadida (PAE) y un bajo coeficiente de ruido (NF) .

Objeto y sumario de la invención El solicitante, considerando las excelentes propiedades de los PHEMT que, tal como se mencionó anteriormente, han dado lugar a un uso generalizado de los mismos en diversos tipos de sistemas a lo largo de los años, ha llevado a cabo un estudio en profundidad sobre los dispositivos de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento actualmente conocidos.

En particular, el solicitante ha llevado a cabo un análisis exhaustivo en cuanto a las características de los dispositivos de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento descritos en las solicitudes de patente estadounidense US 2006/0027840 y US 2006/0208279, en la solicitud de patente europea EP 0371686 y en las patentes estadounidenses US 6.670.652, US 6.703.638 y US 7.361.536.

Basándose en los resultados de dicho análisis, el solicitante se percató, por consiguiente, de la necesidad de desarrollar:

â?¢ un dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento innovador que presente mejores propiedades que los dispositivos de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento actualmente conocidos, en particular los dispositivos de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento descritos en las solicitudes de patente estadounidense US 2006/0027840 y US 2006/0208279, en la solicitud de patente europea EP 0371686 y en las patentes estadounidenses US 6.670.652, US 6.703.638 y US 7.361.536; y

â?¢ un método innovador para fabricar dispositivos de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento.

Por tanto, el objeto de la presente invención es el de proporcionar un dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y un método de fabricación de un dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento.

Este objeto se consigue mediante la presente invención porque ésta se refiere a una estructura epitaxial estratificada para dispositivos de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento, a un dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y a un método para la fabricación de un dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento, según se definen en las reivindicaciones adjuntas.

En particular, la estructura epitaxial estratificada para dispositivos de PHEMT comprende:

â?¢ una capa de superred y tampón;

â?¢ una capa barrera de soporte no dopada formada sobre la capa de superred y tampón y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) ;

â?¢ una capa de dopado delta de soporte dopada formada sobre la capa barrera de soporte;

â?¢ una capa separadora de soporte no dopada formada sobre la capa de dopado delta de soporte y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) ;

â?¢ una capa canal no dopada formada sobre la capa separadora de soporte y compuesta por indio galio arsénido (InGaAs) ;

â?¢ una capa separadora no dopada formada sobre la capa canal y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) ;

â?¢ una capa de dopado delta formada sobre la capa separadora;

â?¢ una capa barrera de enriquecimiento no dopada formada sobre la capa de dopado delta;

â?¢ una primera capa de detención de ataque químico dopada formada sobre la capa barrera de enriquecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) ;

â?¢ una primera capa barrera de empobrecimiento dopada formada sobre la primera capa de detención de ataque químico;

â?¢ una segunda capa barrera de empobrecimiento no dopada formada sobre la primera capa barrera de empobrecimiento;

â?¢ una segunda capa de detención de ataque químico dopada formada sobre la segunda capa barrera de empobrecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) ;

â?¢ una primera capa de cubierta dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs) ;

â?¢ una segunda capa de cubierta no dopada formada sobre la primera capa de cubierta y compuesta por galio arsénido (GaAs) ;

â?¢ una tercera capa de detención de ataque químico dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa de cubierta y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) ; y

â?¢ una capa óhmica dopada con dopado de tipo n, formada sobre la tercera capa de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs) .

Además, el dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento según la presente invención comprende:

â?¢ la estructura epitaxial estratificada indicada anteriormente;

â?¢ una primera región que comprende

- un primer rebaje formado verticalmente a través de la capa óhmica y la tercera capa de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una primera superficie superior de la segunda capa de cubierta, -un segundo rebaje que es más estrecho que el primer rebaje y que se extiende verticalmente desde el primer rebaje a través de la segunda capa de cubierta, la primera capa de cubierta y la segunda capa de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una primera superficie superior de la segunda capa barrera de empobrecimiento, y -un tercer rebaje que es más estrecho que el segundo rebaje y que se extiende verticalmente desde el segundo rebaje a través de la segunda capa barrera de empobrecimiento, la primera capa barrera de empobrecimiento y la primera capa de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una superficie superior de la capa barrera de enriquecimiento que define una primera región de contacto de Schottky;

â?¢ una segunda región distanciada lateralmente, y eléctricamente aislada, de dicha primera región y que comprende -un cuarto rebaje formado verticalmente a través de la capa óhmica y la tercera capa de detención de ataque 40 químico de modo que se deja al descubierto una segunda superficie superior de la segunda capa de cubierta, y

- un quinto rebaje que es más estrecho que el cuarto rebaje y que se extiende verticalmente desde el cuarto rebaje a través de la segunda capa de cubierta, la primera capa de cubierta y la segunda capa de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una segunda superficie superior de la segunda capa barrera de empobrecimiento que define una segunda región de contacto de Schottky;

â?¢ un transistor de enriquecimiento formado en la primera región y que comprende -primeros electrodos de fuente y de drenaje formados sobre, y en contacto óhmico con, dicha capa óhmica en la primera región por fuera del primer rebaje, y -un primer electrodo de compuerta formado en el tercer rebaje en contacto de Schottky con la superficie superior de la capa barrera de enriquecimiento que define la primera región de contacto de Schottky y que se extiende verticalmente desde dicha primera región de contacto de Schottky a través de los rebajes tercero, segundo y primero de modo que sobresale de dicho primer rebaje; y â?¢ un transistor de empobrecimiento formado en la segunda región y que comprende -segundos electrodos de fuente y de drenaje formados sobre, y en contacto óhmico con, dicha capa óhmica en la segunda región por fuera del cuarto rebaje, y -un segundo electrodo de compuerta formado en el quinto rebaje en contacto de Schottky con la segunda superficie superior de la segunda capa barrera de empobrecimiento que define la segunda región de contacto de Schottky y que se extiende verticalmente desde dicha segunda región de contacto de Schottky a través de los rebajes quinto y cuarto de modo que sobresale de dicho cuarto rebaje.

Breve descripción de los dibujos Para una mejor comprensión de la presente invención, a... [Seguir leyendo]

1. Estructura epitaxial estratificada para dispositivos (1; 1â?) de PHEMT de enriquecimiento y empobrecimiento, que comprende:

â?¢ una capa (11) de superred y tampón;

â?¢ una capa (12) barrera de soporte no dopada formada sobre la capa (11) de superred y tampón y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) ;

â?¢ una capa (13) de dopado delta de soporte dopada formada sobre la capa (12) barrera de soporte;

â?¢ una capa (14) separadora de soporte no dopada formada sobre la capa (13) de dopado delta de soporte y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) ;

â?¢ una capa (15) canal no dopada formada sobre la capa (14) separadora de soporte y compuesta por indio galio arsénido (InGaAs) ;

â?¢ una capa (16) separadora no dopada formada sobre la capa (15) canal y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) ;

â?¢ una capa (17) de dopado delta formada sobre la capa (16) separadora;

â?¢ una capa (18) barrera de enriquecimiento no dopada formada sobre la capa (17) de dopado delta;

â?¢ una primera capa (19) de detención de ataque químico dopada, formada sobre la capa (18) barrera de enriquecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) ;

â?¢ una primera capa (20) barrera de empobrecimiento dopada formada sobre la primera capa (19) de detención de ataque químico;

â?¢ una segunda capa (21) barrera de empobrecimiento no dopada formada sobre la primera capa (20) barrera de empobrecimiento;

â?¢ una segunda capa (22) de detención de ataque químico dopada formada sobre la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) ;

â?¢ una primera capa (23) de cubierta dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa (22) de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs) ;

â?¢ una segunda capa (24) de cubierta no dopada formada sobre la primera capa (23) de cubierta y compuesta por galio arsénido (GaAs) ;

â?¢ una tercera capa (25) de detención de ataque químico dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa (24) de cubierta y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) ; y

â?¢ una capa (26) óhmica dopada con dopado de tipo n, formada sobre la tercera capa (25) de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs) .

2. Estructura epitaxial estratificada según la reivindicación 1, en la que la capa (18) barrera de enriquecimiento, la primera capa (20) barrera de empobrecimiento y la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento están compuestas por galio arsénido (GaAs) .

3. Dispositivo (1; 1â?) de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento que comprende:

â?¢ la estructura epitaxial estratificada según las reivindicaciones 1 ó 2;

â?¢ una primera región (27) que comprende

- un primer rebaje (33) formado verticalmente a través de la capa (26) óhmica y la tercera capa (25) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una primera superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta,

- un segundo rebaje (36*) que es más estrecho que el primer rebaje (33) y que se extiende verticalmente desde el primer rebaje (33) a través de la segunda capa (24) de cubierta, la primera capa (23) de cubierta y la segunda capa (22) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una primera superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento, y -un tercer rebaje (38) que es más estrecho que el segundo rebaje (36*) y que se extiende verticalmente desde el segundo rebaje (36*) a través de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento, la primera capa (20) barrera de empobrecimiento y la primera capa (19) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una superficie superior de la capa (18) barrera de enriquecimiento que define una primera región de contacto de Schottky;

â?¢ una segunda región (28) distanciada lateralmente, y eléctricamente aislada, de dicha primera región (27) y que comprende -un cuarto rebaje (34) formado verticalmente a través de la capa (26) óhmica y la tercera capa (25) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una segunda superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta, y -un quinto rebaje (39) que es más estrecho que el cuarto rebaje (34) y que se extiende verticalmente desde el cuarto rebaje (34) a través de la segunda capa (24) de cubierta, la primera capa (23) de cubierta y la segunda capa (22) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una segunda superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento que define una segunda región de contacto de Schottky;

â?¢ un transistor de enriquecimiento formado en la primera región (27) y que comprende -primeros electrodos (29) de fuente y de drenaje formados sobre, y en contacto óhmico con, dicha capa (26) óhmica en la primera región (27) por fuera del primer rebaje (33) , y -un primer electrodo (41; 43) de compuerta formado en el tercer rebaje (38) en contacto de Schottky con la superficie superior de la capa (18) barrera de enriquecimiento que define la primera región de contacto de Schottky y que se extiende verticalmente desde dicha primera región de contacto de Schottky a través del tercer (38) , el segundo (36*) y el primer rebaje (33) de modo que sobresale de dicho primer rebaje (33) ; y â?¢ un transistor de empobrecimiento formado en la segunda región (28) y que comprende -segundos electrodos (30) de fuente y de drenaje formados sobre, y en contacto óhmico con, dicha capa (26) óhmica en la segunda región (28) por fuera del cuarto rebaje (34) , y -un segundo electrodo (42; 44) de compuerta formado en el quinto rebaje (39) en contacto de Schottky con la segunda superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento que define la segunda región de contacto de Schottky y que se extiende verticalmente desde dicha segunda región de contacto de Schottky a través del quinto (39) y el cuarto rebaje (34) de modo que sobresale de dicho cuarto rebaje (34) .

4. Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento según la reivindicación 3, en el que el primer electrodo (41; 43) de compuerta comprende una zona de placa de campo que se extiende lateralmente en el segundo rebaje (36*) sobre la primera superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento de modo que descansa sobre y está mecánicamente soportada por dicha primera superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento.

5. Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento según la reivindicación 4, en el que la zona de placa de campo del primer electrodo (43) de compuerta se extiende lateralmente en el primer rebaje (33) sobre una zona de la primera superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta de modo que descansa sobre y está mecánicamente soportada por dicha zona de la primera superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta.

6. Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento según cualquiera de las reivindicaciones 3-5, en el que el segundo electrodo (44) de compuerta comprende una zona de placa de campo que se extiende lateralmente en el cuarto rebaje (34) sobre una zona de la segunda superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta de modo que descansa sobre y está mecánicamente soportada por dicha zona de la segunda superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta.

7. Método de fabricación de un dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento, que comprende:

â?¢ proporcionar una estructura epitaxial estratificada que incluye

- una capa (11) de superred y tampón, -una capa (12) barrera de soporte no dopada formada sobre la capa (11) de superred y tampón y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) , -una capa (13) de dopado delta de soporte dopada formada sobre la capa (12) barrera de soporte, -una capa (14) separadora de soporte no dopada formada sobre la capa (13) de dopado delta de soporte y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) , -una capa (15) canal no dopada formada sobre la capa (14) separadora de soporte y compuesta por indio galio arsénido (InGaAs) , -una capa (16) separadora no dopada formada sobre la capa (15) canal y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs) , -una capa (17) de dopado delta formada sobre la capa (16) separadora, -una capa (18) barrera de enriquecimiento no dopada formada sobre la capa (17) de dopado delta, -una primera capa (19) de detención de ataque químico dopada formada sobre la capa (18) barrera de enriquecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) , -una primera capa (20) barrera de empobrecimiento dopada formada sobre la primera capa (19) de detención de ataque químico, -una segunda capa (21) barrera de empobrecimiento no dopada formada sobre la primera capa (20) barrera de empobrecimiento, -una segunda capa (22) de detención de ataque químico dopada formada sobre la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) , -una primera capa (23) de cubierta dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa (22) de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs) , -una segunda capa (24) de cubierta no dopada formada sobre la primera capa (23) de cubierta y compuesta por galio arsénido (GaAs) , -una tercera capa (25) de detención de ataque químico dopada con dopado de tipo n, formada sobre la segunda capa (24) de cubierta y compuesta por aluminio arsénido (AlAs) , y -una capa (26) óhmica dopada con dopado de tipo n, formada sobre la tercera capa (25) de detención de ataque químico y compuesta por galio arsénido (GaAs) ;

â?¢ formar un primer par (29) de electrodos de un transistor de enriquecimiento sobre, y en contacto óhmico con, dicha capa (26) óhmica en una primera región (27) de la estructura epitaxial estratificada y un segundo par (30) de electrodos de un transistor de empobrecimiento sobre, y en contacto óhmico con, dicha capa (26) óhmica en una segunda región (28) de la estructura epitaxial estratificada distanciada lateralmente de dicha primera región (27) , comprendiendo dicho primer par (29) de electrodos un primer electrodo de fuente y un primer electrodo de drenaje, comprendiendo dicho segundo par (30) de electrodos un segundo electrodo de fuente y un segundo electrodo de drenaje;

â?¢ aislar eléctricamente la primera región (27) y la segunda región (28) ;

â?¢ formar

- en la primera región (27) , un primer rebaje (33) que está distanciado lateralmente del primer par (29) de electrodos y que se extiende verticalmente a través de la capa (26) óhmica y la tercera capa (25) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una primera superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta, y -en la segunda región (28) , un segundo rebaje (34) que está distanciado lateralmente del segundo par (30) de electrodos y que se extiende verticalmente a través de la capa (26) óhmica y la tercera capa (25) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una segunda superficie superior de la segunda capa (24) de

cubierta;

â?¢ formar -en la primera región (27) , un tercer rebaje (36*) que es más estrecho que el primer rebaje (33) y que se extiende verticalmente desde el primer rebaje (33) a través de la segunda capa (24) de cubierta, la primera capa (23) de cubierta y la segunda capa (22) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una primera superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento, -en la primera región (27) , un cuarto rebaje (38) que es más estrecho que el tercer rebaje (36*) y que se extiende verticalmente desde el tercer rebaje (36*) a través de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento, la primera capa (20) barrera de empobrecimiento y la primera capa (19) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una superficie superior de la capa (18) barrera de enriquecimiento que define una primera región de contacto de Schottky, y -en la segunda región (28) , un quinto rebaje (39) que es más estrecho que el segundo rebaje (34) y que se extiende verticalmente desde el segundo rebaje (34) a través de la segunda capa (24) de cubierta, la primera capa (23) de cubierta y la segunda capa (22) de detención de ataque químico de modo que se deja al descubierto una segunda superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento que define una segunda región de contacto de Schottky; y â?¢ formar -en el cuarto rebaje (38) , un primer electrodo (41; 43) de compuerta del transistor de enriquecimiento en contacto de Schottky con la superficie superior de la capa (18) barrera de enriquecimiento que define la primera región de contacto de Schottky, extendiéndose dicho primer electrodo (41; 43) de compuerta verticalmente desde dicha primera región de contacto de Schottky a través del cuarto (38) , el tercer (36*) y el primer rebaje (33) de modo que sobresale de dicho primer rebaje (33) , y -en el quinto rebaje (39) , un segundo electrodo (42; 44) de compuerta del transistor de empobrecimiento en contacto de Schottky con la segunda superficie superior de la segunda capa (21) barrera de empobrecimiento que define la segunda región de contacto de Schottky, extendiéndose dicho segundo electrodo (42; 44) de compuerta verticalmente desde dicha segunda región de contacto de Schottky a través del quinto (39) y el segundo rebaje (34) de modo que sobresale de dicho segundo rebaje (34) .

8. Método según la reivindicación 7, en el que la formación del tercer rebaje (36*) , el cuarto rebaje (38) y el quinto rebaje (39) comprende:

â?¢ formar un tercer rebaje (36) por medio de un primer procedimiento de ataque químico que se lleva a cabo usando una primera máscara (37) formada sobre la estructura epitaxial estratificada, sobre el primer par (29) de electrodos y sobre el segundo par (30) de electrodos de modo que se deja al descubierto una primera zona de la primera superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta para dicho primer procedimiento de ataque químico; y

â?¢ ensanchar dicho tercer rebaje (36) y formar el cuarto rebaje (38) y el quinto rebaje (39) por medio de un segundo procedimiento de ataque químico que se lleva a cabo usando una segunda máscara (40) formada sobre la estructura epitaxial estratificada, sobre el primer par (29) de electrodos y sobre el segundo par (30) de electrodos de modo que se deja al descubierto el tercer rebaje (36) , extendiéndose una segunda zona de la primera superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta lateralmente desde dicho tercer rebaje (36) y una primera zona de la segunda superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta para dicho segundo procedimiento de ataque químico.

9. Método según la reivindicación 8, en el que el primer electrodo (41) de compuerta y el segundo electrodo (42) de compuerta se forman por medio de deposición química en fase de vapor que se lleva a cabo usando la segunda máscara (40) .

10. Método según la reivindicación 8, en el que el primer electrodo (43) de compuerta y el segundo electrodo (44) de compuerta se forman por medio de deposición química en fase de vapor que se lleva a cabo usando una tercera máscara (45) formada sobre la estructura epitaxial estratificada, sobre el primer par (29) de electrodos y sobre el segundo par (30) de electrodos de modo que se deja al descubierto el cuarto rebaje (38) , el tercer rebaje (36*) ensanchado, extendiéndose una tercera zona de la primera superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta lateralmente desde dicho tercer rebaje (36*) ensanchado, el quinto rebaje (39) , y extendiéndose una segunda zona de la segunda superficie superior de la segunda capa (24) de cubierta lateralmente desde dicho quinto rebaje (39) para la deposición química en fase de vapor.

11. Método según cualquiera de las reivindicaciones 7-10, en el que aislar eléctricamente la primera región (27) y la segunda región (28) comprende formar, mediante implantación de iones:

â?¢ una primera barrera (31) aislante eléctrica que rodea la primera región (27) y que se extiende verticalmente a través de todas las capas de la estructura epitaxial estratificada; y

â?¢ una segunda barrera (32) aislante eléctrica que rodea la segunda región (28) y que se extiende verticalmente a través de todas las capas de la estructura epitaxial estratificada.