CONDENSADOR APILADO Y METODO DE FABRICACION DEL CONDENSADOR APILADO.
Un condensador Poli-Poli/MOS apilado comprende: un sustrato (10) semiconductor que tiene una región de un primer tipo (12) de conductividad presente en una superficie del mismo;
un óxido (16) de puerta presente encima de dicha región de primer tipo de conductividad; una primera capa (18) de electrodo, no estando dicha primera capa (18) de electrodo en contacto con dicha región de primer tipo (12) de conductividad y que sirve como ambos, un electrodo superior de un semiconductor de óxido de metal y una electrodo de base de un condensador; una capa (20) de dieléctrico presente sobre una porción de dicha primera capa (18) de electrodo; y una segunda capa (22) de electrodo presente en dicha capa (20) de dieléctrico, sirviendo dicha segunda capa (22) de electrodo como un electrodo superior de dicho condensador, caracterizado porque la primera capa (18) de electrodo encapsula las superficies vertical y horizontal expuestas de dicho óxido (16) de puerta y al menos una de dichas primera y segunda capas (18, 22) de electrodo que comprenden SiGe.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: NEW ORCHARD ROAD,ARMONK, NY 10504.
Inventor/es: COOLBAUGH,DOUGLAS D. , DUNN,JAMES STUART , ST.ONGE,STEPHEN ARTHUR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 22 de Febrero de 2001.
Fecha Concesión Europea: 25 de Abril de 2007.
Clasificación PCT:
- H01L21/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
- H01L21/822 H01L 21/00 […] › siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).
- H01L21/8249 H01L 21/00 […] › Tecnología bipolar y MOS.
- H01L27/04 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › el sustrato común es un cuerpo semiconductor.
- H01L27/06 H01L 27/00 […] › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
- H01L29/92 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Condensadores con barrera de potencial o barrera de superficie.
- H01L29/94 H01L 29/00 […] › Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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