CIRCUITO LIMITADOR DE POTENCIA-TENSION.

SE DESCRIBE UN CIRCUITO TRANSISTORIZADO DE POTENCIA PARA LOGRAR UNA TENSION LIMITADORA,

CON: ENTRE LA BASE Y EL EMISOR DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; SPOSICION DE DIODOS ZENER (D) CON UNA TENSION DE PASO PREDETERMINADA, ELEGIDA DE TAL FORMA QUE, PERMANECE EN TODO EL MARGEN DE TEMPERATURA, PARA LA QUE SE HA PREVISTO EL CIRCUITO, CON LA TENSION LIMITADORA, CUYA DISPOSICION DE DIODOS SE ENCUENTRA EN DIRECCION AL BLOQUEO ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; Y ZENER ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; ES DE RESISTENCIA SE HAN DIMENSIONADO DE TAL MODO QUE, LA TENSION COLECTOR-EMISOR UNA VEZ CONECTADO EL TRANSISTOR DE POTENCIA A TEMPERATURA AMBIENTE, ALCANZA UN PORCENTAJE HASTA EL DIEZ POR CIENTO POR ENCIMA DE LA TENSION DE PASO DE LA DISPOSICION DE DIODOS ZENER. EN ESTE CIRCUITO PUEDE SER CORREGIDO FACILMENTE, POR MEDIO DE UN COEFICIENTE DE TEMPERATURA NEGATIVO DE LA DISPOSICION DE RESISTENCIAS COLECTOR-BASE Y/O DE UN COEFICIENTE DE TEMPERATURA POSITIVO DE LA DISPOSICION DE RESISTENCIAS BASE-EMISOR, EL RITMO DE LA TEMPERATURA DEL PASO DE LA TENSION, DE TAL MANERA QUE LA TENSION LIMITADORA PERMANECE CONSTANTE. SI LAS DISPOSICIONES DE LAS RESISTENCIAS SE CONCIBEN DE FORMA QUE SUS VALORES DE RESISTENCIA SEAN AJUSTABLES, ES POSIBLE DE UN MODO MUY FACIL, COMPENSAR DISPERSIONES DE FABRICACION EN LA TENSION DE PASO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: THERESIENSTRASSE 2,74072 HEILBRONN.

Inventor/es: RYMAN, LENNART.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 3 de Septiembre de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/06 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
  • H01L27/082 H01L 27/00 […] › comprendiendo únicamente componentes bipolares.
  • Fb
  • Twitter
  • G+
  • 📞

Patentes similares o relacionadas:

Imagen de 'Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y método…' Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y método de fabricación del mismo, del 23 de Julio de 2014, de SELEX ES S.p.A: Estructura epitaxial estratificada para dispositivos (1; 1') de PHEMT de enriquecimiento y empobrecimiento, que comprende: * una capa de […]

CMOS DE CARBURO DE SILICIO Y METODO DE FABRICACION., del 1 de Septiembre de 2004, de CREE RESEARCH, INC.: DISPOSITIVO MONOBLOQUE DE CMOS INTEGRADO, FORMADO EN CARBURO DE SILICIO Y METODO PARA LA FABRICACION DEL MISMO. EL INSTRUMENTO DE CMOS INTEGRADO INCLUYE UNA CAPA DE […]

ESTRUCTURA Y CIRCUITO DE PROTECCION QUE COMPRENDE UN RECTIFICADOR DE SILICIO MANDADO CON TENSION DE DISPARO REDUCIDA., del 16 de Octubre de 1997, de SARNOFF CORPORATION SHARP CORPORATION: SE PRESENTA UN DISPOSITIVO DE VOLTAJE DE BAJA RUPTURA PARA PROTEGER UN CIRCUITO INTEGRADO DE UNA ENERGIA TRANSITORIA. ESTE DISPOSITIVO […]

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS TRANSISTORES EN AREAS SELECCIONADAS DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA, del 16 de Enero de 1989, de AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO.: UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR TRANSISTORES BIPOLARES Y CMOS SOBRE UN SUSTRATO DE SILICIO DEL TIPO P-. EL SUSTRATO DE SILICIO TIENE LOS POZOS ENTERRADOS […]

UN CONMUTADOR SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION, del 1 de Diciembre de 1982, de STANDARD ELECTRICA, S.A.: CONMUTADOR SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION. CONSTA DE UNA REGION SEMICONDUCTORA TIPO N QUE PROPORCIONA UN DRENAJE A UN TRANSISTOR MOS Y UNA BASE PARA UN TRANSISTOR […]

Imagen de 'DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS NANOELECTRICOS' DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS NANOELECTRICOS, del 16 de Diciembre de 2007, de BTG INTERNATIONAL LIMITED: Componente de circuito electrónico, que comprende un sustrato que soporta portadores de carga móviles, medios […]

Imagen de 'CONDENSADOR APILADO Y METODO DE FABRICACION DEL CONDENSADOR APILADO' CONDENSADOR APILADO Y METODO DE FABRICACION DEL CONDENSADOR APILADO, del 1 de Octubre de 2007, de INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION: Un condensador Poli-Poli/MOS apilado comprende: un sustrato semiconductor que tiene una región de un primer tipo de conductividad presente en una superficie del mismo; […]

‹‹ DISPOSITIVO EMBALADOR COMPACTO PARA FORMAR COJINES RELLENOS DE ESPUMA Y METODO RELACIONADO

DISPOSICION PARA DETERMINAR UNA PRESION PARCIAL DEL GAS EN UNA MEZCLA DE GASES. ››