ESTRUCTURA Y CIRCUITO DE PROTECCION QUE COMPRENDE UN RECTIFICADOR DE SILICIO MANDADO CON TENSION DE DISPARO REDUCIDA.
SE PRESENTA UN DISPOSITIVO DE VOLTAJE DE BAJA RUPTURA (47) PARA PROTEGER UN CIRCUITO INTEGRADO (41) DE UNA ENERGIA TRANSITORIA.
ESTE DISPOSITIVO SUMINISTRA UN SCR QUE TIENE UN VOLTAJE DE DISPARO REDUCIDO COMPATIBLE CON LOS PROCESADORES SUBMICRONICOS DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS. TAMBIEN SE PRESENTA UN CIRCUITO DE PROTECCION SCR DE VOLTAJE DE RUPTURA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SARNOFF CORPORATION
SHARP CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 201 WASHINGTON ROAD, PRINCETON, NEW JERSEY 08540.
Inventor/es: AVERY, LESLIE, RONALD 565 KINGWOOD-LOCKTOWN ROAD.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 4 de Diciembre de 1992.
Fecha Concesión Europea: 23 de Julio de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/06 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
- H01L29/87 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes).
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Japón, República de Corea.
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