DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO BASADO EN DISELENIURO DE INDIO Y COBRE Y PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DEL MISMO.
Un dispositivo fotovoltaico basado en diseleniuro de indio y cobre (CIS) (104) que comprende:
un sustrato (106); y una capa de absorbedor solar basada en CIS (506) que comprende cobre, indio y selenio formada sobre el sustrato (106), caracterizado porque el sustrato (106) se forma a partir de una composición de silicona y comprende refuerzo de fibra
Tipo: Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: W07009365US.
Solicitante: DOW CORNING CORPORATION
ITN ENERGY SYSTEMS, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 2200 WEST SALZBURG ROAD,MIDLAND, MICHIGAN 48686-0994.
Inventor/es: KATSOULIS, DIMITRIS ELIAS, ANDERSON,NICOLE R, REESE,HERSCHEL HENRY, ZHU,BIZHONG, WOODS,LAWRENCE M, ARMSTRONG,JOSEPH H, RIBELIN,ROSINE M.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 2 de Septiembre de 2009.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/032C
- H01L31/0336C
- H01L31/072 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo heterounión PN.
Clasificación PCT:
- C08L83/04 QUIMICA; METALURGIA. › C08 COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES. › C08L COMPOSICIONES DE COMPUESTOS MACROMOLECULARES (composiciones basadas en monómeros polimerizables C08F, C08G; pinturas, tintas, barnices, colorantes, pulimentos, adhesivos D01F; filamentos o fibras artificiales D06). › C08L 83/00 Composiciones de compuestos macromoleculares obtenido por reacciones que forman un enlace que contiene silicio con o sin azufre, nitrógeno, oxígeno o carbono, solamente en la cadena principal; Composiciones de los derivados de tales polímeros. › Polisiloxanos.
- H01L31/032 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
- H01L31/0336 H01L 31/00 […] › en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica.
- H01L31/072 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo heterounión PN.
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