Célula fotovoltaica con heterounión y procedimiento de fabricación de dicha célula.

Célula fotovoltaica con heterounión que comprende un sustrato (1) de un material semiconductor dopado,

en la que:

- una primera cara principal (1A) de dicho sustrato (1) está recubierta sucesivamente de una capa de pasivación (2A), de una capa (3A) de un material semiconductor dopado del tipo opuesto al del sustrato (1), que forma el emisor de dicha célula, y de un electrodo (4A),

- la segunda cara principal (1B) de dicho sustrato está recubierta sucesivamente de una 10 capa de pasivación (2B), de una capa (3B) de un material semiconductor dopado del mismo tipo que el sustrato, que forma un campo repulsivo (BSF) para los portadores minoritarios del sustrato, y de un electrodo (4B),

estando dicha célula caracterizada por que:

- el material de la capa de pasivación (2A) en el lado de emisor (E) se selecciona para presentar una barrera de potencial más bajo para los portadores minoritarios fotogenerados que para los portadores mayoritarios del sustrato, de manera que favorezca el paso de dichos portadores minoritarios fotogenerados del sustrato (1) hacia el emisor (3A), con respecto al de los portadores mayoritarios, y

- el material de la capa de pasivación (2B) en el lado de campo repulsivo (BSF) se selecciona para presentar una barrera de potencial más bajo para los portadores mayoritarios fotogenerados que para los portadores minoritarios de sustrato, de manera que favorezca el paso de los portadores mayoritarios fotogenerados de sustrato (1) hacia la capa de campo repulsivo (3B), con respecto al de los portadores minoritarios.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2013/069880.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 25, rue Leblanc, Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FRANCIA.

Inventor/es: MUR,PIERRE, BUCKLEY,JULIEN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/042 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Módulos fotovoltaicos o conjuntos de células individuales fotovoltaicos (las estructuras de soporte de los módulos fotovoltaicos H02S 20/00).
  • H01L31/072 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión.
  • H01L31/0747 H01L 31/00 […] › comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT ®.

PDF original: ES-2605635_T3.pdf

 

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