PROCEDIMIENTO E INSTALACION DE FABRICACION DE BLOQUES DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR.

Instalación (10) de fabricación de bloques de un material semiconductor,

que comprende: al menos un primer recinto (12, 14) que contiene una atmósfera de al menos un gas neutro y que comprende un sistema de fusión (42) adaptado para hacer que se funda el material semiconductor, un sistema de purificación (46) adaptado para eliminar impurezas del material semiconductor fundido, y un sistema de desplazamiento (20) de un crisol de cristalización (32, 34) que contiene material semiconductor fundido y purificado por el sistema de purificación; y al menos un segundo recinto (14) que contiene una atmósfera de dicho al menos un gas neutro y unido al primer recinto por una abertura (16), estando una puerta móvil (18) adaptada para cerrar herméticamente dicha abertura, estando el sistema de desplazamiento adaptado para desplazar el crisol de cristalización en el segundo recinto antes de que el material semiconductor fundido y purificado comience a solidificarse, conteniendo el segundo recinto un sistema de refrigeración (60) adaptado para favorecer la solidificación del material semiconductor fundido y purificado.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: EFD INDUCTION SA.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 20, AVENUE DE GRENOBLE,38170 SEYSSINET PARISET.

Inventor/es: RIVAT,PASCAL, DEL GOBBO,JEAN-PIERRE,LA GRIVOLEE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 14 de Noviembre de 2007.

Clasificación PCT:

  • C01B33/037 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › Purificación (por fusión de zona C30B 13/00).
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PROCEDIMIENTO E INSTALACION DE FABRICACION DE BLOQUES DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR.

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