Procedimiento para la purificación de fragmentos de silicio policristalino.

Procedimiento para la purificación de fragmentos de silicio policristalino en un baño de purificación de carácter ácido que comprende un circuito de ácido en el que se hace circular ácido,

comprendiendo la purificación varios ciclos de purificación, en donde en el caso de cada uno de los ciclos de purificación se consume una determinada cantidad de ácido, estando depositadas las respectivas cantidades de consumo de cada uno de los ciclos de purificación en un sistema de dosificación controlado por ordenador como parámetros de la instalación, en donde por medio de un integrador del sistema de dosificación, las cantidades de ácido consumidas en cada uno de los ciclos de purificación se suman en un consumo global de ácido en el baño de purificación, en donde después de alcanzarse un consumo total de ácido en el baño de purificación de 5-10 l por medio de una bomba de dosificación de membrana o después de alcanzarse un consumo global de ácido en el baño de purificación de 10-30 l mediante un sistema de dosificación gravimétrico, se retira de un recipiente de reserva una cantidad de ácido no consumido correspondiente al consumo global de ácido en el baño de purificación, y ésta se aporta al baño de purificación, siendo la relación de cantidad de ácido hecha circular en litros a masa de los fragmentos de polisilicio que se encuentran en el baño de purificación en kg mayor que 10.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E12176804.

Solicitante: WACKER CHEMIE AG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.

Inventor/es: GAILER,THOMAS, KELLNER,RUDOLF, WOCHNER,DR. HANNS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C01B33/037 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › Purificación (por fusión de zona C30B 13/00).

PDF original: ES-2587613_T3.pdf

 

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