REACTOR EPITAXIAL PARA LA PRODUCCION DE OBLEAS A GRAN ESCALA.
Reactor epitaxial para la producción de obleas a gran escala.#Se describe un reactor epitaxial de alto rendimiento que produce obleas a gran escala para industria fotovoltaica. Su principal innovación es la elevada densidad de apilamiento de susceptores,
separados unos 4 cms. Éstos se colocan verticales, paralelos entre sí, interconectados, y se calientan por efecto Joule. La corriente llega por pasamuros especialmente diseñados, que conectan el exterior (temperatura ambiente), con los susceptores (1000 ºC). Un gas fluye entre susceptores. Unos sustratos se colocan sobre éstos. Debajo de ellos se encuentra una antecámara, para distribuir el gas entrante de forma homogénea y eliminar turbulencias. Todo está dentro de una cámara de acero inoxidable, recubierta internamente de material reflectante, y enfriada externamente por agua. Susceptores y antecámara están fijos a un panel posterior de conexiones, que también contiene pasamuros eléctricos, pasamuros de termopares, y entrada y salida de gases. Los gases de salida se recirculan parcialmente, ahorrando gas y aumentando la eficiencia.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: MADRID.
Inventor/es: ZAMORANO SAAVEDRA,JUAN CARLOS, TOBIAS GALICIA,IGNACIO, LUQUE LOPEZ,ANTONIO, RODRIGUEZ SAN-SEGUNDO,HUGO-JOSE.
Fecha de Solicitud: 16 de Junio de 2005.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 8 de Noviembre de 2007.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B25/12 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Portasustrato o soportes.
Clasificación PCT:
- C30B25/12 C30B 25/00 […] › Portasustrato o soportes.
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