SUSCEPTOR CON DISPOSITIVOS DE CONTROL DEL CRECIMEINTO EPITAXIAL Y REACTOR EPITAXIAL QUE UTILIZA LOS MISMOS.
Susceptor (1) para reactores de crecimiento epitaxial que comprende una estructura (2) que tiene una base inferior (3),
una parte superior (4) y algunas caras laterales básicamente planas (5), estando dichas caras laterales adaptadas para recibir, en áreas predeterminadas (6), sustratos sobre los que se desarrolla el crecimiento epitaxial y que están provistas de regiones laterales del borde (7) definidas por pares de caras laterales adyacentes (5), en las que a lo largo de dichas regiones laterales del borde (7) de la parte superior de la estructura se proporcionan unas primeras acanaladuras (8) adaptadas para controlar el flujo de gases de reacción a lo largo de dichas caras laterales (5) caracterizadas porque a lo largo de dichas regiones laterales del borde (7) de la parte inferior de la estructura se proporcionan unas segundas acanaladuras (9) adaptadas para controlar el flujo de los gases de reacción a lo largo de dichas caras laterales (5).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LPE SPA.
Nacionalidad solicitante: Italia.
Dirección: VIA FALZAREGO 8,20021 BOLLATE.
Inventor/es: PRETI, FRANCO, YARLAGADDA, SRINIVAS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 5 de Septiembre de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B25/12 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Portasustrato o soportes.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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