SISTEMA DE REACTOR EPITAXIAL, SUSCEPTOR Y FLUJO DE GAS.
UN REACTOR EPITAXIAL CON UN SUSCEPTOR PLANO EN FORMA DE DISCO CONSTA DE UN PLANO,
SUBSTANCIALMENTE DE UNA CAMARA DE REACCION DE CUARZO TUBULAR (12) CONTENIENDO UN DISCO SUSCEPTOR GIRATORIO (14) TENIENDO UNA PLURALIDAD DE INTERVALOS (16A-H) PARA ALOJAMIENTO DE UNA CORRESPONDIENTE PLURALIDAD DE OBLEAS EN FORMA DE DISCO (18A-H) DE MATERIAL PARA SER PROCESADO, UN TANQUE (26) RELLENADO CON UN FLUJO DE LIQUIDO REFRIGERANTE (28) RODEANDO LA SUBSTANCIALMENTE CAMARA TUBULAR (12), UN INDUCTOR PRIMARIO DE ALIMENTACION (90) SUBSTANCIALMENTE EN FORMA DE ESPIRAL PLANA UBICADA FUERA DE LA CAMARA DE REACCION (12) EN LA PARTE INFERIOR DEL TANQUE (26) PARALELAMENTE AL DISCO SUSCEPTOR (14) Y TENIENDO MEDIOS (118) PARA MODIFICACION DE LA DISTANCIA ENTRE CADA ESPIRA INDIVIDUAL DEL INDUCTOR PRIMARIO (90) Y EL DISCO SUSCEPTOR, POSIBLEMENTE UN INDUCTOR SECUNDARIO (102) FORMADO POR ESPIRAS DISPUESTAS PARALELAMENTE Y ACOPLADAS MUY CERCA DE LAS ESPIRAS DEL INDUCTOR PRIMARIO (90), POSIBLEMENTE INTERMEDIOS (158) PARA LA CONEXION SELECTIVA DE CADA ESPIRA DEL INDUCTOR PRIMARIO (90) A CARGAS EXTERNAS DE ACUERDO CON UNA TECNICA CONOCIDA O PARA CERRAR SELECTIVAMENTE CADA ESPIRA DEL INDUCTOR SECUNDARIO, Y MEDIOS PARA PROPORCIONAR LA MAXIMA REFLEXION SOBRE TODAS LAS PAREDES DE LA CAMARA (COMPLETAMENTE DORADA) Y POSIBLEMENTE MEDIOS (169) PARA SUMINISTRAR TAMBIEN CONTINUAMENTE UNA REFLEXION VARIABLE SOBRE LA CARA DE LA CAMARA SITUADA POR ENCIMA DE LOS SUSTRATOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LPE SPA.
Nacionalidad solicitante: Italia.
Dirección: VIA DEI GIOVI, 7,20021 BOLLATE.
Inventor/es: PRETI, FRANCO, OGLIARI, VINCENZO, POZZETTI, VITTORIO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 14 de Septiembre de 1995.
Fecha Concesión Europea: 12 de Diciembre de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B25/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- C30B25/10 C30B 25/00 […] › Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Portugal, Irlanda, Oficina Europea de Patentes.
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