CAMARA DE REACCION PARA UN REACTOR EPITAXIAL.

Cámara de reacción perfeccionada para un reactor epitaxial que comprende una campana (14) fabricada de un material aislante y transparente,

tal como cuarzo, un elemento de susceptibilidad (24) provisto de cavidades (34a-n) con forma de disco para recibir plaquetas (36a-n) de material a tratar, y una placa (40) aislante y químicamente resistente dispuesta sobre la misma, caracterizada porque emplea: un difusor (54) formado por la tapa (52) de un elemento de cúpula central (88) conectada a una cámara de distribución anular simétrica (104) provista de una pluralidad de tubos (106a-f) de igual longitud que conectan dicha cámara anular (104) de la tapa con una zona de cúpula (42, 44) de la campana situada justo debajo de un cuello (46) que conecta una pestaña superior (48) con la cúpula (42, 44), garantizando dicha pluralidad de tubos (106a-f) una distribución de flujo uniforme a menor velocidad; una zona cilíndrica de la campana (14) que se extiende sobre la placa (40) y está montada sobre el elemento de susceptibilidad para eliminar cualquier interferencia entre la placa (40) y el reborde (42); un diámetro interno mínimo de la campana (14) para mantener a la campana (14) lo más apartada posible del elemento de susceptibilidad (24); y en las esquinas del elemento de susceptibilidad (24), en su parte superior, unos deflectores (122a-g) sobresalientes insertados en rebajes formados en el cuerpo de dicho elemento de susceptibilidad (24), deflectores (122a-g) que tienen una longitud aproximadamente igual a la mitad de la longitud de las esquinas del elemento de susceptibilidad (24).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: LPE SPA.

Nacionalidad solicitante: Italia.

Dirección: VIA DEI GIOVI, 7,20021 BOLLATE.

Inventor/es: PRETI, FRANCO, OGLIARI, VINCENZO, TARENZI, GIUSEPPE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 17 de Marzo de 2000.

Fecha Concesión Europea: 22 de Octubre de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C16/44 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
  • C30B25/14 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.

CAMARA DE REACCION PARA UN REACTOR EPITAXIAL.

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