CELULA DE MEMORIA EEPROM FLASH DE PUERTA DIVIDIDA DE DOBLE BIT (DSG) AUTOALINEADA.
UNA ESTRUCTURA DE CELULA EEPROM INCLUYE DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE (20,
22) SEPARADOS POR UN TRANSISTOR SELECTOR DE PUERTA (24) SIENDO COMPARTIDO EL TRANSISTOR SELECTOR, DURANTE LA PROGRAMACION, LA LECTURA, Y EL BORRADO DE UN TRANSISTOR DE PUERTA FLOTANTE, POR LOS DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE. LAS PUERTAS FLOTANTES (20B, 22B) DE LOS DOS TRANSISTORES SE FORMAN A PARTIR DE UNA PRIMERA LAMINA DE POLISILICEO, LAS PUERTAS DE CONTROL (20 C, 22C) DE LOS DOS TRANSISTORES SE FORMAN A PARTIR DE UNA SEGUNDA LAMINA DE POLISILICEO, Y LA PUERTA DE SELECCION (24A) ESTA FORMADA A PARTIR DE UNA TERCERA LAMINA DE POLISILICEO. LA LONGITUD DEL CANAL (24G) DEL TRANSISTOR SELECTOR ESTA COMPLETAMENTE AUTOALINEADA CON LOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE (20, 22). UNA LINEA DE PALABRAS (28) SE FORMA SOBRE LAS PUERTAS DE CONTROL Y FORMA LA PUERTA DE SELECCION. LA LINEA DE PALABRAS (28) DISCURRE GENERALMENTE DE FORMA PERPENDICULAR A LAS LINEAS DE BITS (22A, 20A) QUE CONTACTAN LAS REGIONES DE DRENAJE DE LOS DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE. SEGUN ESTO, UNA RED DE MEMORIA VIRTUAL EEPROM DE CONEXION A TIERRA, PUEDE FABRICARSE UTILIZANDO LA ESTRUCTURA DE CELULA EEPROM.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD.
Nacionalidad solicitante: República de Corea.
Dirección: HYUNDAI JEONJA BUILDING, 66 CHUCKSEON-DONG,CHONGRO-KU , SEOUL.
Inventor/es: MA, YUEH, Y., CHANG, KUO-TUNG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 11 de Enero de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/68 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad).
- H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes.
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