ELECTRODO PARA DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y METODO PARA LA PRODUCCION DEL MISMO.

SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ELEMENTOS FUNCIONALES MUY PEQUEÑOS,

QUE SE PUEDE CONSTRUIR UTILIZANDO LOS COMPONENTES MINIMOS NECESARIOS SIN NINGUN AREA DE SUPERFICIE INNECESARIA, SIENDO ASI CAPAZ DE REDUCIR SIGNIFICATIVAMENTE EL AREA DE DISTRIBUCION Y ADAPTADA PARA LOGRAR UNA GEOMETRIA FINA Y UN ALTO NIVEL DE INTEGRACION. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TIENE UNA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA DE UN PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN POZO P) Y UNA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA COLOCADA ENCIMA O DEBAJO DE LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA Y QUE TIENE UN SEGUNDO TIPO CONDUCTIVO DIFERENTE DEL PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN AREA GENERADORA O DE CONSUMO DE ENERGIA) EN QUE SE FORMA UN ELECTRODO CONECTADO A LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA A TRAVES DE LA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA Y LA PRIMERA Y LA SEGUNDA AREAS SEMICONDUCTORAS SON CORTOCIRCUITEADAS POR EL ELECTRODO ARRIBA MENCIONADO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.

Inventor/es: OHZU, HAYAO, CANON KABUSHIKI KAISHA, KOCHI, TETSUNOBU, CANON KABUSHIKI KAISHA.

Fecha de Publicación: 16 de Octubre de 1997.

Fecha Concesión Europea: 27 de Agosto de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/3205 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
H01L21/74 H01L 21/00 […] › Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.
H01L27/092 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.
H01L29/417 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.

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