TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION QUE UTILIZA ELECTRODOS DE ZONA TERMINAL DE CONEXION DE TERMINACION DE CAMPO.
UN TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION (10'') Y UN METODO DE FABRICACION SE REVELA QUE COMPRENDE UN ELECTRODO DE BLINDAJE (22) (O ELECTRODO DE TERMINACION DE CAMPO) LOCALIZADO ENTRE LOS ATENUADORES DE ADHERENCIA (12) Y EL MATERIAL SEMICONDUCTOR SBYACENTE.
EL ELECTRODO DE BLINDAJE (22) ESTA INSERTADO ENTRE DOS CAPAS DIELECTRICAS AISLANTES (21,23). LA ALTA TENSION APLICADA AL ATENUADOR DE ADHERENCIA (12) ESTABLECE UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL ATENUADOR DE ADHERENCIA (12) Y EL ELECTRODO DE BLINDAJE (22), QUE PREVIENE LA PENETRACION DE CAMPO E INVERSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBYACENTE. USANDO ESTA ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA, UNA CORRIENTE DE FUGA BAJA Y UNA TENSION DE RUPTURA ALTA SE MANTIENE EN EL TRANSISTOR (10''). LA PRESENTE ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA SUMINISTRA UNA TERMINACION DE CAMPO EFECTIVA INFERIOR AL ATENUADOR DE ADHERENCIA (12), Y SU DISEÑO DE SOLAPAMIENTO, SUMINISTRA PARA UN TRANSISTOR MAS COMPACTO (10").
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: RAYTHEON COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 141 SPRING STREET, LEXINGTON MASSACHUSETTS 02173.
Inventor/es: HOOPER, WILLIAM W., CASE, MICHAEL G., NGUYEN, CHANH N.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 25 de Abril de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/485 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.
- H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
- H01L29/417 H01L 29/00 […] › que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
- H01L29/423 H01L 29/00 […] › que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
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