TRANSISTOR DE CANAL-P.

SE PROPONE UN TRANSISTOR DE CANAL P CON UN ELECTRODO (12)= DE DRENAJE,

ELECTRODO (13) DE FUENTE Y UN ELECTRODO (14) DE BULK, POR LO QUE EL ELECTRODO (12) DE DRENAJE Y EL ELECTRODO (13) DE FUENTE SE CONFORMAN COMO "REGION P" EN UNA BANDEJA-N (10) Y LA BANDEJA (10) SE COLOCA EN LA REGION P AMBIENTAL. EL ELECTRODO DE BULK SE CONECTA SIMULTANEAMENTE A LA CONEXION DE LA BANDEJA Y AL ELECTRODO (13) DE FUENTE, MIENTRAS EL ELECTRODO (12) DE DRENAJE SE CONECTA EN EL POLO (+) POSITIVO DE LA TENSION DE FUNCIONAMIENTO. A TRAVES DE ESTA DISPOSICION CON PEQUEÑAS NECESIDADES SUPERFICIALES SE CONSIGUE UNA RESISTENCIA SEGURA DEL POLO, ESTOS PIERDEN UNA PEQUEÑA CORRIENTE DESPRECIABLE SOLAMENTE A TEMPERATURA ELEVADA Y SOLAMENTE SE NECESITA UNA UNICA BANDEJA (10) SOBRE LA CUAL PUEDE COLOCARSE TAMBIEN OTROS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ROBERT BOSCH GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: POSTFACH 30 02 20,70442 STUTTGART.

Inventor/es: BYRNE, GERARD.

Fecha de Publicación: 1 de Octubre de 1997.

Fecha Solicitud PCT: 17 de Septiembre de 1992.

Fecha Concesión Europea: 25 de Junio de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L27/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
H01L29/08 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Japón, República de Corea, Estados Unidos de América.

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