Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación...

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CIP: H01L31/00, Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (51/00 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica 27/00; aspectos de los dispositivos colectores de energía en la cubierta del tejado E 04 D 13/18; producción de calor utilizando calor solar F 24 J 2/00; medida de rayos X, de rayos gamma, de radiaciones corpusculares o de radiaciones cósmicas con detectores con semiconductores G 01 T 1/24, con detectores de resistencia G 01 T 1/26; medida del flujo de neutrones con detectores de semiconductores G 01 T 3/08; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G 02 B 6/42; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G 21 H) [2,6]

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Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    SISTEMA DE ILUMINACIÓN SOLAR SUMERGIBLE

    . Ver ilustración. Solicitante/s: ROSADO RIOS,JUAN. Inventor/es:

    Consiste en un foco de iluminación solar sumergible, que integra paneles fotovoltaicos, baterías, sistema de iluminación y con control en un mismo bloque plano y hermético de reducido espesor que permite la iluminación de la piscina durante la noche, con un diseño delgado para ser adherido o fijado en la pared, escalera o suelo de la piscina, permitiendo una cómoda instalación sin cableados y no interfiriendo en el uso de la misma.

  2. 2.-

    Un fotodetector PIN que comprende: una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ; una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ; una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora...

  3. 3.-

    Uso como aglutinante y/o como encapsulante o en los módulos solares de al menos una composicióntermoplástica que comprende un polímero injertado con poliamida, comprendiendo este polímero injertado conpoliamida una estructura de poliolefina que contiene un resto de al menos un monómero insaturado (X) y al menosun injerto de poliamida donde: * el injerto de poliamida está unido a la estructura de poliolefina mediante el resto del monómero insaturado (X) quecomprende una función capaz de reaccionar mediante una reacción de condensación con una poliamida...

  4. 4.-

    Un generador de fuente de luz artificial para simular la energía solar, que comprende: al menos un conjunto luminiscente , comprendiendo cada uno: una fuente de luz , para generar haces de luz; un espejo parabólico , que tiene un foco, donde la fuente de luz está dispuesta en el foco, demodo que los haces de luz generados por la fuente de luz son reflejados o emitidos en una direcciónparalela por el espejo parabólico; un asiento de soporte , para soportar la fuente de luz; una primera matriz de lentes , que tiene una pluralidad de primeras unidades de...

  5. 5.-

    Detector de radiación ionizante sensible a la posición 2D. El objeto de la presente invención es un dispositivo detector que permite detectarla, tanto la presencia de radiación ionizante como su posición en un plano bidimensional. El detector comprende un cristal de semiconductor con un electrodo en una de sus caras, y donde la cara opuesta comprende otro electrodo formado por una pluralidad de micropistas (P1-P6), caracterizado porque cada micropista (P1-P 6) comprende una capa de material resistivo y está conectada por ambos extremos a circuitos de lectura (L1a, L1b-L6a, L6b).

  6. 6.-

    1. Una disposición de célula solar fotovoltaica para la producción de energía a partir del sol que comprende: un sustrato de germanio que incluye una primera unión fotoactiva y la formación de una subcélula solar inferior ; una subcélula media de arseniuro de galio dispuesta sobre dicho sustrato ; una subcélula superior de fosfuro de galio indio dispuesta sobre dicha subcélula media y una rejilla superficial dispuesta sobre dicha subcélula superior que incluye una pluralidad de líneas de rejilla separadas entre sí , caracterizada...

  7. 7.-

    Procedimiento de producción y de almacenamiento de energía eléctrica que utiliza unos complejos de un metal, caracterizado porque se utiliza un complejo molecular de hierro que se deriva del ácido benzoico, comprendiendo este complejo por lo menos un ligando orgánico (L) de tipo benzoico hidrazida, y se crean unas reacciones de oxidorreducción en dicho complejo molecular de hierro exponiéndolo a la luz, protegido del aire, y recíprocamente al aire, protegido de la luz.

  8. 8.-

    Pie de soporte para soportar una estructura independiente sobre un tejado plano, incluyendo el pie de soporte medios de sujeción para sostener una sección perfilada en la que pueden montarse otras partes dedicha estructura, en el que el pie de soporte comprende: - una parte de base con una estructura de guiado , - una parte de patín , que incluye los medios de sujeción para la sección perfilada y que estámontado de manera deslizante sobre la estructura de guiado de la parte de base ...

  9. 10.-

    Material de banda intermedia basado en un compuesto semiconductor de tipo calcogenuro de estaño. La invención se refiere a compuestos formados mediante la introducción, dentro de un semiconductor de partida que es de tipo calcogenuro de estaño tetravalente octaédricamente coordinado, de un elemento de transición en posición octaédrica, para la fabricación de materiales o dispositivos para aplicaciones fotónicas. El elemento de transición genera una banda intermedia parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos mecanocuánticos. Esto posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior a la anchura de la banda prohibida del semiconductor de partida,...

  10. 11.-

    MASAS PASTOSAS CON MATERIALES NANOCRISTALINOS PARA COMPONENTES ELECTROQUIMICOS Y CAPAS Y COMPONENTES ELECTROQUIMICOS FABRICADOS A PARTIR DE ELLOS.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Inventor/es:

    Masas pastosas para la producción de capas de electrolitos sólidos, que se pueden utilizar en componentes electrónicos, que están constituidas por (A) de 0 a 70 % en peso de una matriz que contiene al menos un polímero orgánico, sus fases previas o sus prepolímeros o que está constituida por ellos y (B) de 30 a 100 % de un material inorgánico con preferencia no soluble en la matriz, adecuado como electrolito de cuerpos sólidos o como conductor intermedio iónico, en forma de una substancia sólida y adicionalmente, dado el caso, un agente de suspensión para (B), caracterizadas porque al menos el 30 % del material adecuado está presente como electrolito de cuerpo sólido o conductor intermedio iónico en forma de un polvo nanocristalino.

  11. 12.-

    UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE CAPA DELGADA.

    . Solicitante/s: NORDIC SOLAR ENERGY AB. Inventor/es:

    SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR CELULAS SOLARES DE PELICULA FINA, EN EL QUE SE APLICA UNA CAPA DE SELENURO DE INDIO DE COBRE (CUINSE{SUB, 2}) EN UN PASO DE MANUFACTURACION SOBRE UNA ESTRUCTURA QUE INCLUYE UNA CAPA DE METAL QUE FORMA UN CONTACTO DE RESPALDO ELECTRICO EN LA CELULA SOLAR, ESTE CONTACTO DE RESPALDO SE APLICA A UN SUBSTRATO . LA INVENCION SE CARACTERIZA EN QUE LA CAPA QUE CONTIENE METAL ALCALI SE FORMA LA ESTRUCTURA ANTES DE APLICAR LA CAPA DE CUINSE{SUB, 2}.

  12. 13.-

    DISPOSITIVOS ELECTROLUMINESCENTES.

    . Solicitante/s: CAMBRIDGE CONSULTANTS LIMITED. Inventor/es:

    Un medio de iluminación electroluminiscente que comprende: - una sustancia electroluminiscente que tiene al menos una superficie desde la cual se desea la emisión de luz ; y - un conjunto de electrodos situados substancialmente paralelos a la(s)citada(s) superficie(s) de la sustancia electroluminiscente desde la cual se desea la emisión de luz para causar, durante el uso, un campo de radiación apropiado en la sustancia electroluminiscente , caracterizado porque al menos una de las citadas superficies de la sustancia electroluminiscente desde la cual se desea la emisión de luz está al menos parcialmente no cubierta por ninguno del conjunto de electrodos , por lo cual la emisión de luz deseada no necesita pasar a través del material de un electrodo con el fin de que el medio de iluminación electroluminiscente funcione como se desea.

  13. 14.-

    SUBSTRATO PARA RECUBRIMIENTO.

    . Solicitante/s: ALUSUISSE TECHNOLOGY & MANAGEMENT AG. Inventor/es:

    SUSTRATO DE RECUBRIMIENTO, QUE CONTIENE UN PRODUCTO ENROLLADO FORMADO DE ALUMINIO O DE ALEACIONES DE ALUMINIO, PARA RECUBRIMIENTOS POR LAMINA FINA PARA OBTENER COMPONENTES ELECTRONICOS. EL SUSTRATO DE RECUBRIMIENTO EVITA LA INTERDIFUSION DE ELEMENTOS DEL SUSTRATO Y ELEMENTOS DE RECUBRIMENTO DE LA LAMINA FINA Y POSIBILITA EL CONTROL TOTAL DE IRREGULARIDADES MEDIANTE LOS RECUBRIMIENTOS EN LAMINA FINA. LAS IRREGULARIDADES PRESENTES DE MANERA LOCAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO QUE SE VA A RECUBRIR, QUE TIENEN UNA EXTENSION MAXIMA MEDIDA VERTICALMENTE CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, MENOR DE 10 MI M Y MAS DE 0,1 MI M, ESTAN DE TAL MANERA QUE LOS LADOS DE LAS IRREGULARIDADES TOTALES SE PUEDEN EXPONER COMPLETAMENTE A LA DEPOSICION DE MATERIAL QUE SE COLOCA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE UNA MANERA PERPENDICULAR.

  14. 15.-

    LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA LA CONCENTRACION O PARA LA DISTRIBUCION DE LUZ (2, 2'), CON LA UTILIZACION DE UNA PRIMERA DISPOSICION DE PRISMAS PLANOS , A PARTIR ESENCIALMENTE DE PERFILES PRISMATICOS. DISPOSICIONES DE PRISMAS PLANOS PARECIDOS SON CONOCIDOS COMO LAS LLAMADAS LENTES DE FRESNEL DESDE HACE YA MUCHO TIEMPO. ESTAS LENTES DE FRESNEL PRESENTAN EL INCONVENIENTE DE QUE LA LUZ QUE INCIDE SOBRE LAS MISMAS EN SENTIDO VERTICAL, TAN SOLO ES DESVIABLE EN UN MARGEN DE ANGULO LIMITADO DE LA DIRECCION DE LA INCIDENCIA, Y EL FOCO PRESENTA CONSECUENTEMENTE UNA DISTANCIA MINIMA DE LA LENTE. EL COMETIDO DE CONTINUAR DESARROLLANDO UN DISPOSITIVO SEGUN EL TIPO DE LA LENTE DE FRESNEL DE TAL...

  15. 16.-

    DISPOSITIVO DE RECONSTRUCCION DE POSICIONES DE PARTICULAS MINIMAMENTE IONIZANTES.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRO DE INVESTIGACIONES ENERGETICAS, MEDIOAMBIENTALES Y TECNOLOGICAS (C.I.E.M.A.T). Inventor/es:

    ESTE DISPOSITIVO DE RECONSTRUCCION DE POSICIONES DE PARTICULAS MINIMAMENTE IONIZANTES, SE CARACTERIZA POR LA COLOCACION DE LOS DOS CCDS CARA A CARA Y LO MAS CERCA POSIBLE, DE MANERA QUE EL CCD1 SE LEE DE ARRIBA A ABAJO Y EL CCD2 AL CONTRARIO; COMO COMPLEMENTO DE LOS CCDS, UN DISPOSITIVO DE DISPARO INDICA EL PASO DE UNA PARTICULA, RECORDANDO SU TIEMPO CON RESPECTO A UN OSCILADOR (RELOJ) DE DISPARO. ESTE ESTA EN FASE CON EL RELOJ DE LAS LINEAS IP, QUE JUNTO CON EL IL (QUE EXTRAE LAS CARGAS CELDA A CELDA), CORREN LIBREMENTE EN AMBOS CCDS, CONSIGUIENDO ASI UNA LECTURA CONTINUA. HAY UN PERIODO DE INTEGRACION O ACUMULACION DE CARGA PARA CADA LINEA DE CELDAS IGUAL AL TIEMPO ENTRE DOS GOLPES DE IP. LA INVENCION PERMITE LA UTILIZACION DE LOS CCDS COMO DETECTORES MUY PRECISOS DE POSICION EN HACES DE PARTICULAS PULSADOS DE ELEVADA INTENSIDAD, ELIMINANDO EL TIEMPO MUERTO Y LAS TRAZAS FANTASMAS QUE SE PRODUCIAN CON UNA LECTURA EN SERIE.

  16. 17.-

    DETECTORES FOTONICOS DE UNION P-N+ Y N-P+ FUNDADOS EN UN NUEVO CONCPTO DE UNION P-N OBTENIDOS PARA DETECTAR RADIACION INFRARROJA.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es:

    CONSISTE EN DIODOS DE DIFUSION CON ESTRUCTURA MULTICAPA: SUSTRATO SEMICONDUCTOR CAPA DIFUSION CORTA CONTACTO ELECTRICO INFERIOR CONTACTO ELECTRICO SUPERIOR POR DONDE SE IRRADIA. EL MATERIAL SEMICONDUCTOR BASE ES FORMULA DE SILICIO AUNQUETAMBIEN PUEDE SER DE GERMANIO, ARSENIURO DE GALIO O ANTIMONIURO DE INDIO. LAS UNIONES PUEDEN SER TIPO P+/N O N+/P. LA INTEGRACION CONSISTE EN UN CONJUNTO DE DIODOS DE SILICIO DISPUESTOS EN FORMA DE MATRIZ Y CONECTADOS EN SERIE.

  17. 18.-

    Perfeccionamientos en células de energía fotovoltaica, caracterizados porque cada célula comprende una lámina de silicio que tiene una superficie opuesta a dicha superficie de incidencia, estando formada la superficie de incidencia a partir de granos individuales de silicio que tienen porciones de los mismos en dicha superficie, teniendo los granos diámetros medios de al menos 100 micras aproximadamente y contorno de grano que, en la superficie de incidencia, están en contacto con los contornos de granos adyacentes o bien están separados sólo ligeramente de dichos contornos de los granos adyacentes, y una unión fotovoltaica formada en dicha superficie incidente y que se extiende a través y por debajo de dicha superficie y también al interior...

  18. 25.-

    UN DISPOSITIVO DE IMPEDANCIA ELÉCTRICA VARIABLE

    . Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

    Dispositivo de impedancia eléctrica variable, más en particular una resistencia variable, caracterizado por comprender una combinación estructural de un cuero sensible a la redacción sobre el cual están dispuestos por lo menos dos electrodos determinadores de la impedancia y una fuente de radiación variable para regular la impedancia.

  19. 26.-

    Procedimiento de fabricación de una placa transparente de vidrio mineral que comprende al menos dos bordes principales (4, 4') paralelos, y que comprende en relieve en al menos una de sus superficies principales motivos piramidales repetitivos en relieve comprendiendo cada uno un vértice, una base y un conjunto de aristas que unen el vértice a la base, caracterizado por que al menos una arista de cada uno de dichos motivos piramidales es de manera que su proyección en el plano general de la placa es sensiblemente paralela a dichos dos bordes principales (4, 4') paralelos y por que el procedimiento comprende una etapa de laminado, a su temperatura de deformación, de una placa ejemplo de dichos motivos con ayuda de un rodillo que...

  20. 27.-

    Pie de soporte para soportar una estructura independiente sobre un tejado plano, incluyendo el pie de soporte un medio de sujeción para sostener una sección perfilada en la que pueden montarse otras partes de dicha estructura, en el que el pie de soporte comprende: - una parte de base con una estructura de guiado , - una parte de patín , que incluye el medio de sujeción para la sección perfilada y que está montado de manera deslizante sobre la estructura de guiado de la parte de base para colocar el medio de sujeción para la sección perfilada en una posición angular deseada...

  21. 28.-

    Un método de soldadura automáticamente un hilo conductor a una batería solar a través de una pluralidad de esferas de soldadura formadas en una fila con un espaciado regular en una región de soldadura de hilo conductor de la batería solar, donde dicho método comprende en este orden: un primer paso de alimentación del hilo conductor desde una sección de alimentación del hilo conductor , para alimentar el hilo conductor a fin de extender el hilo conductor sobre toda la longitud de la fila de esferas de soldadura ; un segundo paso en el que se repite una operación para sujetar el hilo conductor sobre la esfera de soldadura por medio de una unidad de...

  22. 30.-

    Procedimiento de obtención de fibras nanométricas micrométricas Cu/S con propiedades eléctricas. Fibras así obtenidas y utilización de las mismas. Un procedimiento para la obtención de fibras nanométricas y micrométricas conteniendo cobre y azufre en una proporción molar Cu/S mayor de 1, utilizando dimetilsulfóxido como disolvente y fuente azufre, una sal de cobre como fuente de este elemento y, como agente reductor una sal de estaño (II), calentando la mezcla con agitación a más de 150ºC. La proporción Cu/S, el color y la resistividad dependen de los parámetros...

  23. 31.-

    Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento para la separación de silicio de una masa de sal en fusión y procedimiento para la producción de tetrafluoruro. La invención se refiere a la tecnología de silicio para semiconductores. El procedimiento según la invención consiste en la separación electrolítica de una masa fundida eutéctica saturada con tetrafluoruro de silicio, formada por un sistema ternario de sales fluoruro de metales alcalinos. Para la saturación de la masa fundida se utiliza un tetrafluoruro de silicio obtenido por fluoración de dióxido de silicio, donde la fluoración se realiza en dos...

  24. 32.-

    Procedimiento de análisis no destructivo para determinar la calidad de una célula solar cristalina heterounida a base de calcopirita por medio de una combinación de datos derivados de una espectroscopia óptica de Raman para establecer las propiedades estructurales de una capa semiconductora y al menos derivados de una medición de corriente-tensión eléctrica bajo la influencia de una iluminación para obtener las propiedades eléctricas de una célula solar, en donde, directamente después de la producción de la capa absorbedora semiconductora de la célula solar, se obtienen únicamente con ayuda de la espectroscopia de Raman parámetros estructurales característicos para las propiedades...