CIP-2021 : H01L 31/0236 : Texturas de superficie particulares.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/0236[2] › Texturas de superficie particulares.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0236 · · Texturas de superficie particulares.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente.
(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento:
- puesta a disposición de un sustrato semiconductor ;
- formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y
- generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.
PDF original: ES-2819173_T3.pdf
Celda solar con sustrato corrugado flexible y método para la producción de la misma.
(01/07/2020) Un transductor fotoeléctrico que comprende:
un sustrato constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie posterior plana y una superficie frontal con un patrón de superficie de una pluralidad de porciones de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden en al menos una dirección; sobre la misma, un electrodo del lado posterior (2, A) dispuesto en la superficie frontal del sustrato y que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato; sobre el mismo,
una capa fotoeléctrica activa que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato y que tiene el patrón de partes de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden…
Dispositivos nanoestructurados.
(10/06/2020). Solicitante/s: Advanced Silicon Group Technologies, LLC. Inventor/es: BUCHINE,BRENT A, MODAWAR,FARIS, BLACK,MARCIE R.
Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos, dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región principal y una región con nanoestructuras que entra en contacto con la región principal, en el que todos las estructuras tienen un tipo predominante de dopante, n o p, y al menos una porción de la región principal comprende además ese tipo predominante de dopado, caracterizado porque uno de los contactos eléctricos se extienden al área donde las nanoestructuras contactan con la región principal,.
PDF original: ES-2810301_T1.pdf
Dispositivos nanoestructurados.
(08/01/2020). Solicitante/s: Bandgap Engineering, Inc. Inventor/es: BUCHINE,BRENT A, MODAWAR,FARIS, BLACK,MARCIE R.
Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos, dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región principal y nanohilos en una matriz alineada que entra en contacto con la región principal, en el que todos los nanohilos en la matriz tienen un tipo predominante de dopante, n o p, y al menos una porción de la región principal comprende además ese tipo predominante de dopado, en el que una superficie de la región principal está sustancialmente a lo largo de un plano y los nanohilos están alineados normalmente a ese plano,
caracterizado porque uno de los contactos eléctricos se extiende hasta el área donde los nanohilos entran en contacto con la región principal.
PDF original: ES-2774714_T3.pdf
Vidrio texturado para invernaderos y proceso de fabricación asociado.
(25/06/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: SCHIAVONI,MICHELE, BERARD,MATHIEU, MIMOUN,EMMANUEL, MAZOYER,SIMON.
Lámina transparente que comprende una textura en relieve sobre una primera de sus caras principales, caracterizada porque si n es el índice de refracción del material que comprende la textura, Pm es la pendiente media en grados de la cara texturada, Y(q) es el porcentaje de la superficie texturada con pendiente superior a q/(n-1) en grados, entonces Y(q) acumula las dos condiciones:
Y(q) > 3% + (f(q)%.Pm.(n-1
e Y(q) >10%
con f(q)=24-(3.q)
y q = 2 o 3.
PDF original: ES-2717824_T3.pdf
Procedimiento de texturización de la superficie de un sustrato de silicio y sustrato de silicio texturizado para célula solar.
(12/06/2019) Procedimiento de texturizacion de la superficie de un sustrato de silicio en fase gaseosa, que comprende al menos una etapa a) de exposicion de dicha superficie a un plasma de radiofrecuencia de SF6/O2 en una camara de reaccion de un aparato de grabado ionico reactivo durante un periodo comprendido entre 2 minutos y 30 minutos para producir un sustrato de silicio que tiene una superficie texturizada con estructuras piramidales, con una relacion de flujo de SF6/O2 comprendida entre 2 y 10,
caracterizado por que
durante la etapa a), la densidad de potencia generada con el plasma de radiofrecuencia es superior o igual a 3000 mW/cm2, y la presion de SF6/O2 en la camara de reaccion es inferior…
Método de texturización de las superficies de obleas de silicio.
(29/10/2018). Solicitante/s: UNIVERSITAT KONSTANZ. Inventor/es: FATH, PETER, HAUSER,ALEXANDER, MELNYK,IHOR.
Método para la texturización de las superficies de obleas de silicio, que comprende las etapas de inmersión de la oblea de silicio en una solución de grabado al agua fuerte de agua, ácido fluorhídrico con una concentración de al menos 50% y ácido nítrico con una concentración de al menos 65% y colocando una temperatura para la solución de grabado al agua fuerte, caracterizado en que la solución de grabado al agua fuerte comprende solamente 20% a 55% de agua, 10% a 40% de ácido fluorhídrico con una concentración de al menos 50% y 20% a 60% de ácido nítrico con una concentración de al menos 65% y que la temperatura de la solución de grabado al agua fuerte está en el rango de 0ºC a 15ºC.
PDF original: ES-2314393_T3.pdf
PDF original: ES-2314393_T5.pdf
Célula solar de película delgada.
(25/04/2018). Solicitante/s: University Court of The University of St Andrews. Inventor/es: MARTINS,EMILIANO REZENDE, KRAUSS,THOMAS FRASER.
Una célula solar que tiene una película delgada de material activo en la que están definidas una serie o una matriz de células de difracción, en la que:
cada célula de difracción tiene una serie no periódica de características de difracción;
cada célula de difracción está configurada para suprimir solo un modo de difracción de primer orden, solo una combinación del modo de difracción de primer orden y un modo de difracción de segundo orden, o solo una combinación del modo de difracción de primer orden, el modo de difracción de segundo orden y un modo de difracción de tercer orden; y
transferir energía desde uno o más de los modos de difracción suprimidos a uno o más modos de difracción de orden superior que son guiados dentro de la película delgada, para mejorar al menos uno del uno o más modos de difracción de orden superior.
PDF original: ES-2672148_T3.pdf
Películas anti-reflectantes conductoras.
(21/02/2018) Un método de aplicación de una película conductora transparente sobre un sustrato polimérico que tiene una textura en él, comprendiendo dicho método en las etapas de:
a) proporcionar un material polimérico que tiene una textura dispuesta en él; y
b) aplicar con conformación un material conductor transparente sobre el material polimérico para producir una película conductora transparente conformada encima;
donde la película conductora transparente conformada tiene una textura que corresponde a la textura del material polimérico y donde la textura tiene un período que no es superior a la longitud de onda de la luz visible, en virtud de lo cual la película conductora transparente conformada es anti-reflectante.
caracterizado por que el material polimérico está modificado…
Estructura aerodinámica que tiene un panel solar estriado y un método asociado.
(02/08/2017) Un vehículo aéreo que comprende:
un armazón; y
un panel solar portado por el armazón y que define una superficie exterior del mismo, en donde el panel solar comprende una pluralidad de estructuras estriadas que se extienden en una dirección de flujo, y en donde las estructuras estriadas están dispuestas de tal manera que la mayoría del flujo de aire sobre la superficie exterior fluye en la dirección de flujo,
en donde el armazón comprende un ala , y
en donde el panel solar define la superficie exterior de una porción superior del ala próxima al borde de fuga del ala; y
en donde los paneles solares que definen la porción de las alas se extienden desde el borde de fuga de un perfil aerodinámico en una dirección longitudinal como la definida por la línea de cuerda del perfil aerodinámico…
Método para controlar la modificación de la textura superficial de obleas de silicio para dispositivos de celdas fotovoltaicas.
(12/07/2017) Un método para modificar una estructura superficial de un sustrato de silicio o una capa de silicio depositada a una textura deseada, adecuado para fabricar dispositivos fotovoltaicos, comprendiendo el método las etapas de:
disponer el sustrato de silicio o capa de silicio depositada sobre un soporte móvil;
precalentar el sustrato de silicio o capa de silicio depositada en una zona de precalentamiento;
mover continuamente el sustrato de silicio o capa de silicio depositada para atacar a partir de un entorno ambiental externo a través de una cortina de contención de gas de purga y en una cámara caliente abierta de ataque a presión atmosférica;
mover…
Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino y procedimiento para la fabricación de una célula fotovoltaica.
(07/12/2016). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: DUBOIS,Sébastien, ENJALBERT,NICHOLAS, MONNA,RÉMI.
Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino del tipo que comprende una etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, caracterizado porque comprende, antes de dicha etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, al menos una etapa de calentamiento del sustrato a una temperatura comprendida entre 750ºC y 1000ºC inclusives durante un período comprendido entre 1 segundo y 10 minutos inclusives, seguida por una etapa de enfriamiento del sustrato hasta la temperatura ambiente.
PDF original: ES-2618033_T3.pdf
Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente.
(28/09/2016) Un método para producir una estructura que comprende un sustrato que tiene al menos una primera cara integral con un primer ángulo con respecto a una normal del sustrato , al menos una segunda cara integral con un segundo ángulo con respecto a una normal del sustrato , y una cavidad en la estructura entre la primera y segunda cara; el método que comprende las etapas de:
recubrir la primera cara con una primera capa conductora ;
recubrir la segunda cara con una segunda capa conductora ;
en donde la primera capa conductora y la segunda capa conductora comprenden materiales diferentes; y
el método comprende, además, la etapa para depositar en la cavidad un material semiconductor activo…
Aditivo para preparar gamuza en chip de silicio policristalino y método de uso del mismo.
(13/07/2016). Solicitante/s: Changzhou Shichuang Energy Technology Co., Ltd. Inventor/es: ZHANG,YUANYUAN, FU,LIMING.
Un aditivo para preparar gamuza en un chip de silicio policristalino, que comprende: citrato de amonio, polivinilpirrolidona, alcohol polivinílico, ácido cítrico y agua, en el que el porcentaje en masa de cada componente es como sigue: citrato de amonio: 0,2-0,5%, polivinilpirrolidona: 0,1-1%, alcohol polivinílico: 0,1-0,2%, ácido cítrico: 2- 2,5% y agua: el porcentaje restante.
PDF original: ES-2591133_T3.pdf
Dispositivo semiconductor y procedimiento para su fabricación.
(15/07/2015) Procedimiento para fabricar un dispositivo semiconductor que absorbe luz, que contiene las siguientes etapas:
proporcionar un sustrato con una primera cara y una segunda cara que contiene o está compuesto por silicio dopado de tipo p,
Introducir un agente de dopaje en al menos un volumen parcial del sustrato semiconductor adyacente a la primera cara , de modo que entre el volumen parcial y el sustrato semiconductor se forma una primera transición pn con una primera energía de banda prohibida,
Irradiar al menos una superficie parcial de la segunda cara del sustrato semiconductor en presencia de un compuesto que contiene nitrógeno, fósforo, azufre o arsénico con una pluralidad…
Método para la texturización de obleas de silicio, líquido de tratamiento para ello y su uso.
(03/12/2014) Método para el tratamiento de obleas de silicio para la fabricación de células solares, donde sobre la superficie de la oblea de silicio se aplica un líquido de tratamiento para la texturización, donde el líquido de tratamiento presenta un aditivo, caracterizado por el hecho de que el líquido de tratamiento presenta como aditivo etilhexanol o ciclohexanol.
Célula solar y procedimiento para su fabricación.
(19/11/2014) Célula solar que comprende un sustrato de silicio , un lado anterior configurado para el acoplamiento de luz y un lado posterior , caracterizada por que el lado anterior tiene, al menos en una zona parcial, una textura de lado anterior que es periódica a lo largo de una dirección espacial A con una longitud de período superior a 1 μm y el lado posterior tiene, al menos en una zona parcial, una textura de lado posterior que es periódica a lo largo de una dirección espacial B con una longitud de período inferior a 1 μm, estando la dirección espacial A situada con un ángulo entre 80 ° y 100 ° grados con respecto a la dirección espacial B.
Sustrato metálico texturizado cristalográficamente, dispositivo texturizado cristalográficamente, célula y módulo fotovoltaico que comprenden un dispositivo de este tipo, y procedimiento de depósito de capas finas.
(03/09/2014) Sustrato metálico texturizado cristalográficamente que comprende una superficie de conexión y una superficie destinada a recibir un depósito de capa fina, estando dicho sustrato metálico texturizado cristalográficamente constituido por una aleación que presenta un sistema cristalino cúbico de caras centradas y una textura cristalográfica en cubo {100} mayoritaria, comprendiendo la superficie destinada a recibir el depósito de capa fina unos granos que presentan mayoritariamente unos planos cristalográficos {100} paralelos a la superficie destinada a recibir un depósito de capa fina,
caracterizado por…
Dispositivo y procedimiento de texturización mecánica de una oblea de silicio destinada a constituir una célula fotovoltaica.
(19/02/2014) Dispositivo de texturización mecánica de una oblea de silicio , destinada a constituir una célula fotovoltaica, que comprende una pluralidad de puntas de carburo de tungsteno y un soporte que comprende una pluralidad de alojamientos adaptados cada uno para alojar con deslizamiento una punta de carburo de tungsteno y medios para mantener apoyada cada una de la pluralidad de puntas contra la oblea de silicio según una fuerza constante independiente de las variaciones de grosor de dicha oblea.
Electrodo frontal que incluye un recubrimiento conductor transparente pirolítico sobre un sustrato de vidrio texturizado para su uso en un dispositivo fotovoltaico y método de fabricación correspondiente.
(13/08/2013) Un dispositivo fotovoltaico que comprende: un sustrato de vidrio a base de sílice sodocalcico ; una película semiconductora; un electrodo frontal conductor pirolitico sustancialmente transparente que comprende oxido de estano proporcionado entre al menos el sustrato de vidrio y la película semiconductora; y donde una superficie del sustrato de vidrio a base de sílice sodocalcico , sobre la cual se proporciona el electrodo frontal pirolitico que comprende oxido de estano, se texturiza para que tenga una superficie texturizada (1a) con una rugosidad media de superficie de aproximadamente 1 a 500 !m, y caracterizado en que dicha texturizacion se obtiene…
CELDA SOLAR CIS Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE LA MISMA.
(22/03/2013) Un sustrato de aleación formado sobre una aleación de Ni y Mo está formado por electroformado. El sustrato de aleación tiene una composición graduada donde la composición de aleación varía en la dirección del espesor del mismo. Un lado de la superficie inferior está compuesto principalmente por Ni y un lado de la superficie superior está compuesto principalmente por Mo. Una superficie superior del sustrato de aleación está formada con un gran número de desigualdades mínimas y piramidales y tiene una alta propiedad de dispersión de luz. Una capa absorbedora de luz de CIS está formada sobre la superficie superior del sustrato de aleación y está provista de un electrodo superior por encima de la misma.
Método para producir una estructura de emisor y estructuras de emisor que resultan del mismo.
(14/06/2012) Un método para formar una estructura de emisor sobre un sustrato en un dispositivo fotovoltaico, comprendiendo el método:
formar, sobre el sustrato , una primera capa que comprende un material semiconductor;
texturizar una superficie de la primera capa , formando así una primera región de emisor desde la primera capa , teniendo la primera región de emisor una primera superficie texturizada;
formar una segunda región de emisor en la primera superficie texturizada, teniendo la segunda región de emisor una segunda superficie texturizada donde la concentración de dopado de la segunda región de emisor en una…
Procedimiento de fabricación de placas de sicilio policristalino.
(03/04/2012) Procedimiento de fabricación de al menos una placa de silicio policristalino de la cual una de las dos caras tiene un relieve predeterminado, de acuerdo con el cual se deposita una capa de silicio policristalino sobre al menos una de las dos caras de un soporte , siendo el citado soporte una cinta de carbono, caracterizado porque:
- se imprime la citada cara del soporte para darla una forma complementaria del citado relieve,
- se recubre el citado soporte con un revestimiento protector de grafito pirolitico despues de la impresión de su superficie para darle la citada forma complementaria del relieve,
- se deposita la citada capa de silicio policristalino es depositada sobre la citada cara impresa del soporte , adaptandose entonces la superficie (64 o 66) de la citada capa de silicio policristalino…
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
(09/01/2012) Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos una capa activa y una placa de cubierta transparente que contiene, en al menos uno de sus lados o caras, un conjunto geométricamente ordenado de estructuras geométricas ópticas de relieve y que está en contacto óptico con la superficie de recepción de luz de al menos una capa activa del dispositivo fotovoltaico, de tal manera que las estructuras ópticas de relieve comprenden una base y una única cúspide, que están conectadas o unidas por al menos tres superficies de polígono de n lados, siendo n igual o mayor que 4, de tal modo que la cúspide se define como la parte…
HOJA TRANSPARENTE TEXTURIZADA CON MOTIVOS PIRAMIDALES QUE SE PUEDE ASOCIAR A CÉLULAS FOTOVOLTAICAS.
(24/11/2011) Procedimiento de fabricación de una placa transparente de vidrio mineral que comprende al menos dos bordes principales (4, 4') paralelos, y que comprende en relieve en al menos una de sus superficies principales motivos piramidales repetitivos en relieve comprendiendo cada uno un vértice, una base y un conjunto de aristas que unen el vértice a la base, caracterizado por que al menos una arista de cada uno de dichos motivos piramidales es de manera que su proyección en el plano general de la placa es sensiblemente paralela a dichos dos bordes principales (4, 4') paralelos y por que el procedimiento comprende una etapa de laminado, a su temperatura de deformación, de una placa ejemplo de dichos motivos con ayuda de un rodillo que imprime la textura a la placa, siendo el sentido del laminado paralelo a dichos dos bordes principales…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE UN ELECTRODO FRONTAL QUE INCLUYE UN RECUBRIMIENTO CONDUCTOR TRANSPARENTE PIROLÍTICO SOBRE UN SUSTRATO DE VIDRIO TEXTURIZADO PARA SU USO EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
(07/11/2011) Un procedimiento de fabricación de un dispositivo fotovoltaico, comprendiendo el procedimiento: proporcionar un sustrato de vidrio basado en sílice-sosa-cal; texturizar al menos una superficie principal del sustrato de vidrio para formar una superficie texturizada del sustrato de vidrio; después de dicha texturización, formar de forma pirolítica un recubrimiento basado en óxido conductor transparente que comprende óxido de estaño sobre la superficie texturizada del sustrato de vidrio; y usar el recubrimiento basado en óxido conductor transparente formado de forma pirolítica, formado sobre la superficie texturizada del…
USO DE MATERIAL MODIFICADO EN SU TOPOGRAFIA SUPERFICIAL EN DISPOSITIVOS QUE GENEREN UNA CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE LUZ INCIDENTE.
(03/10/2011) Uso de material modificado en su topografía superficial en dispositivos que generen una corriente eléctrica a partir de luz incidente.La presente invención se basa en el hecho observado por los inventores, de que la modificación de la topografía superficial de materiales, mediante la fabricación de una red ordenada de cavidades rellenas de otro material, con diferente índice de refracción, genera bandas fotónicas en la superficie del material, que alteran el índice de refracción del material sobre el que están fabricadas. Esa variación del índice de refracción permite, en función del ángulo de incidencia y la longitud de onda de la luz, favorecer o inhibir la transmisión y reflexión de la luz. En base a esta nueva propiedad observada,…
MÓDULO DE CÉLULAS SOLARES.
(01/06/2011) Módulo de células solares que comprende: un elemento fotovoltaico ; un elemento protector del lado de la superficie receptora de luz dispuesto sobre una superficie receptora de luz del elemento fotovoltaico ; y un elemento protector del lado de la superficie posterior dispuesto sobre una superficie posterior opuesta a la superficie receptora de luz del elemento fotovoltaico ; en el que el elemento fotovoltaico incluye: una primera película conductora transparente que está formada sobre una primera superficie que queda frente al elemento protector del lado de la superficie posterior ; y una segunda película conductora transparente que está formada sobre una segunda superficie que queda frente al elemento protector del lado de la superficie…
(22/03/2011) Aparato fotovoltaico que incluye por lo menos una unidad de generación de energía que tiene una primera capa semiconductora no monocristalina de primer tipo de conductividad que incluye por lo menos una capa, una segunda capa semiconductora no monocristalina substancialmente intrínseca , formada en dicha primera capa semiconductora no monocristalina, que incluye por lo menos una capa y que funciona como capa de conversión fotoeléctrica y una tercera capa semiconductora no monocristalina de segundo tipo de conductividad , formada sobre dicha segunda capa semiconductora no monocristalina, que incluye por lo menos una capa, caracterizado por el hecho de que por lo menos una de…
CÉLULA SOLAR DE SILICIO DE CAPA FINA SOBRE VIDRIO CON UNA CAPA DE TEXTURA DE DIÓXIDO DE SILICIO Y MÉTODO DE FABRICACIÓN.
(31/01/2011) Un método par formar una estructura de retención de la luz en una célula solar de silicio de película fina formada sobre un sustrato de vidrio o superestrato , incluyendo el método las etapas de: a) aplicar una capa de texturación a una superficie del sustrato de vidrio o superestrato , comprendiendo la capa de texturación unas partículas de texturación (34/37) retenidas en una matriz de unión , aplicándose la capa de texturación preparando un vidrio Sol-Gel de SiO2 que contiene partículas de texturación de SiO2 (34/37), aplicando el vidrio Sol-Gel a la superficie del sustrato o superestrato de manera que el espesor de la película de vidrio después de ser aplicada sea inferior a un diámetro promedio de las partículas de texturizado; b) calentar el vidrio Sol-Gel hasta sinterizarlo, mediante lo cual después de la sinterización el…
PROCEDIMIENTO PARA EL GRABADO RUGOSO DE CELDAS SOLARES DE SILICIO.
(26/01/2011) Mezcla de grabado para producir una superficie estructurada sobre superficies de silicio multicristalinas, tricristalinas y monocristalinas de celdas solares o sobre sustratos de silicio, para fines fotovoltaicos, que contiene ácido fluorhídrico, ácido nítrico y ácido sulfúrico
CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE TEXTURADA Y SU PROCEDIMIENTO DE REALIZACION.
(29/07/2010) Capa conductora transparente texturada depositada sobre un sustrato destinado a un dispositivo fotoeléctrico y que presenta una morfología de superficie formada por una alternancia de resaltos y de huecos, caracterizada por que
- sus huecos tienen un fondo redondeado cuyo radio es superior a 25 nm;
- dichos huecos son prácticamente lisos, es decir que, si presentan microasperezas, éstas tienen de media una altura inferior a 5 nm; y
- sus flancos forman con el plano del sustrato un ángulo cuya media del valor absoluto está comprendida entre 30º y 75º