(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD.

Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento: - puesta a disposición de un sustrato semiconductor ; - formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y - generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.

PDF original: ES-2819173_T3.pdf

(15/01/2020). Solicitante/s: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI.

Una célula solar que comprende un sustrato de silicio dopado con galio que tiene una unión p-n formada en el mismo, en el que el sustrato de silicio está provisto de una película de óxido térmico de silicio al menos sobre una primera superficie principal de superficies principales del sustrato de silicio, siendo la primera superficie principal una superficie principal que tiene una región de tipo p, y el sustrato de silicio se dopa adicionalmente con boro, en el que el sustrato de silicio tiene una concentración de boro de 5 × 1014 átomos/cm3 o más y 1 × 1016 átomos/cm3 o menos.

PDF original: ES-2780048_T3.pdf

(11/12/2019). Solicitante/s: National Taiwan University of Science and Technology. Inventor/es: YOUNG,CHIN-HUAI.

Un módulo fotovoltaico , que comprende un panel solar , en que: un elemento aislante reflectante y una placa están dispuestos en un lado del panel solar en secuencia, el elemento aislante reflectante está ubicado entre el panel solar y la placa de manera que el elemento aislante reflectante refleja parte de la luz solar que pasa a través del panel solar , lo que da como resultado que la luz solar reflejada vuelva a pasar a través del panel solar y la placa está hecha de vidrio; un marco que aloja la placa, el elemento aislante reflectante y el panel solar; y un espacio dispuesto entre la placa y el elemento aislante reflectante y otro espacio dispuesto entre el panel solar y el elemento aislante reflectante , que forma dos capas huecas.

PDF original: ES-2774573_T3.pdf

(13/11/2019). Solicitante/s: ASM International N.V. Inventor/es: PIERREUX,DIETER.

Un método de fabricación de una celda solar que tiene una vida útil (Γef). efectiva del portador de carga minoritaria de al menos 500 ms, comprendiendo dicho método: - proporcionar una oblea semiconductora; y - pasivar una superficie posterior de dicha oblea depositando una capa de óxido de metal en dicha superficie mediante ALD secuencial y alternativamente: (i) exponer dicha superficie a un primer precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el primer precursor, y (ii) exponer dicha superficie a un segundo precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el segundo precursor, caracterizada porque al menos uno de los pasos (i) y (ii) se detiene antes de que la cobertura de la superficie alcance un nivel de saturación.

PDF original: ES-2758556_T3.pdf

(28/08/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Inventor/es: BOCK,ROBERT, BOESCKE,TIM, SADLER,PATRICK.

Procedimiento para la fabricación de una célula solar a partir de silicio cristalino, en cuyo sustrato en una primera superficie (3a) está prevista una primera zona de impurificación generada por medio de difusión de boro y en una segunda superficie (3b) está prevista una segunda zona de impurificación impurificada con fósforo, en el que tras la generación de la segunda zona de impurificación impurificada con fósforo y antes de la etapa de la difusión de boro se aplica sobre la segunda superficie una capa de cubierta (9b) que actúa como barrera de la introducción por difusión de boro y como barrera de la separación por difusión de fósforo, que presenta nitruro de silicio con bajo contenido en hidrógeno con un contenido en hidrógeno del 20 % en átomos o inferior.

PDF original: ES-2757526_T3.pdf

(08/05/2019). Solicitante/s: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, MURAKAMI, TAKASHI, MITTA,RYO, WATABE,TAKENORI, TAKAHASHI,MITSUHITO, HASHIGAMI,HIROSHI, TSUKIGATA,SHINTAROU.

Un método para fabricar una célula solar que tiene una superficie receptora de luz, que comprende las etapas de: formar una capa de difusión de tipo n en la superficie de un sustrato de silicio de tipo p en la cara receptora de luz, formar una película antirreflectante/de pasivación sobre el sustrato sobre dicha capa de difusión, estando hecha la película antirreflectante/de pasivación de SiN y formándose esta mediante CVD asistida por plasma, recocer después el sustrato, siendo la etapa de recocido a una temperatura de 500 °C a 850 °C en una atmósfera de H2, N2 o una mezcla de los mismos, y después formar electrodos sobre el sustrato y cocer los electrodos.

PDF original: ES-2732356_T3.pdf

(08/05/2019). Solicitante/s: MacDermid Enthone America LLC. Inventor/es: BERNARDS,ROGER, BELLEMARE,RICHARD.

Un método de revestimiento de cobre sobre un sustrato que comprende: proporcionar un sustrato, en donde el sustrato es una capa semilla metálica sobre una oblea de celda solar de silicio que comprende una parte posterior de aluminio; y poner en contacto el sustrato con una solución de revestimiento de cobre que comprende una fuente de iones cobre y una sal de conductividad de sulfato de litio en donde la solución de revestimiento de cobre tiene un pH entre 1,7 y 3,5 y está libre de iones cloruro y en donde la parte posterior de la oblea de celda solar de silicio no se ve afectada por la solución de revestimiento.

PDF original: ES-2731904_T3.pdf

(23/04/2019). Solicitante/s: LEIBNIZ-INSTITUT FUR NEUE MATERIALIEN GEMEINNUTZIGE GMBH. Inventor/es: DRUMM, ROBERT, DE OLIVEIRA,PETER WILLIAM, SCHMITT,KARL-PETER, JILAVI,MOHAMMAD HOSSEIN, SCHÄFER,BRUNO, BEERMANN,HERBERT, SERWAS,DIETMAR.

Dispositivo para la aplicación de un compuesto de recubrimiento a un sustrato planar que comprende: a) un sustrato planar ; b) un cabezal de recubrimiento que comprende una cavidad abierta hacia arriba y hacia el sustrato para la recepción del compuesto de recubrimiento , pudiéndose desplazar el sustrato y el cabezal de recubrimiento el uno respecto al otro y disponiéndose el cabezal de recubrimiento de manera que el compuesto de recubrimiento de la cavidad humedezca el sustrato y que el compuesto de recubrimiento se aplique al sustrato por medio del movimiento relativo, caracterizado por que la parte del cabezal de recubrimiento con la cavidad se realiza de forma reemplazable y por que un elemento plano forma el fondo de la cavidad.

PDF original: ES-2710210_T3.pdf

(28/09/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, DINGEMANS,GIJS, KESSELS,WILHELMUS MATHIJS MARIE, SEGUIN,ROBERT.

Célula solar con una capa semiconductora y una capa de pasivación dispuesta sobre una superficie de la capa semiconductora para la pasivación de la superficie de la capa semiconductora , donde la capa de pasivación es una pasivación del lado posterior dispuesto en un lado posterior de la célula solar alejado de la luz configurada como capa de reflexión para la luz infrarroja y que comprende una capa parcial de pasivación química y una capa parcial de pasivación por efecto de campo dispuestas la una sobre la otra en la superficie de la capa semiconductora , donde la capa parcial de pasivación química está dispuesta entre la capa semiconductora y la capa parcial de pasivación por efecto de campo sobre la superficie de la capa semiconductora y donde se aplica una capa de recubrimiento de nitruro de silicio sobre la capa de pasivación.

PDF original: ES-2683911_T3.pdf

(29/06/2018). Solicitante/s: TORTOSA GOMEZ, Antonio. Inventor/es: TORTOSA GOMEZ,Antonio.

1. Panel solar fotovoltaico con cámara de vacío, caracterizado por, una cámara de vacío de grosor variable entre la lámina de vidrio exterior y las células solares fotovoltaicas encapsuladas. 2. Panel solar fotovoltaico con cámara de vacío, según la reivindicación 1, caracterizado por, una cámara de vacío entre la lámina de vidrio exterior y la cubierta protectora frontal de las células solares. 3. Panel solar fotovoltaico con cámara de vacío, según la reivindicación 1, caracterizado por, una cámara de vacío entre dos láminas de vidrio exteriores anterior a la cubierta protectora frontal de las células solares.

PDF original: ES-1214961_U.pdf

(07/03/2018). Solicitante/s: IMEC VZW. Inventor/es: POORTMANS,JEF, POSTHUMA,NIELS, FLAMAND,GIOVANNI.

Método para la pasivación y el contacto de una superficie de un sustrato de germanio, que comprende las etapas de; - proporcionar dicho sustrato de germanio con una primera superficie; - producir una capa de pasivación de silicio amorfo hidrogenado intrínseco en dicha primera superficie; - producir una capa de contacto de metal sobre dicha capa de pasivación; - aplicar una etapa de difusión, en donde dicha etapa de difusión se lleva a cabo a una temperatura entre 150 °C y 300 °C y el tiempo de difusión está entre 5 y 60 minutos, de manera que dicha superficie de germanio se pone en contacto con dicha capa de contacto, a través de dicha capa de pasivación.

PDF original: ES-2670168_T3.pdf

(07/02/2018). Solicitante/s: Association Pour La Recherche Et Le Développement De Méthodes Et Processus Industriels "Armines". Inventor/es: THOREL,ALAIN, CURMI,PATRICK, BOUDOU,JEAN-PAUL, JELEZKO,FEDOR.

Celda fotovoltaica que incluye una primera capa que es capaz de generar una tensión eléctrica cuando es iluminada y que es a base de un material cuyo espectro de sensibilidad luminosa es máximo entre 600 nm y 1300 nm, estando caracterizada dicha celda fotovoltaica por que comprende sobre dicha primera capa una segunda capa que comprende diamantes fluorescentes , siendo esta segunda capa una capa en el lado exterior de la celda fotovoltaica de modo que los rayos de luz son capaces de iluminar dichos diamantes fluorescentes , por que dichos diamantes fluorescentes son artificiales con una fluorescencia mayor con respecto a la fluorescencia de un diamante natural, y por que dichos diamantes fluorescentes presentan en su mayoría defectos constituidos por pares {átomo de nitrógeno - vacante}.

PDF original: ES-2668296_T3.pdf

(17/01/2018). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: DUPUY,Delphine, PALM,JÖRG, URIEN,MATHIEU, RUITENBERG,GÉRARD, LEYDER,CHARLES, HEISS,ANDREAS, MAHE,ERWAN.

Substrato conductor para celda fotovoltaica, que comprende un substrato portador y un revestimiento de electrodo formado sobre el substrato portador , en el que el revestimiento de electrodo comprende: - una capa principal a base de molibdeno formada sobre el substrato portador ; - una capa barrera contra la selenización formada sobre la capa principal a base de molibdeno, teniendo la capa barrera contra la selenización un espesor inferior a 50 nm, preferentemente inferior o igual a 30 nm, preferentemente todavía inferior o igual a 20 nm; y - sobre la capa barrera contra la selenización , una capa superior a base de un metal M apto para formar, después de sufuración y/o selenización, una capa de contacto óhmico con un material semiconductor fotoactivo.

PDF original: ES-2661862_T3.pdf

(14/11/2017). Solicitante/s: ABENGOA RESEARCH, S.L. Inventor/es: AHMAD,Shahzada, KAZIM,Samrana, CALIÓ,Laura, SALADO MANZORRO,Manuel.

La presente invención se refiere a composiciones de transporte de huecos que contienen un material orgánico de transporte de carga y una sal que contiene un catión orgánico. Preferiblemente, la composición de transporte de huecos comprende un líquido iónico. El líquido iónico dopa eficazmente el material orgánico de transporte de carga. En una realización particular, el líquido iónico 1-butil-1-metilpiridin-1-io bis(trifluorometilsulfonil)imida (BMP TFSI) se usó como un dopante o aditivo. La invención se refiere además a dispositivos optoelectrónicos y/o electroquímicos que contienen la composición de transporte de huecos, en particular, células solares basadas en perovskita.

PDF original: ES-2641860_A1.pdf

(13/09/2017). Solicitante/s: RENOLIT Belgium N.V. Inventor/es: RUMMENS,FRANÇOIS.

Una lámina de soporte de múltiples capas para un módulo FV, comprendiendo la lámina de soporte una capa reactiva resistente al calor (12c) a base de polímeros con grupos químicos reactivos y con un calor residual de fusión a temperatura de laminación unida mediante coextrusión a una capa de unión a base de PO (12b) de la lámina de soporte y en la que la capa de unión a base de PO (12b) dirigida hacia una capa activa o una capa externa (12a o 13b) entre la capa de unión a base de PO y la capa activa del módulo FV se basa en una mezcla o resina de TPO que tiene un calor residual de fusión a temperatura de laminación de menos de 30 J/g, preferiblemente menos de 5 J/g, lo más preferiblemente está fundida, midiéndose el calor residual de fusión a temperatura de laminación mediante DSC según MTM 15902.

PDF original: ES-2650499_T3.pdf

(13/07/2016). Solicitante/s: ENI S.P.A.. Inventor/es: SPANO\', GUIDO, LAZZARI,CARLA, MARELLA,MARCELLO.

Un procedimiento para la producción de un revestimiento ópticamente selectivo de un sustrato receptor de material adecuado para receptores solares particularmente adecuados para funcionar a altas temperaturas que comprende: - deposición de una capa reflectante de radiación infrarroja que consiste en un metal de alto punto de fusión sobre dicho sustrato receptor caliente; - recocido bajo las mismas condiciones de temperatura y presión que en la deposición de la capa reflectante; - deposición sobre el metal de alto punto de fusión de una o más capas de materiales compuestos de cerámicametal (CERMET), en donde el metal es W y la matriz cerámica es YPSZ ("Zirconia Parcialmente Estabilizada con Itria"); - deposición sobre el cermet de una capa anti-reflexión; - recocido bajo las mismas condiciones de temperatura y presión que en las deposiciones de las capas de cermet y anti-reflexión.

PDF original: ES-2594331_T3.pdf

(11/05/2016). Solicitante/s: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Inventor/es: SUN,WEN-CHING, LIN,TZER-SHEN, YU,SHENG-MIN.

Una estructura de capa de pasivación de un dispositivo semiconductor que se dispone sobre un sustrato semiconductor, que comprende: una estructura de capa de pasivación dispuesta sobre el sustrato semiconductor, caracterizada porque la estructura de la capa de pasivación comprende una capa de óxido de aluminio dopado con halógeno y el sustrato semiconductor es una capa semiconductora de tipo p.

PDF original: ES-2577611_T3.pdf

(26/03/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Inventor/es: GOMEZ PLAZA,DAVID, DELGADO SÁNCHEZ,José María, SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio, ANDRÉS MENÉNDEZ,Luis José, SÁNCHEZ MARTÍNEZ,Diego, MENÉNDEZ ESTRADA,Armando, FERNÁNDEZ SUÁREZ,María Fe, SÁNCHEZ,Pascal.

Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol- gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 1 1 y 19 % en peso; PEG, entre 19 y 31 % en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9 % en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.

(20/11/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS. Inventor/es: AGARWAL,Vivechana, ARIZA FLORES,Augusto David, PEREZ HUERTA,José Samuel, KUMAR,Yogesh.

Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.