Tratamiento superficial de silicio.

Un método de formación de un patrón de conductor sobre un sustrato semiconductor de silicio que tiene una capa anti-reflectante de nitruro de silicio sobre el mismo,

comprendiendo el método las etapas de:

(a) modificar la energía superficial de la capa anti-reflectante por medio de contacto de la capa anti-reflectante con una composición que comprende un tensioactivo que contiene flúor, donde el tensioactivo que contiene flúor está seleccionado entre el grupo que consiste en ácido perfluoroalquil sulfónico y sales del mismo, fosfatos de perfluoroalquilo, aminas de perfluoroalquilo, óxidos de perfluoroalquilo y sulfonatos de perfluoroalquilo;

(b) aplicar una estructura resistente al ataque químico a la capa anti-reflectante tratada formada en la etapa (a) creando de este modo áreas expuestas de la capa anti-reflectante y áreas cubiertas con la estructura resistente de la capa anti-reflectante;

(c) poner en contacto las áreas expuestas de la capa anti-reflectante formada a partir de la etapa (b) con una composición de agente de ataque químico para retirar la capa anti-reflectante de las áreas expuestas, creando de este modo áreas expuestas de sustrato de semiconductor de silicio;

(d) aplicar un revestimiento metálico sobre las áreas expuestas del sustrato de semiconductor de silicio; y

(e) separar la estructura resistente de ataque químico, donde la etapa (e) se lleva a cabo entre las etapas (c) y

(d), o después de la etapa (d).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2010/032658.

Solicitante: MacDermid Acumen, Inc.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 245 FREIGHT STREET WATERBURY, CT 06702 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: LONG,ERNEST, CASTALDI,Steven A, KROL,ANDREW M, LETIZE,ADAM.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/3105 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Postratamiento.
  • H01L21/44 H01L 21/00 […] › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.
  • H01L31/0216 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041  tiene prioridad).
  • H01L31/0224 H01L 31/00 […] › Electrodos.

PDF original: ES-2703791_T3.pdf

 

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