(19/02/2020) Un sistema en paquete que comprende: un portador ; un primer chip encima de dicho portador , en el que dicho primer chip comprende un primer sustrato semiconductor que tiene un grosor de entre 1 y 50 micrómetros, una primera capa metálica (34 o 26) debajo de una superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor , y una primera capa dieléctrica debajo de dicha superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor y encima de dicha primera capa metálica (34 o 26); un segundo chip encima de dicho portador , en el que dicho segundo chip comprende un segundo sustrato semiconductor que tiene una superficie superior (58s) sustancialmente coplanaria con una superficie superior (58s) de dicho primer sustrato semiconductor , en el que dicho segundo chip está separado de dicho primer chip ; un material de relleno…

(23/07/2014) Estructura epitaxial estratificada para dispositivos (1; 1') de PHEMT de enriquecimiento y empobrecimiento, que comprende: * una capa de superred y tampón; * una capa barrera de soporte no dopada formada sobre la capa de superred y tampón y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa de dopado delta de soporte dopada formada sobre la capa barrera de soporte; * una capa separadora de soporte no dopada formada sobre la capa de dopado delta de soporte y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa canal no dopada formada sobre la capa separadora de soporte y compuesta por indio galio arsénido (InGaAs); * una capa separadora no dopada formada sobre la capa canal y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa de dopado delta formada…

(01/09/2004) DISPOSITIVO MONOBLOQUE DE CMOS INTEGRADO, FORMADO EN CARBURO DE SILICIO Y METODO PARA LA FABRICACION DEL MISMO. EL INSTRUMENTO DE CMOS INTEGRADO INCLUYE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO DE UN TIPO DE PRIMERA CONDUCTIVIDAD CON UNA REGION HUNDIDA DE UN TIPO DE SEGUNDA CONDUCTIVIDAD FORMADO EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. UN TRANSISTOR COMPLEMENTARIO MOS DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA REGION HUNDIDA Y UN TRANSITOR MOS COMPLEMENTARIO DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. EL METODO DE FABRICACION DEL CMOS DE CARBURO DE SILICIO INCLUYE LA FORMACION DE UNA REGION HUNDIDA DE UNA CONDUCTIVIDAD OPUESTA EN UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO POR IMPLANTACION DE ION. LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENAJE TAMBIEN ESTAN FORMADOS POR IMPLANTACION SELECTIVA DE ION EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO Y EN LA…

(16/11/1997) SE DESCRIBE UN CIRCUITO TRANSISTORIZADO DE POTENCIA PARA LOGRAR UNA TENSION LIMITADORA, CON: ENTRE LA BASE Y EL EMISOR DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; SPOSICION DE DIODOS ZENER (D) CON UNA TENSION DE PASO PREDETERMINADA, ELEGIDA DE TAL FORMA QUE, PERMANECE EN TODO EL MARGEN DE TEMPERATURA, PARA LA QUE SE HA PREVISTO EL CIRCUITO, CON LA TENSION LIMITADORA, CUYA DISPOSICION DE DIODOS SE ENCUENTRA EN DIRECCION AL BLOQUEO ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; Y ZENER ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; ES DE RESISTENCIA SE HAN DIMENSIONADO DE TAL MODO QUE, LA TENSION COLECTOR-EMISOR…

(16/01/1989) UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR TRANSISTORES BIPOLARES Y CMOS SOBRE UN SUSTRATO DE SILICIO DEL TIPO P-. EL SUSTRATO DE SILICIO TIENE LOS POZOS ENTERRADOS N+ HABITUALES Y REGIONES DE OXIDO DE CAMPO PARA AISLAR LOS DISPOSITIVOS TRANSISTORES INDIVIDUALES. DE ACUERDO CON EL PROCEDIMIENTO, SE CREAN PILAS DE MATERIAL SOBRE LOS ELEMENTOS DE PUERTA DE LOS DISPOSITIVOS CMOS Y SOBRE LOS ELEMENTOS EMISORES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES. LAS PILAS DE MATERIAL SOBRE LOS ELEMENTOS DE PUERTA TIENEN UNA CAPA DE PUERTA DE DIOXIDO DE SILICIO EN CONTACTO CON LA CAPA EPITAXIAL DEL SUSTRATO Y LAS PILAS DE MATERIAL, SOBRE LOS ELEMENTOS EMISORES, TIENEN UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO EN CONTACTO CON LA CAPA EPITAXIAL. SE CREAN PAREDES…