CIP-2021 : H01L 21/285 : a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00 › H01L 21/285[6] › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/285 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO.
(25/01/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA. Inventor/es: HÄBERLE TAPIA,Patricio, ORELLANA GÓMEZ,Christian.
Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: - disponer de dos láminas de cobre dispuestas en forma paralela y separadas con un material cerámico ; - incorporar dichas dos láminas de cobre al interior de una cámara abierta, que está constituido por una cámara cilíndrica de vidrio ; - calentar las dos láminas de cobre mediante un calentador por inducción electromagnética a una temperatura predeterminada; - suministrar una mezcla de caudales de Metano y Argón en la cara superior de dicha cámara cilíndrica de vidrio ; - monitorizar continuamente la temperatura de las dos láminas de cobre ; - calentar a alrededor de los 1000°C a través del calentador de inducción electromagnética durante un tiempo predeterminado; y - enfriar con los mismos caudales de Metano y Argón, hasta la temperatura ambiente.
Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky sobre un sustrato de diamante.
(02/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: EON,DAVID, GHEERAERT,ETIENNE, MURET,PIERRE, PERNOT,JULIEN, TRAORE,ABOULAYE.
Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky, que incluye las etapas siguientes:
a) oxigenar la superficie de una capa semiconductora de diamante monocristalino, de manera que sustituya unas terminaciones superficiales de hidrógeno de la capa semiconductora por unas terminaciones superficiales de oxígeno; y
b) formar, por depósito físico en fase de vapor, una primera capa conductora de óxido de indio-estaño en la superficie de la capa semiconductora.
PDF original: ES-2625384_T3.pdf
Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada.
(24/02/2016) Un conductor de alta frecuencia , que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad,
en el que la relación de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivisión del material de base, perpendicularmente a la dirección de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que están distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad así como conectados entre sí eléctrica y mecánicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparación con una conformación del material de base en la que se había suprimido esta subdivisión
caracterizado por que
por lo…
METODO PARA REDUCIR LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UN SILICIURO DE METAL.
(16/11/1999) ES REDUCIDA LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UNA CAPA DE SILICIURO DE METAL FORMADO CUBRIENDO UNA CAPA DE SILICIO SOBRE UNA LAMINA CRISTALINA SEMICONDUCTORA. PRIMERO, ES DISPUESTO UN METAL REFRACTARIO PROXIMO A LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO, ES DEPOSITADO UN METAL PRECURSOR EN UNA CAPA QUE CUBRE EL METAL REFRACTARIO, Y LA LAMINA CRISTALINA ES CALENTADA A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA FORMAR EL SILICIURO DE METAL DESDE EL METAL PRECURSORIO. EL METAL PRECURSORIO DEBE SER UN METAL REFRACTARIO, Y ES PREFERIBLEMENTE TITANIO, TUNGSTENO, O COBALTO. LA CONCENTRACION DEL METAL REFRACTARIO EN LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO ES PREFERIBLEMENTE MENOR QUE 1017 ATOMOS/CM3. EL METAL REFRACTARIO DEBE SER MO, CO, W, TA, NB, RU, O CR, Y MAS PREFERIBLEMENTE MO, O…
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA CAPA PLANA QUE CONTIENE AL SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURA PERFORADA EN SU SUPERFICIE.
(01/07/1998). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WILLER, JOSEF, LEHMANN, VOLKER, WENDT, HERMANN, DR.
UNA CAPA QUE CONTIENE AL SE SEPARA SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURA PERFORADA EN LA SUPERFICIE EN UN PROCEDIMIENTO APRESURADO, CON LO QUE EL SUBSTRATO MANTENIDO A TEMPERATURA ELEVADA ES SOMETIDO A PROCESO DE REALIZACION EN VACIO. EL PROCEDIMIENTO ES ESPECIALMENTE APROPIADO PARA LA FABRICACION DE CONTACTOS PARA CONDENSADORES, QUE SON REALIZADOS EN UN SUBSTRATO DE SILICIO, CUYA SUPERFICIE SE SOMETE A UN ATAQUE ELECTROQUIMICO ANODICO EN UN ELECTROLITO ACIDO QUE CONTIENE FLUOR DONDE LA SUPERFICIE ES AGRANDADA Y DONDE SOBRE ESTA SUPERFICIE AGRANDADA SE HA APLICADO UNA CAPA DIELECTRICA Y UNA CAPA DOTADA DE POLISILICIO COMO CONTRAELECTRODO.
PROCESO DE PULVERIZACION PARA FORMAR UNA CAPA DE ALUMINIO SOBRE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA ESCALONADA.
(01/05/1997) ES UN PROCESO DE PULVERIZACION DE ALUMINIO ESCALONADO, EL ALUMINIO SE PULVERIZA SOBRE LA SUPERFICIE DE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA Y CAPAS BAJAS ENTRE LAS PARTES LEVANTADAS DE POCO PASO DE LA PLAQUITA , DE MODO QUE LOS ESCALONES SEPARADOS DE POCO PASO, ZANJAS ESTRECHAS, O VIAS DE PEQUEÑO DIAMETRO, QUEDAN COMPLETAMENTE RELLENADAS CON EL ALUMINIO PULVERIZADO . ESTO DA COMO RESULTADO EL QUE SE FORME UNA CAPA DE ALUMINIO QUE NO PUEDA MAS FINA EN TALES ZONAS MAS BAJAS, Y QUE TIENE UNA SUPERFICIE QUE VARIA ENTRE UNA PENDIENTE PLANA Y UNA PENDIENTE POSITIVA TAL Y COMO SE MUESTRA EN (24') Y (26') EN LA FIGURA 2. EL PRIMER PASO SE LLEVA A CABO PULVERIZANDO DE UNOS 20 A UNOS 200 NM (DE UNOS 200 A UNOS 2000 ANGSTROMS) DE ALUMINIO MIENTRAS QUE LA TEMPERATURA DE LA PLAQUITA…
PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO EN UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.
(16/10/1996) SE REVELA UN PROCESO MEJORADO PARA FORMAR UNA CAPA CONDUCTORA DE SILICIURO DE TITANIO EN UN DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR UTILIZANDO UN UNICO PASO DE RECOCCION QUE INCLUYE LAS ETAPAS DE FORMAR UNA CAPA DE TITANIO SOBRE EL DISCO EN UNA CAMARA DE DEPOSICION AL VACIO EN LA AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO; TRANSFERIR EL DISCO REVESTIDO DE TITANIO A UNA CAMARA DE RECOCCION SELLADA SIN EXPONER SUSTANCIALMENTE LA CAPA DE TITANIO FORMADA A LOS GASES PORTADORES DE OXIGENO; Y LUEGO RECOCER EL DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR REVESTIDO DE TITANIO EN UNA ATMOSFERA PORTADORA DE NITROGENO EN LA CAMARA DE RECOCCION SELLADA A UNA PRIMERA TEMPERATURA ENTRE 500 C Y 695 C APROXIMADAMENTE, CON AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO, PARA…
PROCESO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA UTILIZANDO UNA DEPOSICION SELECTIVA MEDIANTE HIDRURO DE ALUMINIO ALQUIL.
(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: MIKOSHIBA, NOBUO, TSUBOUCHI, KAZUO, MASU, KAZUYA.
AL OFRECER UN METODO DE FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA EN LA QUE EL ALUMINIO O EL METAL COMPUESTO DE PRINCIPALMENTE ALUMINIO DE BUENA CALIDAD SE DEPOSITA SELECTIVAMENTE DE ACUERDO CON EL METODO CVD QUE UTILIZA UN HYDRIDE DE ALUMINIO ALQUIL E HIDROGENO, Y LUEGO ALUMINIO PURO O UN METAL COMPUESTO DE EL ES DEPOSITADO NO SELECTIVAMENTE LO QUE HACE POSIBLE FORMAR UNA PELICULA ELECTROCONDUCTORA DE BUENA CALIDAD DENTRO DE PEQUEÑAS ABERTURAS EN UNA CAPA AISLANTE.
PROCESO PARA CREAR PELICULAS DEPOSITADAS USANDO DE HIDRURO DE ALQUIL ALUMINIO.
(16/03/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: MIKOSHIBA, NOBUO, TSUBOUCHI, KAZUO, MASU, KAZUYA.
UN PROCESO PARA CREAR UNA PELICULA DE AL DE BUENA CALIDAD SEGUN EL METODO CVD QUE UTILIZA LA REACCION ENTRE HIDRURO DE ALUMINIO DE ALQUILO E HIDROGENO, QUE ES UN EXCELENTE PROCESO DE FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA TAMBIEN CAPAZ DE UNA DEPOSICION SELECTIVA DE AL.
PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULAS METALICAS DEPOSITADAS QUE CONTENGAN ALUMINIO COMO COMPONENTE PRINCIPAL MEDIANTE EL USO DE UN HIDRURO DE ALQUIL ALUMINIO.
(16/01/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: MIKOSHIBA, NOBUO, TSUBOUCHI, KAZUO, MASU, KAZUYA.
PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DE AL QUE CONTENGA SI DE GRAN CALIDAD SEGUN EL METODO CVD QUE UTILIZA UN HIBRIDO DE ALUMINIO DE ALQUILO Y UN GAS QUE CONTENGA SILICIO E HIDROGENO. SE TRATA DE UN EXCELENTE PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULAS CON DEPOSITOS QUE TAMBIEN ADMITE LA DEPOSICION SELECTIVA DEL AL QUE CONTENGA SI.
METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO O SILICIO EN UN PROCESO CVD NO AUTO LIMITADO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FABRICADO CON EL.
(01/11/1994). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: JOSHI, RAJIV V.
UN METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO SOBRE UN SUBSTRATO UTILIZANDO REDUCCION DE SILICIO, EN DONDE EL PROCESO NO ES LIMITATIVO CON RELACION AL ESPESOR DEL SILICIO QUE PUEDE SER CAMBIADO POR EL TUNGSTENO. SE PROVEE UN SUBSTRATO DE SILICIO CON AL MENOS UN AREA DE SILICIO TENIENDO ESPESOR PREDETERMINADO Y SE EXPONE EL SUBSTRATO A UN FLUJO DE GAS DE HEXAFLUORURO DE TUNGSTENO EN UN ENTORNO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR. AJUSTANDO EL NIVEL DE FLUJO DE GAS WF6 Y LOS PARAMETROS DEL PROCESO CVD, TALES COMO PRESION, TEMPERATURA Y TIEMPO DE DEPOSICION, EL ESPESOR DEL SILICIO CAMBIADO POR EL TUNGSTENO SE PUEDE AJUSTAR DE ACUERDO PARA CAMBIAR TODO EL ESPESOR. UNA NUEVA ESTRUCTURA TENIENDO UN PUENTE DE TUNGSTENO SEMIENDIDO Y TAMBIEN SE DESCUBREN FUENTE DE TUNGSTENO Y CAPAS DE DRENAJE METALIZADAS.
FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.
(01/06/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, LU, CHIH-YUAN, YANEY, DAVID STANLEY.
SE FORMA UNA COMPUERTA QUE TIENE UNA PARTE SUPERIOR AISLANTE Y ESPACIADORES LATERALES . UNA CAPA DE VENTANA CONDUCTORA SE DEPOSITA PARA EFECTUAR CONTACTO CON LAS REGIONES DE FUENTE Y DRENAJE . LA CAPA DE VENTANA PUEDE SUPERPONERSE A LA COMPUERTA Y/U OXIDO DEL CAMPO . UNA CAPA AISLANTE SE DEPOSITA A CONTINUACION Y SE FORMAN VENTANAS POR ENCIMA DE LAS PARTES EXPUESTAS DE LAS REGIONES DE FUENTE Y DRENAJE DE LA CAPA DE VENTANA. A TRAVES DE LAS VENTANAS SE CREAN CONTACTOS A LA CAPA DE VENTANA. ESTA PUEDE EMPLEARSE PARA FORMAR GUIAS CONDUCTORAS QUE UNEN UNA REGION FUENTE/DRENAJE CON OTRA, EN CUYO CASO NO TODAS ELLAS NECESITAN CONTACTO SEPARADO.
METODO PARA DEPOSICION QUIMICA EB FASE VAPOR DE COBRE, PLATA Y ORO USANDO UN COMPLEJO DE METAL CICLOPENTADIENILO.
(16/10/1992). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: BEACH, DAVID BRUCE, JASINSKI, JOSEPH MARTIN.
SE DESCRIBEN PROCESOS MEJORADOS PARA LA DEPOSICION DE CU Y DE METALES DEL GRUPO IB TALES COMO AG Y AU. ESTOS PROCESOS INCLUYEN DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR TERMICA, DEPOSICIONES FOROTERMICAS Y DEPOSICIONES FOTOQUIMICAS. EL PRECURSOR GASEOSO, QUE CONDUCE A UNA DEPOSICION DE PELICULAS DE ALTA CALIDAD A BAJA TEMPERATURA, INCLUYE UN ANILLO CICLOPENTADIENILO, UN LIGANDO DADOR DE DOS ELECTRONES Y EL METAL DEL GRUPO IB EN UN ESTADO DE OXIDACION +1. EL ANILLO CICLOPENTADIENILO PUEDE ESTAR SUSTITUIDO POR GRUPOS ALQUILO, HALURO YSEUDOHALURO. EL LIGANDO DADOR DE DOS ELECTRONES PUDEN SER FOSFINAS, AMINAS O ARSINAS TRIVALENTES. UN PRECURSOR REPRESENTATIVO PARA LA DEPOSICION DE COBRE ES EL COMPLEJO TRIETILFOSFINA CICLOPENTADIENIL-COBRE (I).
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITO DE SILICIURO DE METAL REFRACTARIO PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS.
(01/03/1992). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: HIRASE, IKUO, RUFIN, DENIS, SUMIYA, TOORU, MATSUURA, MASAMICHI, SCHACK, MICHAEL, UKISHIMA, SADAYUKI.
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITO DE SILICIURO DE METAL REFRACTARIO POR LA TECNICA DE DEPOSITO QUIMICO EN FASE VAPOR A PARTIR DE PRECURSOR DE METAL Y DEL PRECURSOR DE SILICIO PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS, CARACTERIZADO PORQUE EL PRECURSOR DEL METAL REFRACTARIO ESTA MEZCLADO EN FORMA GASEOSA DE SUBFLUORUROS DE SILICIO JUSTO ANTES DEL DEPOSITO.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN CONTACTO ELECTRICO A UNA REGION SUBYACENTE EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(01/03/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO ELECTRICO A UNA REGION SUBYACENTE EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE: A) DEPOSITAR UN MATERIAL DE ALISADO SOBRE LA REGION ADYACENTE Y LA PARED LATERAL DE LA ABERTURA DE MATERIAL DIELECTRICO; B) SEPARAR ANISOTROPICAMENTE EL MATERIAL DE ALISADO DE UNA PORCION DE LA REGION, MANTENIENDO UNA PORCION DE LA MISMA EN CONTACTO CON LA PARED LATERAL DE LA ABERTURA;Y C) DEPOSITAR MATERIAL CONDUCTOR SOBRE LA REGION Y LA PORCION RESTANTE. EL MATERIAL DE ALISADO SE ELIGE ENTRE DIOXIDO DE SILICIO Y NITRURO DE SILICIO, ES CONDUCTOR O DIELECTRICO Y SE DEPOSITA EN UN 4% DEL ESPESOR DEL DIELECTRICO Y EL MATERIAL DIELECTRICO ES UN POLISILICIO. SE UTILIZA EN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.
PERFECCIONAMIENTOS EN CELULAS FOTOVOLTAICAS.
(03/04/1984). Solicitante/s: SOLAREX CORPORATION.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CONTACTOS ELECTRICOS EN CELULAS FOTOVOLTAICAS.LA CELULA FOTOVOLTAICA TIENE UNA SUPERFICIE FRONTAL QUE RECIBE Y ABSORBE LA LUZ QUE INCIDE SOBRE ELLA, Y UNA SUPERFICIE POSTERIOR OPUESTA A ELLA. DISPONE DE UN CONTACTO ELECTRICO QUE CUBRE AL MENOS UNA PARTE DE UNA O AMBAS SUPERFICIES, Y FORMADO POR UNA CAPA DE ALUMINIO Y DE AL MENOS UN 10 DE METAL BLANDO SOLDABLE.
PROCEDIMIENTO PARA APLICAR UN CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR A LA SUPERFICIE DE UNA CELULA FOTOVOLTAICA.
(01/08/1983). Solicitante/s: SOLAREX CORPORATION.
PROCEDIMIENTO PARA APLICAR UN CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR A LA SUPERFICIE DE UNA CELULA FOTOVOLTAICA. SE FORMA UNA MEZCLA DE ALUMINIO Y UN METAL BLANDO SOLDABLE, TAL COMO ZINC, A UNA TEMPERATURA SUPERIOR A LA TEMPERATURA DE ALEACION DE DICHA MEZCLA Y SILICIO, CONSTITUYENDO EL METAL BLANDO AL MENOS EL 10% APROXIMADAMENTE DE LA MEZCLA. SE PULVERIZA LA MEZCLA HACIA DICHA SUPERFICIE A UNA DISTANCIA TAL QUE LA MEZCLA ENTRE EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE A UNA TEMPERATURA A LA CUAL SE ALEA CON EL SILICIO Y SE ADHIERE ASI A LA SUPERFICIE.
DISPOSITIVO SCHOTTKY Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(16/07/1980). Solicitante/s: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION.
Dispositivo "Schottky" y procedimiento para su fabricación que comprende un substrato semiconductor monocristal, caracterizado porque un primer metal difundido sobre una porción de superficie de dicho substrato forma una aleación intermétalica de dicho metal y dicho semiconductor; y un segundo metal en contacto de superficie a superficie con dicho primer metal; este segundo metal tiene una alta función de trabajo. El primer metal se selecciona del grupo que comprende paladio y platino.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/01/1980) Procedimiento para la producción de un dispositivo semi-conductor con un contacto a una porción semiconductora que tiene un espesor de al menos una micra y que incluye al menos 95 moles % de semiconductor compuesto del grupo III-V de tipo n, siendo el procedimiento especialmente adecuado para proporcionar un contacto a compuestos semiconductores de los cuales al menos 10 moles% de constituyentes del grupo III es aluminio y comprendiendo el procedimiento las etapas de depositar una capa de contacto de metal sobre la superficie de la porción semiconductora y trata térmicamente el subconjunto resultante en una atmósfera no oxidante, caracterizado porque dicha deposición de la capa de contacto comprende una deposición de capas sucesivas de oro, estaño y oro, teniendo lugar la deposición de, al menos, la…
UN METODO DE FABRICAR UN SISTEMA MEJORADO DE TIRAS CONDUCTORAS DE METALURGIA DE ALUMINIO SOBRE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE SILICIO MONOCRISTALINO.
(01/04/1976). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
