METODO PARA REDUCIR LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UN SILICIURO DE METAL.

ES REDUCIDA LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UNA CAPA DE SILICIURO DE METAL FORMADO CUBRIENDO UNA CAPA DE SILICIO SOBRE UNA LAMINA CRISTALINA SEMICONDUCTORA.

PRIMERO, ES DISPUESTO UN METAL REFRACTARIO PROXIMO A LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO, ES DEPOSITADO UN METAL PRECURSOR EN UNA CAPA QUE CUBRE EL METAL REFRACTARIO, Y LA LAMINA CRISTALINA ES CALENTADA A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA FORMAR EL SILICIURO DE METAL DESDE EL METAL PRECURSORIO. EL METAL PRECURSORIO DEBE SER UN METAL REFRACTARIO, Y ES PREFERIBLEMENTE TITANIO, TUNGSTENO, O COBALTO. LA CONCENTRACION DEL METAL REFRACTARIO EN LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO ES PREFERIBLEMENTE MENOR QUE 1017 ATOMOS/CM3. EL METAL REFRACTARIO DEBE SER MO, CO, W, TA, NB, RU, O CR, Y MAS PREFERIBLEMENTE MO, O CO. EL PASO DE CALENTAMIENTO USADO PARA FORMAR EL SILICIURO SE REALIZA A UNA TEMPERATURA MENOS QUE 700 C, Y MAS PREFERIBLEMENTE ENTRE 600-700 C. OPCIONALMENTE, LA LAMINA CRISTALINA ES RECOCIDA SIGUIENDO EL PASO DE DEPOSITAR EL METAL REFRACTARIO Y ANTERIOR AL PASO DE DEPOSITAR LA CAPA DE METAL PRECURSORIO. PREFERIBLEMENTE, ESTE PASO DE RECOCIDO ES REALIZADO A UNA TEMPERATURA DE LA LAMINA CRISTALINA DE AL MENOS 900 C.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: OLD ORCHARD ROAD,ARMONK, N.Y. 10504.

Inventor/es: CABRAL, CYRIL, JR., CLEVENGER, LAWRENCE ALFRED, D\'HEURLE, FRANCOIS MAX, HARPER, JAMES MCKELL EDWIN, MANN, RANDY WILLIAM, MILES, GLEN LESTER, RAKOWSKI, DONALD WALTER DOUGLAS.

Fecha de Publicación: 16 de Noviembre de 1999.

Fecha Concesión Europea: 11 de Agosto de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

C30B1/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B1/02 C30B […] › C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00). › por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad).
H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

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