PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Procedimiento para la producción de un dispositivo semi-conductor con un contacto a una porción semiconductora que tiene un espesor de al menos una micra y que incluye al menos 95 moles % de semiconductor compuesto del grupo III-V de tipo n,

siendo el procedimiento especialmente adecuado para proporcionar un contacto a compuestos semiconductores de los cuales al menos 10 moles% de constituyentes del grupo III es aluminio y comprendiendo el procedimiento las etapas de depositar una capa de contacto de metal sobre la superficie de la porción semiconductora y trata térmicamente el subconjunto resultante en una atmósfera no oxidante, caracterizado porque dicha deposición de la capa de contacto comprende una deposición de capas sucesivas de oro, estaño y oro, teniendo lugar la deposición de, al menos, la primera de dichas capas de oro y de la capa de estaño mientras la porción semiconductora se encuentra a una temperatura inferior a 200ºC y porque la etapa de tratamiento térmico se efectúa durante un tiempo de residencia de al menos medio minuto a una temperatura de 350 a 500ºC.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 222 BROADWAY, NEW YORK, N.Y. 10038.

Fecha de Solicitud: 24 de Mayo de 1979.

Fecha de Publicación: 1 de Enero de 1980.

Fecha de Concesión: 1 de Enero de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

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