(28/02/2019) Un procedimiento de lectura de un aparato de memoria resistiva, que comprende: aplicar un impulso de lectura (VR) dos veces a una célula de memoria resistiva para obtener secuencialmente una primera resistencia (R1) de lectura y una segunda resistencia (R2) de lectura de la célula de memoria resistiva a diferentes temperaturas (T1, T2); determinar un estado (HRS, LRS) resistivo de la segunda resistencia (R2) de lectura de acuerdo con los valores de las resistencias (R1, R2) de lectura y los grados de las temperaturas (T1, T2) correspondientes a las resistencias (R1, R2) de lectura; y determinar un nivel lógico de datos almacenados de la célula de memoria resistiva de acuerdo con el estado resistivo (HRS, LRS) de la segunda resistencia (R2) de lectura, caracterizado…

(09/01/2019) Un sistema, que comprende: una primera matriz de memoria no volátil resistiva ; una segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores ; y un controlador de memoria configurado para: leer bits de datos almacenados en la primera matriz de memoria no volátil resistiva ; escribir los bits de datos leídos de la primera matriz de memoria no volátil resistiva y un bit indicador en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores , indicando el bit indicador si bits de datos almacenados en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores son válidos; determinar si el bit indicador es válido en respuesta a un encendido del sistema después de un evento de alta temperatura,…