CIP-2021 : H01L 21/311 : Grabado de las capas aislantes.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/311 · · · · · · · Grabado de las capas aislantes.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Ataque con vapor de dióxido de silicio con selectividad mejorada.
(20/11/2019). Solicitante/s: Memsstar Limited. Inventor/es: O\'HARA,Anthony.
Un método de ataque selectivo de dióxido de silicio (SiO2) frente al nitruro de silicio (Si3N4) en una cámara de proceso para producir una o más microestructuras , comprendiendo el método:
proporcionar a la cámara de proceso un vapor de ataque que comprende fluoruro de hidrógeno (HF); y
caracterizado por que
la temperatura operativa de ataque se establece por debajo de 20 °C.
PDF original: ES-2767108_T3.pdf
Aparato y método para el procesamiento de texturizado.
(13/11/2019) Aparato para el procesamiento de texturizado que comprende:
- una fuente de gas de entrada ;
- una fuente de energía adecuada para excitar el gas de entrada y para generar un plasma en una región de plasma; y
- un portamuestras configurado para recibir una muestra sólida , y dispuesto de tal modo que, en uso, esté puesto a tierra;
en el que el aparato comprende:
- una máscara dispuesta entre la región de plasma y el portamuestras , teniendo la máscara una primera cara orientada hacia la región de plasma y una segunda cara orientada hacia una superficie de la muestra sólida que se va a procesar, comprendiendo, en uso, la máscara al menos una abertura de máscara que se extiende a través de la máscara…
Pastas de grabado que contienen partículas para superficies y capas de silicio.
(26/11/2014) Procedimiento para el grabado de superficies y capas de silicio, o de superficies vítreas que consisten en un derivado de silicio, caracterizado por que una pasta alcalina que puede imprimirse y dispensarse que contiene
a) al menos un componente de grabado básico,
b) al menos un disolvente
c) partículas orgánicas muy finas con un punto de fusión bajo y dado el caso, partículas inorgánicas,
d) dado el caso, agentes espesantes, y
e) dado el caso, aditivos como antiespumantes, agentes tixotrópicos, agentes de control del flujo, desaireadores, promotores de adhesión,
se aplica selectivamente sobre la superficie, caracterizado por que durante el tiempo de aplicación la pasta de grabado se calienta a una temperatura superior…
METODO DE NANOESTRUCTURACION DE LAMINAS ULTRA-FINAS DE UN OXIDO DIELECTRICO DE ALTA PERMITIVIDAD.
(07/02/2013) Método de nanoestructuración de láminas de un óxido dieléctrico de alta permitividad -high- {ka} - caracterizado porque comprende realizar una nanolitografía por interferometría láser en la configuración "Lloyd's mirror" y posterior tratamiento mediante un ataque con iones reactivos, siguiendo las siguientes etapas:
a) depósito de una capa antirreflectante sobre una lámina sustrato de partida, preferentemente HfO2 sobre obleas de GaAs,
b) depósito de una capa de SiO2,
c) depósito de una fotorresina sobre el producto de la etapa b),
d) grabado de los motivos en la fotorresina mediante nanolitografía por interferometría láser en la configuración "Lloyd's mirror" (LInL),
e) transferencia de los motivos…
Estructuración superficial de capas delgadas por proyección localizada de líquido no miscible.
(16/05/2012) Procedimiento para la realización de topologías en la superficie de una capa delgada orgánica que se presenta de forma líquida o gelificada reposando sobre un sustrato , comprendiendo una etapa de proyección localizada, por lo menos, de un material líquido no miscible con el material que constituye la capa delgada .
Sustancias de grabado y dopado combinadas.
(24/04/2012) Procedimiento para el grabado de capas de pasivación y antirreflectantes de nitruro de silicio sobre una célula solar de silicio, caracterizado porque una sustancia de grabado en forma de pasta imprimible contiene un ácido fosfórico o sus sales se aplica en una etapa de procedimiento en toda la superficie o selectivamente sobre las zonas de la superficie a grabar y se calienta a una temperatura en el intervalo de 250 a 350 º C durante 30 a 120 segundos.
COMPOSICION Y METODO PARA GRABAR AL ACIDO SELECTIVAMENTE UNA PELICULA DE NITRURO DE SILICIO.
(01/07/2004). Solicitante/s: ASHLAND INC.. Inventor/es: HACKETT, THOMAS B., HATCHER, ZACH, III.
La invención se refiere a una composición de baño de grabado de ácido fosfórico acuoso con una composición que contiene silicio rápidamente soluble. Los baños se usan en el paso de grabado de la fabricación de un dispositivo semiconductor compuesto.
METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SEMICONDUCTORES.
(16/09/1997). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: BOUAYAD-AMINE, JAMAL, KUEBART, WOLFGANG, SCHERB, JOACHIM.
EN UN METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE CAMPOS DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION EN III-V EN SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES SE LLEVA A CABO MEDIANTE UN TRATAMIENTO PRELIMINAR DE LA SUPERFICIE EN PLAMA-SUSTANCIA DE CARBONO-HALOGENOS ANTES DE LA COLOCACION DE LAS CAPAS DE PASIVACION Y AISLAMIENTO. LOS ELEMENTOS GENERADOS TIENEN UN MEJOR VALOR ELECTRICO QUE LOS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SIN EL TRATAMIENTO PRELIMINAR, CONCRETAMENTE PRESENTAN UNA CORRIENTE DE BLOQUEO MENOR (CORRIENTE OSCURA).
METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO.
(01/10/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU.
SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION QUE CONSISTE EN DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE FUSION BAJA TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES EL GRABADO EN SECO DE LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO, Y CURA SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y DE GRABADO SE REALIZAN SIN QUITAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.
METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA INTEGRADA.
(01/10/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU.
SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICO DE BAJA FUSION QUE COMPRENDE DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES GRABAR EN SECO LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO Y TRATAMIENTO SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y EL PASO DE GRABADO SE REALIZAN SIN SACAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.
PROCEDIMIENTO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR PLANARIZADO MULTIETAPA.
(16/07/1996) ES DESCUBIERTO UN PROCESO DE PLANARIZACION MEJORADO QUE COMPRENDE DEPOSITAR SOBRE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO MODELADO EN UN CIERRE SEMICONDUCTOR , UNA CAPA DE AISLANTE CONFORMAL POR DEPOSICION DE PLASMA ECR DE UNA MATERIA AISLANTE. LA DEPOSICION DE PLASMA ECR ES REALIZADA HASTA LAS ZANJAS O LAS REGIONES BAJAS ENTRE LAS PARTES ELEVADAS ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA SON COMPLETAMENTE RELLENADOS CON MATERIAL AISLANTE. UNA CAPA DE PLANARIZACION DE UN MATERIAL CRISTALINO DE FUSION BAJA, TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO, ES ENTONCES FORMADO SOBRE LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO A UNA PROFUNDIDAD O GROSOR SUFICIENTE PARA CUBRIR LAS PARTES MAS ALTAS DE LA CAPA AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. ESTA CAPA DE PLANARIZACION ES ENTONCES ANISOTROPICAMENTE GRABADO AL AGUAFUERTE SUFICIENTEMENTE PARA PROVEER UNA SUPERFICIE PLANARIZADA EN LA CAPA…