CIP-2021 : H01L 31/0224 : Electrodos.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0224 · · Electrodos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
(18/06/2013) Célula solar que comprende una capa semiconductora con un primer dopado, una capa inductora dispuesta sobre la capa semiconductora y una capa de inversión o capa de acumulación ,inducida por la capa inductora en la capa semiconductora , por debajo de la capa inductora ,estando hecha la capa inductora esencialmente por completo con un material con una densidad decarga superficial de al menos 1012 cm-2, preferentemente de al menos 5·1012 cm-2, de forma especialmentepreferente de al menos 1013 cm-2, caracterizada porque la capa inductora está dispuesta directamentesobra la capa semiconductora .
Procedimiento para el recubrimiento de células solares y dispositivo para ello.
(03/06/2013) Procedimiento para el recubrimiento de una superficie de una célula solar con un metal,especialmente para la producción de estructuras de electrodos, donde la célula solar se sumerge en un bañode recubrimiento que contiene el metal y se irradia luz esencialmente sobre toda la superficie arecubrir, dicha luz es irradiada por varias fuentes de luz en el baño de recubrimiento para elrecubrimiento de la superficie inducido por la luz o asistido por la luz en el baño de recubrimiento, donde lasfuentes de luz emiten luz esencialmente en un rango de longitud de onda de luz que se ajusta a un rangode longitud de onda de transmisión del baño de recubrimiento para la minimización de la absorción de luzmediante el baño de recubrimiento, caracterizado por el hecho de que las fuentes de luz …
Célula solar de película delgada y procedimiento para su fabricación.
(08/05/2013) Una célula solar de película delgada con una cara frontal en la que entra la luz y una cara trasera que tiene
- un sustrato de calidad no solar que tiene al menos un agujero pasante que conecta la cara frontalcon la cara trasera;
- al menos una capa de base depositadaactiva de manera fotovoltaica y al menos una capa (1') deemisor formadas al menos en regiones de la cara frontal y enrolladas a través de dicho agujero pasantedesde la cara frontal hasta la cara trasera que proporciona un contacto de emisor de enrollamientopasante (EWT); y
- al menos una región de contacto de emisor y al menos una región de contacto de base en la caratrasera aisladas entre sí.
Electrodo frontal con capa de película delgada de metal y capa de tampón de alta función de trabajo para uso en dispositivo fotovoltaico y procedimiento de fabricar el mismo.
(22/02/2013) Un dispositivo fotovoltaico que comprende:
un sustrato de vidrio frontal ,
una película semiconductora activa ,
una estructura de electrodo frontal eléctricamente conductor y sustancialmente transparente ubicado entre al menos el sustrato de vidrio frontal y la película de semiconductor , en el que la estructura de electrodo frontal comprende una película de metal sustancialmente transparente , y
una película de tampón de alta función de trabajo , en el que la película de tampón de alta función de trabajo tiene una función de trabajo que es mayor que una función de trabajo de la película metálica , y en el que la película de tampón de alta función de trabajo se encuentra…
ELECTRODO TRANSPARENTE BASADO EN LA COMBINACIÓN DE ÓXIDOS, METALES Y ÓXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTES.
(13/08/2012) La invención se refiere a un electrodo que comprende un óxido conductor transparente (TCO) y una película de metal ultrafina (UTMF) depositada sobre el TCO. Además, la UTMF se oxida o se cubre mediante una capa de óxido. De este modo, el TCO subyacente está protegido/es compatible con otros materiales y se reduce la pérdida de transparencia.
Composición de electrodo de plata de película gruesa de polímero para uso en células fotovoltaicas de película fina.
(11/06/2012) Una composición que comprende:
(a) una composición conductora que comprende virutas de plata, en la que las virutas de plata son el 76,0-92,0 por ciento en peso de la composición total; dispersada en
(b) medio orgánico que comprende (i) resina fenoxi, en la que la resina f 5 enoxi es el 2,0 a 6,5 por ciento en peso de la composición total, disuelta en (ii) un disolvente orgánico.
Método para producir una célula solar así como célula solar producida mediante este método.
(16/05/2012) Método para la producción de una célula solar con una capa de BSF, en el que sobre el lado trasero de un sustrato de células solares , especialmente de un sustrato de silicio, se aplica una capa de BSF a través de la aplicación de aluminio sobre el sustrato y aleación siguiente 5 en el sustrato , en el que la capa de BSF es transparente a la luz caracterizado por el hecho de que después de la aleación en el sustrato se retira exclusivamente aluminio no aleado en el sustrato.
Procedimiento para el tratamiento de células solares con contactos de cavidad escritos a láser.
(02/05/2012) Procedimiento para el tratamiento de células solares , que muestran sobre un lado superior una capa activa con una capa antirreflejo encima, con las etapas:
- producir varias cavidades en la capa antirreflejo mediante láser (20a), que llegan hasta la capa activa dedebajo,
- introducir material de contacto sólo en las cavidades o sobre el fondo de las cavidades ,
- caldeamiento (20b) o calentamiento del material de contacto en las cavidades para la unión con el material de la capa activa colindante ,
con lo cual el calentamiento o caldeamiento del material de contacto tiene lugar localmente sólo en el material decontacto en las cavidades por radiación sólo del material de contacto con un láser (20b).
(11/04/2012) Célula fotovoltaica que comprende:
un semiconductor a base de cristal de un tipo de conductividad;
una primera película semiconductora a base de amorfos sustancialmente intrínseca;
una segunda película semiconductora a base de amorfos de un tipo n;
una tercera película semiconductora a base de amorfos sustancialmente intrínseca;
una cuarta película semiconductora a base de amorfos de un tipo p;
una primera capa de electrodo transparente, y
una segunda capa de electrodo,
estando provista dicha primera película semiconductora a base de amorfos, dicha segunda película semiconductoraa base de amorfos, y dicha primera capa de electrodo en este orden sobre una primera superficie de dichosemiconductor a base de cristal,
estando provista dicha tercera película…
Método para producir una celda solar monocristalina.
(21/03/2012) Método para la producción de una celda solar monocristalina con un lado posterior pasivado y una estructura de contacto de lado posterior, el cual comprende los siguientes pasos:
- aplicación por toda el área de una capa dieléctrica pasivante en el lado posterior de la celda;
- remoción local de la capa pasivante en la zona del barraje y de los sitios de contacto locales ;
- recubrimiento homogéneo del lado posterior de la celda para formar una capa metálica delgada, no estructurada , la cual toca la superficie del material sustrato en las zonas libres de capa de pasivación ;
caracterizado porque
están previstos además los siguientes pasos:
- generan una capa gruesa de una pasta conductora en la zona del barraje y los sitios de contacto…
(13/03/2012) Módulo fotovoltaico que comprende:
una pluralidad de elementos fotovoltaicos , incluyendo cada uno una pluralidad de capas semiconductoras que incluyen una capa de conversión fotoeléctrica y un electrodo de dedo (18, 28a, 38a, 48a, 58) para recoger las corrientes generadas, formado en dichas capas semiconductoras en un lado receptor de luz de dicho módulo, dicho lado receptor de luz incluyendo una superficie receptora de luz (1a, 1b); y
un electrodo de lengüeta para conectar eléctricamente dicha pluralidad de elementos fotovoltaicos que está eléctricamente conectado a dicho electrodo de dedo; y
dicho electrodo…
Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado y provisto de una capa de contacto interior.
(07/03/2012) Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado que comprende una capa de soporte, una capa absorbedora fotoactiva y al menos una capa dopante depositada sobre toda la superficie de un lado de la capa absorbedora, así como otras capas funcionales, en donde el paquete de capas delgadas formado por dichas capas está subdividido en zonas de célula solar por medio de zanjas de separación aislantes, y que comprende también un primer sistema de contacto, que presenta elementos de contactado y una capa de contacto que une estos elementos, y un segundo sistema de contacto que presenta una capa de contacto, en el lado de la capa absorbedora alejado de la capa de soporte para la derivación…
Procedimiento para la dotación selectiva de silicio.
(07/03/2012) Procedimiento para la dotación selectiva de silicio de un sustrato de silicio para la producción de una transición-pn en el silicio con las siguientes etapas:
a) provisión de la superficie del sustrato de silicio con un agente de dotación basado en fósforo,
b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio para la generación de un cristal de silicato de fósforo sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fósforo en el interior del silicio como primera dotación ,
c) aplicación de una máscara sobre el cristal de silicato de fósforo , de tal manera que la máscara cubre…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES CON METALIZACION COMBINADA.
(01/04/2007). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN, MUNZER, ADOLF, SCHMIDT, HANS-JOSEF, DR.
PARA LA ELABORACION DE CELULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA A BASE DE MATERIAL SEMICONDUCTOR POLI O MONOCRISTALINO, SE PROPONE QUE LOS CONTACTOS DE LA CARA POSTERIOR ESTEN IMPRIMIDOS CON UNA PASTA QUE CONTIENE METAL Y LOS CONTACTOS DE LA CARA DELANTERA ESTEN FINAMENTE ESTRUCTURADOS MEDIANTE DEPOSITOS QUIMICOS. MEDIANTE LA UTILIZACION DE UNA SOLUCION DE GERMINACION IONOGENICA, ES POSIBLE GENERAR UNA METALIZACION ESPECIFICA EXCLUSIVAMENTE EN ABERTURAS U HOYOS EN LA CARA FRONTAL, EN DONDE LAS CAPAS DE PASIVACION QUE CUBRE LA CAPA SEMICONDUCTORA HAN SIDO ELIMINADAS. MEDIANTE DEPOSITO QUIMICO DE AL MENOS OTRO METAL O DE LA CAPA DE GERMINACION QUE HA SIDO PRIMERAMENTE GENERADA, EL CONTACTO DE LA CARA FRONTAL ESTA REFORZADO DE FORMA QUIMICA O GALVANICA.
PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO SEMICONDUCTOR METALICO MEDIANTE UNA CAPA DIELECTRICA.
(16/03/2007) Procedimiento para el contactado eléctrico de una capa de semiconductor recubierta con al menos una capa dieléctrica por calentamiento local por medio de la aportación de energía de radiación de un láser, aplicando sobre la capa dieléctrica una capa metálica, caracterizado porque por medio de un láser se calienta brevemente esta capa metálica localmente de manera puntiforme o lineal de una manera controlada tal, que, después de la formación de una mezcla fundida exclusivamente a partir de la capa metálica, de la capa dieléctrica así como de la superficie de la capa de semiconductor, que se halla inmediatamente debajo de la capa dieléctrica, finaliza la aportación de energía de radiación del láser, dando lugar la solidificación de la mezcla fundida a un contacto eléctrico entre…
CELULA SOLAR Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
(16/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, METZ, AXEL.
SE PROPONE UNA CELULA SOLAR CON POR LO MENOS UNA SUPERFICIE SEMICONDUCTORA QUE LLEVA FORMADOS UNAS ARISTAS SEGUIDAS DE UNA ZONA A MODO DE FLANCO QUE VA ESENCIALMENTE PARALELO A LA PERPENDICULAR AL SUSTRATO, Y SOBRE LA CUAL ESTAN SITUADOS LOS CONTACTOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES. CON EL FIN DE PODER FABRICAR CON UNA TECNOLOGIA SENCILLA UNAS CELULAS SOLARES DE ALTO GRADO DE RENDIMIENTO SE APLICA MATERIAL ELECTRICAMENTE CONDUCTOR, UNA VEZ FORMADAS LAS ZONAS DE LOS FLANCOS, SOBRE LAS ZONAS A MODO DE FLANCOS Y TAMBIEN SOBRE UNA PARTE DE LAS ZONAS QUE NO FORMAN FLANCOS. A CONTINUACION SE ELIMINA EL MATERIAL ELECTRICAMENTE CONDUCTOR SIN MASCARAS Y DE FORMA SELECTIVA DE LAS ZONAS QUE NO FORMAN FLANCOS, DE MANERA QUE LOS CONTACTOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES SE MANTIENEN EXCLUSIVAMENTE EN LAS ZONAS A MODO DE FLANCOS.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ZONAS DIFUSAS SELECTIVAMENTE.
(01/06/2005) LA PRESENTE INVENCION DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UNA REBANADA, PROCEDIMIENTO QUE COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: 1) APLICAR SELECTIVAMENTE UNA CONFIGURACION DE FUENTE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS A UNA PRIMERA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR ; 2) DIFUNDIR LOS ATOMOS DE ADULTERANTE DE DICHA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS EN EL SUBSTRATO MEDIANTE UNA FASE DE TRATAMIENTO TERMICO CONTROLADO EN UN AMBIENTE GASEOSO QUE RODEA AL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR , EL ADULTERANTE OBTENIDO DE LA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDO SE DIFUNDE DIRECTAMENTE EN EL INTERIOR DEL SUBSTRATO PARA FORMAR UNA PRIMERA ZONA DE DIFUSION Y, AL MISMO TIEMPO DIFUNDIR EL ADULTERANTE OBTENIDO…
HOJA FINA FOTOVOLTAICA Y METODO PARA FABRICARLA.
(01/04/2005) LA INVENCION PERTENECE A UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA HOJA FOTOVOLTAICA SOPORTADA POR UN SOPORTE Y QUE COMPRENDE UNA SERIE DE CAPAS FOTOVOLTAICAS QUE CONJUNTAMENTE TIENEN LA CAPACIDAD DE GENERAR CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE LA LUZ INCIDENTE, UNA CAPA DE RETROELECTRODO EN UN LADO ADYACENTE Y PARALELA A LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS, Y UNA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE EN EL OTRO LADO Y ADYACENTE Y PARALELA A LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS, CUYO PROCEDIMIENTO COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PROPORCIONAR UN SUBSTRATO TEMPORAL, APLICANDO LA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE , APLICAR LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS , APLICAR LA CAPA DEL RETROELECTRODO , APLICAR EL SOPORTE , ELIMINAR EL SUBSTRATO TEMPORAL, Y PREFERIBLEMENTE APLICAR UNA CAPA SUPERIOR EN EL LADO DE LA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE. LA INVENCION PERMITE LA FABRICACION…
ESTRUCTURA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULA SOLAR CON CONTACTOS TRASEROS AUTOALINEADOS DE ALEACION DE ALUMINIO.
(16/10/2004) UN DISEÑO CELULAR SOLAR MEJORADO Y METODO DE FABRICACION QUE PRIMERAMENTE USA DOS MATERIALES, SILICIO Y ALUMINIO IMPURIFICADOS DEL TIPO N PARA FORMAR UNA CELULA SOLAR DE CONTACTO POSTERIOR DE UNION DE ALEACION P-N. LA UNIONES DE ALEACION DE ALUMINIO SON COLOCADAS EL LADO POSTERIOR (NO ILUMINADO) DE LA CELULA, POR MEDIO DE LAS CUALES SE COMBINAN LAS CARACTERISTICAS DESEABLES DE ALUMINIO (COMO UN DOPANTE, METAL DE CONTACTO Y REFLECTOR DE LUZ), CON LAS VENTAJAS DE UNA CELULA DE CONTACTO POSTERIOR. EL DISEÑO CELULAR Y EL METODO DE FABRICACION INCLUYE TALES CARACTERISTICAS COMO TEXTURIZACION DE LA SUPERFICIE, ESPEJOS PORTADORES MINORITARIOS DEL CAMPO DE LA SUPERFICIE DELANTERA Y TRASERA, PASIVACION DE LA SUPERFICIE USANDO CAPAS DE OXIDACION, USO DE CONTACTOS AI COMO REFLECTORES DE LUZ, PROTECCION INTRINSECA CONTRA POLARIZACION IVERSA DEBIDO…
MODULO DE CELULA SOLAR CON CUBIERTA SUPERFICIAL ESPECIFICA CON BUENAS CARACTERISTICAS DE RESISTENCIA A HUMEDAD Y TRANSPARENCIA.
(16/01/2004). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: KATAOKA, ICHIRO, MORI, TAKAHIRO, YAMADA, SATORU, SHIOTSUKA, HIDENORI, SHIOTSUKA, AYAKO.
UN MODULO DE CELULAS SOLARES QUE COMPRENDE UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE TIENE UN LADO DE RECEPCION DE LUZ EN EL CUAL UN ELECTRODO COLECTOR QUE TIENE UN REVESTIMIENTO CONDUCTOR ELECTRICAMENTE Y UNA CUBIERTA LATERAL DE SUPERFICIE QUE COMPRENDE UN RELLENO Y UNA PELICULA PROTECTORA SECUENCIALMENTE LAMINADA EN EL LADO INCIDENTE DE LA LUZ DE DICHO ELEMENTO FOTOVOLTAICO, EN DONDE UNA CAPA DE RESINA DELGADA ESTA INTERPUESTA ENTRE DICHO ELEMENTO FOTOVOLTAICO Y DICHO RELLENO DE MANERA QUE LOS ESPACIOS PRESENTES EN DICHO REVESTIMIENTO CONDUCTOR DEL ELECTRODO COLECTOR SON RELLENADOS POR DICHA CAPA DE RESINA DELGADA.
CELULA SOLAR CON SOMBREADO REDUCIDO Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.
(01/05/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: ENDROS, ARTHUR.
PARA PRODUCIR UNA CELULA SOLAR DE GRAN RENDIMIENTO, CON MAS DEL 20% DE EFICIENCIA, SE USA UN SUBSTRATO DE SILICIO ORIENTADO , DISPONIENDOSE TODOS LOS CONTACTOS EN EL LADO POSTERIOR (RS) Y LA CONEXION ELECTRICA DEL LADRO FRONTAL (VS) SE LLEVA, ATRAVESANDO EL SUBSTRATO, A TRAVES DE UN MOTIVO DE RANURAS ALTAMENTE DOPADAS QUE SE PRODUCEN POR ATAQUE DE MANERA ORIENTADA AL CRISTAL Y QUE VAN ALINEADAS PARALELAS A UNOS PLANOS DEL SUBSTRATO.
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO CON UNA REJILLA COLECTORA MEJORADA.
(16/04/2003). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: NATH, PREM, VOGELI, CRAIG.
UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO MEJORADO EN QUE SE UTILIZA UN ADHESIVO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR PARA FIJAR LA ESTRUCTURA DE REJILLA AL ELECTRODO SUPERIOR DEL MISMO. SI SE SELECCIONA CORRECTAMENTE LA RESISTIVIDAD DEL ADHESIVO CONDUCTOR , SE PUEDE ACOMODAR FACILMENTE UN FLUJO DE CORRIENTE FOTOGENERADO NORMAL, AL TIEMPO QUE SE ELIMINA EL FLUJO DE CORRIENTE DERIVADO A TRAVES DE DEFECTOS PATENTES O LATENTES.
METODO PARA FORMAR CONTACTOS ENVOLVENTES EN CELULAS SOLARES.
(01/01/2003). Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es: HANOKA, JACK, I..
SE DESCRIBEN PROCEDIMIENTOS PARA FORMAR UN CONTACTO ENVOLVENTE SOBRE UNA PILA SOLAR. UN MATERIAL DE CALCOMANIA SE DISPONE SOBRE UNA PRIMERA SUPERFICIE DE LA PILA SOLAR . LA CALCOMANIA PUEDE SER UNA CALCOMANIA DE TRANSFERENCIA DE LIQUIDO O DE CALOR. UNA PARTE DE LA CALCOMANIA ES ENVUELTA ALREDEDOR DE AL MENOS UN BORDE DE LA PILA SOLAR PARA HACER CONTACTO CON UNA SEGUNDA SUPERFICIE DE LA PILA SOLAR. LA CALCOMANIA ES PROCESADA PARA QUITAR LA MATERIA ORGANICA Y FORMAR UN CONTACTO OHMICO.
PRODUCCION DE MODULOS FOTOVOLTAICOS DE PELICULA DELGADA CON CONEXIONES DE ALTA INTEGRIDAD Y CONTACTOS DE DOBLE CAPA.
(01/10/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: BP SOLAREX. Inventor/es: JANSEN,KAI W., MALEY,NAGI.
Producción de módulos fotovoltáicos de película delgada con conexiones de alta integridad y contactos de doble capa que constituyen módulos fotovoltáicos de altas prestaciones, con interconexiones mejoradas , mediante un proceso especial. Convenientemente, los módulos fotovoltáicos tienen un contacto dorsal (posterior) de doble capa y un contacto frontal por lo menos con una capa . El contacto frontal y la capa interior pueden comprender un óxido conductivo transparente. La capa exterior del contacto dorsal puede comprender un metal u óxido metálico. El contacto frontal puede tener también una capa dieléctrica . En una forma, el contacto dorsal de doble capa puede comprender una capa interior de óxido de zinc y una capa exterior de aluminio y el contacto frontal comprende una capa interior de óxido de estaño y una capa exterior dieléctrica de dióxido de silicio.
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO INTEGRADO.
(01/04/1998). Solicitante/s: SHOWA SHELL SEKIYU KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SICHANUGRIST, PORPONTH, TANAKA, NORMITSU.
SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO INTEGRADO, QUE COMPRENDE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO INTEGRADO QUE COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE CELULAS SOLARES BASADAS EN SILICONA AMORFA COMPRENDIENDO CADA UNA UN SUSTRATO TRANSPARENTE EN EL LADO DE LA CARA RECEPTORA DE LUZ QUE TIENE UN ELECTRODO TRANSPARENTE EN EL, Y QUE TIENE UN ELECTRODO METALICO EN EL LADO POSTERIOR DE DICHA CARA RECEPTORA DE LUZ DE TAL FORMA QUE ENCARE A DICHO ELECTRODO TRANSPARENTE CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA INTERPUESTA, ESTANDO DICHA PLURALIDAD DE CELULAS SOLARES INTERCONECTADAS EN SERIES O EN MODO DE SERIES PARALELAS POR MEDIO DE DICHO ELECTRODO TRANSPARENTE Y DICHO ELECTRODO METALICO, ESTANDO FORMADO DICHO ELECTRODO METALICO DE UNA PELICULA DE METAL COMPRENDIENDO, EN SUPERPOSICION EN ORDEN DESDE EL LADO DE LA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA, LAS CAPAS DE ALUMINIO , UN METAL ADITIVO PARA BRONCE DE ALUMINIO Y COBRE.
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE SE PUEDE UTILIZAR COMO ESPEJO.
(01/12/1997). Solicitante/s: SHOWA SHELL SEKIYU KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SICHANUGRIST, PORPONTH, TANAKA, NORIMITSU.
UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE COMPRENDE UN SUSTRATO TRANSPARENTE AISLANTE REVESTIDO CON UN ELECTRODO SUPERFICIAL DE RECEPCION DE LUZ FORMADO CON UNA FINA PELICULA DE METAL QUE A SU VEZ ESTA RECUBIERTA CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA Y UN ELECTRODO POSTERIOR , ADAPTANDOSE DICHA PELICULA FINA DE METAL PARA SU USO COMO ESPEJO.
PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR ASI COMO DESCRIPCION DE ESTA CELULA SOLAR.
(01/08/1997). Solicitante/s: HEZEL, RUDOLF, DR. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF.
SE PROPONE UNA CELULA SOLAR CON AL MENOS UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR, QUE DISPONE DE ELEVACIONES , SOBRE CUYOS CONTACTOS CONDUCTORES ELECTRICOS SE CONFIGURAN SOPORTE DE CARGA Y DESCARGA Y QUE AL MENOS LOS CONTACTOS CONDUCTORES ELECTRICOS ESTAN RECUBIERTOS CON UN MATERIAL DE PASIVACION. PARA QUE PUEDAN SER FABRICADAS CELULAS SOLARES DE TECNOLOGIA MAS SENCILLA CON ALTO RENDIMIENTO, LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DESPUES DE LA CONFORMACION DE LAS ELEVACIONES SE CUBREN DE FORMA COMPLETAMENTE PLANA O AMPLIAMENTE PLANA CON MATERIAL DE PASIVACION. A CONTINUACION EL MATERIAL DE PASIVACION EXISTENTE EN LAS ELEVACIONES SE ELIMINA ASI COMO EVENTUALMENTE MATERIAL SEMICONDUCTOR. A CONTINUACION SE APLICA EL MATERIAL QUE FORMA EL CONTACTO DE CONDUCCION ELECTRICA SOBRE LA ZONA LIBRE DE LAS ELEVACIONES.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE CELULAS SOLARES DE CAPA FINA DE PN CDTE/CDS.
(01/04/1997). Solicitante/s: ANTEC ANGEWANDTE NEUE TECHNOLOGIEN GMBH. Inventor/es: BONNET, DIETER, DR., HENRICHS, BEATE, JAGER, KARLHEINZ, RICHTER, HILMAR, DR.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE CELULAS SOLARES DE CAPA FINA DE PN CDTE/CDS, EN EL QUE SOBRE UN SUBSTRATO TRANSPARENTE EN FORMA DE UN VIDRIO DE CAL SODICA ECONOMICO SE SEPARA UNA CAPA TRANSPARENTE DE TCO COMO CONTACTO FRONTAL, QUE PREFERENTEMENTE ESTA PROVISTA DE UNA CAPA DE INDIO ULTRAFINA, LA CUAL SE RECUBRE A SU VEZ CON UNA CAPA DE CDS, EN DONDE EL SUBSTRATO RECUBIERTO DE TAL MODO SE LLEVA HASTA EL RECUBRIMIENTO DE CDTE A UNA TEMPERATURA 480 (GRADOS) C Y 520 (GRADOS) C, QUE DURANTE LA SIGUIENTE SEPARACION DE CDTE RAPIDA SEGUN EL PROCEDIMIENTO DISTANCIADOR PEQUEÑO SE CONSERVA CON UNA CUOTA DE SEPARACION PREFERENTE DE 5 HASTA 15 (MU)M/MIN EN UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE. LA CAPA DE INDIO SE DESPRENDE DURANTE ESTA SEPARACION Y CONSIGUE LA DOTACION NECESARIA DE LA CAPA CDS SIN UN PASO DE PROCEDIMIENTO ADICIONAL. DE ESTE MODO SE PUEDEN PRODUCIR CELULAS SOLARES CON UN ELEVADO RENDIMIENTO EN UN PROCEDIMIENTO DE COSTE FAVORABLE APROPIADO PARA LA CONFECCION DE MASAS.
ESTRUCTURA DE ALIMENTADOR A TRAVES ELECTRICO Y METODO DE FABRICACION.
(01/03/1997). Solicitante/s: SPECTROLAB, INC. Inventor/es: CAVICCHI, BRUCE T., MASON, ANNE V.
EN UNA ESTRUCTURA DE VIA ELECTRICA Y UN METODO DE FABRICACION QUE ESTA PARTICULARMENTE ADAPTADO PARA CELULAS SOLARES DE CONTACTO COPLANAR, SE CUBRE Y SUBSTANCIALMENTE SE CIERRA UNA ABERTURA INICIAL (48A, 48B) A TRAVES DEL SUBSTRATO CON UN MATERIAL DIELECTRICO . A CONTINUACION SE FORMA UNA ABERTURA INTERIOR A TRAVES DEL DIELECTRICO Y SE SUMINISTRA LA VIA CON UN REVESTIMIENTO CONDUCTOR . INICIALMENTE SE APLICA EL DIELECTRICO EN ESTADO LIQUIDO Y, POSTERIORMENTE, SE CURA EN UN SOLIDO. SE ELIMINA LA NECESIDAD DE REACTIVOS QUIMICOS FUERTES PARA ATAQUE CON EL FIN DE IGUALAR LA ABERTURA DE LA VIA ANTES DE LA APLICACION DEL DIELECTRICO Y LA METALIZACION, Y UN DIELECTRICO POLIIMIDA DE UNA CELULA SOLAR GAAS/GE HA PRODUCIDO UNA MEJORA SUBSTANCIAL DE LA RESISTENCIA A LAS PERDIDAS Y DEL RENDIMIENTO DE LA CELULA.
METODO PARA LA GENERACION DE ESTRUCTURAS DE ELECTRODOS FINOS.
(01/03/1997). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN.
PARA LA GENERACION FINA DE ESTRUCTURAS DE ELECTRODOS CON BUENA ADHERENCIA SOBRE SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES Y NO CONDUCTORES SE PROPONE, UN REFORZAMIENTO EN FORMA CONOCIDA DE LA METALIZACION DE PELICULA ESPESA APLICADA DE FORMA GALVANICA. EN UNA UTILIZACION DEL PROCESO SE GENERAN LOS CONTACTOS DE LA PARED DELANTERA DE LAS CELULAS SOLARES, Y CONTENIENDO CELULAS SOLARES CON UN GRADO DE ACCION MEJORADO.
DISPOSITIVO DETECTOR DE LA LUZ.
(01/11/1996) ESTA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DETECTOR DE LA LUZ QUE CONSTA DE UN PRIMER SUSTRATO SEMICONDUCTOR DEL TIPO CONDUCCION , UNA PRIMERA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA DEL TIPO CONDUCCION COLOCADA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO Y UNA SEGUNDA REGION DEL PRIMER TIPO DE CONDUCCION QUE SE ENCUENTRA EN LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA . LA PRIMERA REGION ESTA RODEADA POR UNA SEGUNDA REGION DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCCION . SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA, HAY UN ELECTRODO EN LA PRIMERA REGION Y UNA CAPA QUE EVITA LA REFLEXION FORMADA EN ESA PARTE DE LA PRIMERA REGION DENTRO DEL ELECTRODO Y UNA PELICULA PROTECTORA DEL DISPOSITIVO FORMADA EN ESA PARTE DE LA PRIMERA REGION FUERA DEL ELECTRODO . EN LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA , SE FORMA UNA PELICULA METALICA EN…
CUERPO SEMICONDUCTOR CON METALIZACION DE BUENA ADHERENCIA.
(16/10/1996). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN.
PARA GENERAR UNA METALIZACION BIEN ADHERIDA EN SUPERFICIES DE SEMICONDUCTORES, SE PROPONE EL DISPONER LOS SEMICONDUCTORES EN UN CAJEADO EN FORMA DE ZANJA QUE POR LO MENOS PRESENTA UN LIMITE DE CAJEADO DE ZANJA TEXTURADO.
