DISPOSITIVO DETECTOR DE LA LUZ.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DETECTOR DE LA LUZ QUE CONSTA DE UN PRIMER SUSTRATO SEMICONDUCTOR DEL TIPO CONDUCCION (21),

UNA PRIMERA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA DEL TIPO CONDUCCION (22) COLOCADA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO (21) Y UNA SEGUNDA REGION DEL PRIMER TIPO DE CONDUCCION (23) QUE SE ENCUENTRA EN LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA (22). LA PRIMERA REGION (23) ESTA RODEADA POR UNA SEGUNDA REGION DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCCION (24). SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA, HAY UN ELECTRODO (25) EN LA PRIMERA REGION (23) Y UNA CAPA QUE EVITA LA REFLEXION (26) FORMADA EN ESA PARTE DE LA PRIMERA REGION (23) DENTRO DEL ELECTRODO (25) Y UNA PELICULA PROTECTORA DEL DISPOSITIVO (27) FORMADA EN ESA PARTE DE LA PRIMERA REGION (23) FUERA DEL ELECTRODO (25). EN LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA (22), SE FORMA UNA PELICULA METALICA (31) EN CONTACTO TANTO CON LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA (22) COMO CON LA SEGUNDA REGION (24). ESTA ESTRUCTURA PERMITE QUE LA SEGUNDA REGION (24) CAPTURE LAS CARGAS INNECESARIAS, ADEMAS DE RECOMBINARLAS Y EXTINGUIRLAS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 5-33, KITAHAMA 4-CHOME, CHUO-KU,OSAKA 541.

Inventor/es: TONAI, ICHIRO, FUJIMURA, YASUSI.

Fecha de Publicación: 1 de Noviembre de 1996.

Fecha Concesión Europea: 10 de Julio de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
H01L31/0236 H01L 31/00 […] › Texturas de superficie particulares.
H01L31/102 H01L 31/00 […] › caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie.

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