CIP-2021 : H01L 45/00 : Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación,
amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
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H01L 45/02 · Dispositivos de estado sólido utilizados como dispositivos de ondas progresivas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo de visualización basado en material de cambio de fase con elementos de conmutación resistivos.
(10/06/2020) Un dispositivo de visualización (1, 1a - d), que comprende:
un conjunto de píxeles, teniendo cada uno una estructura de capa (2, 2c, 2d) que incluye:
un material de cambio de fase biestable , o PCM biestable, que tiene al menos dos estados conmutables de manera reversible, en el que el PCM muestra dos valores diferentes de índice de refracción y/o absorción óptica; y
un elemento de calentamiento (17, 17c, 17d), en comunicación térmica con el PCM en la estructura de capa (2, 2c, 2d);
un controlador configurado para suministrar energía a cualquiera de los píxeles para suministrar energía a un respectivo elemento de calentamiento (17, 17c, 17d) y cambiar de manera reversible…
Memoria resistiva tridimensional y su fabricación.
(26/02/2020) Una memoria resistiva tridimensional , que comprende:
un pilar de canal , dispuesto sobre un sustrato , en el que el pilar de canal comprende un material semiconductor;
un primer pilar de puerta , dispuesto en el sustrato y en el primer lado del pilar de canal ;
una capa dieléctrica de primera puerta , dispuesta entre el pilar de canal y el pilar de primera puerta ;
una primera estructura apilada y una segunda estructura apilada , dispuestas en el sustrato y respectivamente en los segundos y terceros lados opuestos del pilar de canal , en el que cada una de la primera estructura apilada…
Memoria de acceso aleatorio resistivo.
(24/04/2019) Una memoria de acceso aleatorio resistiva, que comprende:
un sustrato ;
un transistor , dispuesto sobre el sustrato ;
un electrodo inferior, dispuesto sobre el sustrato y conectado eléctricamente a una fuente /drenaje del transistor ;
una pluralidad de electrodos superiores, dispuestos en el electrodo inferior;
al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia, dispuesta entre el electrodo inferior y la pluralidad de electrodos superiores, en la que la al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia está directamente en contacto con el electrodo inferior; caracterizada por una pluralidad de capas limitadoras de corriente, respectivamente dispuestas entre la al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia y la pluralidad de…
Memoria resistiva y procedimiento de fabricación de la misma.
(04/02/2019). Solicitante/s: Winbond Electronics Corp. Inventor/es: HSU,PO-YEN, HO,CHIA HUA, SHEN,TING-YING, FU,CHIH-CHENG, CHEN,FREDERICK.
Una memoria resistiva que comprende:
un primer electrodo (106a) y un segundo electrodo (118a) dispuestos en forma opuesta entre sí;
una capa de resistencia variable (108a) dispuesta entre el primer electrodo (106a) y el segundo electrodo (118a); una capa de intercambio de oxígeno (114a) dispuesto entre la capa de resistencia variable (108a) y el segundo electrodo (118a);
una capa de protección (112a) dispuesta al menos en las paredes laterales de la capa de intercambio de oxígeno (114a); y
una primera capa dieléctrica (110b) dispuesta en las paredes laterales de la capa de protección (112a), caracterizada porque, la capa de protección (112a) se extiende a un espacio entre la capa de intercambio de oxígeno (114a) y la capa de resistencia variable (108a) y se extiende a una superficie superior de la primera capa dieléctrica (110b).
PDF original: ES-2698349_T3.pdf
Memoria de acceso aleatorio resistiva y método de fabricación de la misma.
(20/06/2018). Solicitante/s: Winbond Electronics Corp. Inventor/es: CHANG,SHUO-CHE, HO,CHIA HUA.
Una unidad de memoria de acceso aleatorio resistiva, que comprende:
una primera capa de electrodo ;
una segunda capa de electrodo ; y
una estructura apilada situada entre la primera capa de electrodo y la segunda capa de electrodo , la estructura apilada que comprende una capa conductora fabricada de HfOx y una capa de resistencia variable fabricada de HfOy, caracterizado por que x < y, 0,05 < x < 0,5 y 1 < y < 3, y la velocidad de difusión de iones de oxígeno en la capa conductora es menor que la velocidad de 10 difusión de los iones de oxígeno en el metal, en donde el metal es hafnio o titanio.
PDF original: ES-2676923_T3.pdf
Memoria de acceso aleatorio resistiva y procedimiento de fabricación de la misma.
(30/05/2018). Solicitante/s: Winbond Electronics Corp. Inventor/es: HSU,PO-YEN, LIAO,HSIU-HAN, CHANG,SHUO-CHE, HO,CHIA HUA, WU,BO-LUN, LIN,MENG-HUNG, SHEN,TING-YING.
Una memoria de acceso aleatorio resistiva, que comprende una primera capa de electrodo , una segunda capa de electrodo , y una capa de resistencia variable dispuesta entre la primera capa de electrodo y la segunda capa de electrodo , en la que la segunda capa de electrodo comprende
una primera subcapa , una segunda subcapa , y se caracteriza porque comprende una capa conductora de oxinitruro metálico dispuesta entre la primera subcapa y la segunda subcapa , en la que un espesor de la capa de oxinitruro metálico está entre 5 nm y 30 nm.
PDF original: ES-2677488_T3.pdf
Método para formar un dispositivo de memoria.
(07/02/2018) Un método para formar un dispositivo de memoria, que comprende:
formar una capa de conmutación-resistencia sobre un primer electrodo;
formar un segundo electrodo sobre la capa de conmutación-resistencia;
aplicar una tensión de formación a la capa de conmutación-resistencia de tal manera que disminuya la resistencia de la capa de conmutación-resistencia;
después de aplicarse la tensión de formación, aplicar una tensión de restablecimiento inicial al primer electrodo o al segundo electrodo de tal manera que aumente la resistencia de la capa de conmutación-resistencia;
después de aplicarse la tensión de restablecimiento inicial, aplicar una primera tensión establecida…
Estructura y método de formación de dispositivo de memoria.
(28/06/2017). Solicitante/s: Winbond Electronics Corp. Inventor/es: HSU,PO-YEN, LIAO,HSIU-HAN, CHANG,SHUO-CHE, HO,CHIA HUA.
Un dispositivo de memoria, que comprende: un primer electrodo ; un segundo electrodo ; y una capa resistiva posicionada entre ambos, donde la capa resistiva tiene una porción cristalina , donde la porción cristalina comprende una pluralidad de granos cristalinos , y los granos cristalinos están rodeados por una porción amorfa de la capa resistiva , y caracterizada en que una proporción de volumen de la porción cristalina respecto de la capa resistiva está en el rango de entre 0,2 y 1.
PDF original: ES-2641475_T3.pdf
Memoria de cambio de fase de múltiples capas.
(26/03/2014) Un método para componer una celda (10, 10a) de memoria, comprendiendo el método: formar una primera capa de material calcogenuro no conmutable; formar una capa de material calcogenuro de cambio de fase sobre la primera capa de material calcogenuro no conmutable, siendo la capa del material calcogenuro de cambio de fase conmutable entre estados más conductores y menos conductores y estando acoplada a dicha primera capa de material calcogenuro no conmutable; y formar una segunda capa de material calcogenuro no conmutable sobre dicha capa de material calcogenuro de cambio de fase caracterizada por que el material de la primera capa de material calcogenuro no conmutable es el mismo material de aleación de calcogenuro que el material de la segunda capa de material calcogenuro no conmutable pero se…
DISPOSITIVO CONMUTADOR DEL NIVEL DE LIMITACION CON RESISTENCIA DIFERENCIAL NEGATIVA.
(01/10/1995). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: MICHAEL, KEITH WINTON, PERNISZ, UDO C.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO CONMUTADOR DEL NIVEL DE LIMITACION QUE EXHIBE UNA RESISTENCIA DIFERENCIAL NEGATIVA ASI COMO A LOS DISPOSITIVOS FORMADOS MEDIANTE EL MISMO. EL METODO COMPRENDE LA DEPOSITACION DE UNA PELICULA DE DIOXIDO DE SILICIO DERIVADA DE UNA RESINA DE SILSESQUIXANO DE HIDROGENO ENTRE AL MENOS DOS ELECTRODOS Y APLICANDO ENTONCES UN VOLTAJE POR ENCIMA DE UN VOLTAJE PREDETERMINADO POR ENCIMA DEL UMBRAL A LO LARGO DE LOS ELECTRODOS.
UN CONECTADOR ELECTRICO PARA CONECTAR UNA PLURALIDAD DE LINEAS ELECTRICAS.
(01/04/1989). Solicitante/s: RAYCHEM LIMITED.
EL CONECTADOR DISPONE DE UN DISPOSITIVO CONMUTADOR DE UMBRAL FORMADO POR UN PAR DE ELECTRODOS SEPARADOS ENTRE SI POR UNA CAPA DE MATERIAL DE CONMUTACION DEPOSITADA SOBRE UNO DE LOS CONDUCTORES, ESTE MATERIAL DE CONMUTACION ES ELECTRICAMENTE AISLANTE PERO SE VUELVE CONDUCTOR AL APLICAR UNA TENSION ELECTRICA PREDETERMINADA ENTRE LOS ELECTRODOS Y SE MANTIENE CONDUCTOR SOLO DURANTE EL TIEMPO QUE PASE UNA CORRIENTE MINIMA DE RETENCION POR EL MATERIAL. DICHO MATERIAL ESTA FORMADO A BASE DE UNA COMPOSICION AMORFA DE GERMANIO, ARSENICO Y SELENIO. I CON DICHO DISPOSITIVO DE UMBRAL SE PROTEGEN LOS CIRCUITOS ELECTRICOS CONTRA TRANSISTORES DE IMPULSOS ELECTROMAGNETICOS O DESCARGAS ELECTROSTATICAS, HACIENDO PASAR EL IMPULSO TRANSITOREO A TIERRA ANTES DE PASAR A SU ESTADO DE NETA RESISTENCIA.
UN DISPOSITIVO PARA PROTEGER UN CIRCUITO ELECTRICO DE UNA TRANSITORIA DE TENSION.
(16/12/1987). Solicitante/s: RAYCHEM LIMITED.
DISPOSITIVO PARA PROTEGER UN CIRCUITO ELECTRICO DE UNA TRANSITORIA DE TENSION. ESTA CONSTITUIDO POR UNA COMPOSICION AMORFA DE SELENIO, ARSENICO Y GERMANIO. PUEDE CONMUTAR DESDE UN ESTADO DE ALTA RESISTENCIA A UN ESTADO DE BAJA RESISTENCIA CON UN TIEMPO DE CONMUTACION MUY RAPIDO Y ASI HACER PASAR EL IMPULSO TRANSITORIO A TIERRAANTES DE RETORNAR A SU ESTADO DE ALTA RESISTENCIA. PUEDE SOPORTAR ENERGIAS ELECTRICAS MUY ELEVADAS ANTES DE ENGANCHAR EN SU ESTADO DE BAJA RESISTENCIA. LA COMPOSICION QUE LO FORMA ESTA DETERMINADA, EL ESPESOR DEL ELEMENTO CONMUTADOR EN LA DIRECCION DEL FLUJO DE CORRIENTE TAMBIEN Y EL AREA DE LA SECCION TRANSVERSAL DEL ELEMENTO CONMUTADOR EN UN PLANO NORMAL TAMBIEN.