(03/08/2016) Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip semiconductor que tiene una pluralidad de caras ; una pluralidad de contactos en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una capa separadora que se apoya en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una pluralidad de terminales para su conexión a una pluralidad de zonas terminales de contacto de un sustrato al cual el conjunto va a ser montado, estando dispuestos dichos terminales separados sobre la capa separadora y al menos parte de dichos terminales recubriendo una superficie de dicha pluralidad de superficies del chip semiconductor, de forma que dichos terminales yacen dentro de la periferia de…

(16/04/2013) Elemento para la integración de dispositivos electrónicos. La presente invención se refiere a un elemento para la integración de dispositivos electrónicos que consiste en una estructura de material plástico y geometría y dimensiones variables para adaptarse a la forma de los dispositivos electrónicos entre los que se sitúa caracterizado porque en su interior, y dispuesta en relación paralela y escasamente espaciada de las superficies de la estructura en contacto con los dispositivos electrónicos, se coloca una capa ligera y resistente de un metal conductor de la electricidad para eliminar sustancialmente interferencias de señal entre ambos dispositivos electrónicos cuando estos interaccionan entre sí, permitiendo el correcto…

(27/04/2012) Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras, en el que los componentes semiconductores electrónicos y optoelectrónicos están dispuestos en una primera región de banda conductora conectada a tierra y están rodeados por una carcasa de un plástico termoplástico o termoestable, en el que una segunda región de banda conductora conectada igualmente a tierra está plegada alrededor de la carcasa , de forma que apantalla a los componentes semiconductores de radiaciones parásitas electromagnéticas, en el que la segunda región de banda conductora está conectada a la primera región de banda conductora , y en el que la segunda región de banda conductora sobresale de la carcasa , caracterizado porque la segunda región de banda conductora…

(07/03/2012) Un método para añadir una capa adicional a un circuito integrado , el método comprende: proporcionar un circuito integrado que tenga una capa de interconexión : depositar, sustancialmente sobre toda una superficie expuesta del circuito integrado , una capa adicional de material cuya conductividad puede ser alterada; y producir un subcircuito en la capa adicional , estando el subcircuito en comunicación eléctrica operativa con el circuito integrado , en el que el paso de producción comprende una de las acciones siguientes: (a) Dopar en alfombra la capa adicional y alterar selectivamente la conductividad de una primera porción de la capa adicional mediante recocido selectivo; y (b) dopar selectivamente sólo la primera porción de la capa adicional de material, y alterar selectivamente la conductividad de…

(16/09/2004) SE EXPONE UN CIRCUITO INTEGRADO QUE INCLUYE UNA SECCION SEGURA 11 QUE TIENE UN ELEMENTO FUSIBLE 56 Y UN DISPOSITIVO DE ALTERACION DEL FUSIBLE 58. SE FORMA UN PATRON DE DATOS PREDETERMINADO MEDIANTE EL CABLEADO Y LOS INVERSORES 62 CONECTADOS ENTRE UNA MEMORIA BORRABLE 52 Y UNA PUERTA AND 60. UN CIRCUITO DE HABILITACION 55 PERMITE QUE EL PATRON DE DATOS PREDETERMINADO SEA ESCRITO EN LA MEMORIA 52 AL RECIBIR UNA SEÑAL DE CONTROL APROPIADA EN UN TERMINAL 63. EL ESTADO DEL ELEMENTO FUSIBLE 58 QUEDA ENTONCES ALTERADO IRREVERSIBLEMENTE POR EL DISPOSITIVO DE ALTERACION DE FUSIBLES 58, DE FORMA QUE EL PATRON DE DATOS PREDETERMINADO EN LA MEMORIA 52 NO PUEDA CAMBIARSE. DESPUES DE LA IMPRIMACION Y EL ENCAPSULADO, LOS DATOS SEGUROS PUEDEN SER ALMACENADOS EN UNA MEMORIA SEGURA M, PUESTO QUE EL PATRON DE DATOS EN LA MEMORIA 52 ES EL MISMO QUE EN LOS INVERSORES…

(16/06/2004) UN APARATO DE CIRCUITO INTEGRADO (IC) RESISTENTE A MANIPULACIONES SE ADAPTA PARA UTILIZARLO CON UN IC QUE INCLUYE UN COMPONENTE ACTIVO, TAL COMO UN PROCESADOR DE SEGURIDAD, QUE NECESITA UNA SEÑAL DE POTENCIA CONSTANTE PARA FUNCIONAR. SI SE INTERRUMPE LA SEÑAL DE POTENCIA, SE BORRAN LOS DATOS DE UNA MEMORIA VOLATIL DEL PROCESADOR DE SEGURIDAD. LA MEMORIA SE ENCUENTRA DENTRO DEL PAQUETE DEL IC. UNA SEÑAL DE POTENCIA EXTERNA SE ACOPLA A LA MEMORIA POR MEDIO DE UNA RUTA CONDUCTORA, QUE SE LLEVA FUERA DEL CONTENEDOR Y QUE PUEDE ESTAR INCRUSTADA EN UNA TARJETA DECODIFICADORA, EN UN SUBSTRATO DE MICROMODULO O EN EL CUERPO DE UNA TARJETA INTELIGENTE EN LA QUE SE INCLUYE…

(16/03/2003) DISPOSITIVO DE SEGURIDAD DESTINADO A IMPEDIR EL ACCESO A INFORMACIONES CONFIDENCIALES CONTENIDAS EN UNA PASTILLA SEMICONDUCTORA , LLAMADA PASTILLA PROTEGIDA. SEGUN LA INVENCION, EL DISPOSITIVO COMPRENDE UNA SEGUNDA PASTILLA SEMICONDUCTORA , LLAMADA PASTILLA PROTECTORA, ESTANDO DICHAS PASTILLAS DISPUESTAS UNA FRENTE A OTRA Y CONECTADAS ENTRE SI POR BLOQUES DE COMUNICACION, ESTANDO LA PASTILLA PROTEGIDA CONECTADA A CIRCUITOS EXTERIORES MEDIANTE LA PASTILLA PROTECTORA , Y HALLANDOSE LAS DOS PASTILLAS SEMICONDUCTORAS SEPARADAS POR UNA RESINA SEMOCONDUCTORA DE RESISTIVIDAD ELECTRICA NO HOMOGENEA, ESTANDO LA PASTILLA PROTECTORA DOTADA, POR UNA PARTE, DE MEDIOS DE MEDICION DE UNA PLURALIDAD DE RESISTENCIAS A TRAVES DE LA RESINA SEMICONDUCTORA…

(01/02/2003) TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE, QUE COMPRENDE UN SUSTRATO CON UNA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA DE OXIDO SOBRE DICHA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA DE SILICIO, CON UN PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, SOBRE LA CAPA DE OXIDO , UNA ZONA DE BASE , CON UN SEGUNDO VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO , UNA ZONA DE EMISOR , CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA ZONA DE BASE , UNA ZONA DE COLECTOR , CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO A UNA DISTANCIA LATERAL DE LA ZONA DE BASE , UNA ZONA DE TERMINALES…

(01/01/2003) LA INVENCION SE REFIERE A UN CIRCUITO SEMICONDUCTOR CON LAS SIGUIENTES CARACTERISTICAS: AL MENOS UN MODULO DE OPERACION CON UN CIRCUITO DE CONTROL Y UN MICROPROCESADOR CON MEMORIA; AL MENOS UN MODULO DE INICIALIZACION PARA PRUEBA Y/O INICIALIZACION DE LOS MODULOS DE OPERACION O PARA LOS MISMOS MODULOS DE OPERACION; AL MENOS UN MODULO DE OPERACION ESTA CONECTADO A AL MENOS UN MODULO DE INICIALIZACION POR MEDIO AL MENOS DE UN HILO DE CONEXION NO INTERRUMPIDA. PARA MEJORAR LA FIABILIDAD, DESPUES DE LA CONSTRUCCION DEL CIRCUITO SEMICONDUCTOR, EL MODULO DE INICIALIZACION ESTA SEPARADO PERMANENTEMENTE CON RESPECTO AL MODULO DE OPERACION MEDIANTE CORTE DE LOS HILOS DE CONEXION. PARA HACER MAS DIFICIL LA REACTIVACION DE LOS HILOS DE CONEXION DE CORTE, EL CIRCUITO SEMICONDUCTOR TIENE LAS SIGUIENTES CARACTERISTICAS: EN EL AREA DE AL MENOS UNO DE LOS HILOS DE…

(01/10/1999) UN MICROPROCESADOR DE CIRCUITO INTEGRADO QUE CONTIENE UNA ZONA DE SEGURIDAD EN LA QUE SE PROCESAN Y ALMACENAN DATOS DE SEGURIDAD, INCLUYE UNA CAPA SEMICONDUCTORA (SC) QUE CONTIENE DIFUSIONES (S, D) QUE DEFINEN LOS ELEMENTOS COMPONENTES DEL CIRCUITO; UNA PRIMERA CAPA CONDUCTORA (CN1) ACOPLADA A LA CAPA SEMICONDUCTORA PARA INTERCONECTAR LOS COMPONENTES Y DEFINIR CON ELLO LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO (14, 16, 17, 18, 20, M1, M2, MN) PARA DISTRIBUIR, ALMACENAR, PROCESAR Y AFECTAR AL PROCESAMIENTO DE LOS DATOS DE SEGURIDAD; Y UNA SEGUNDA CAPA CONDUCTORA (CN2) QUE SE SUPERPONE A LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO PARA DEFINIR CON ELLO UNA ZONA DE SEGURIDAD EN LA QUE LOS DATOS DE SEGURIDAD ESTAN PROTEGIDOS DE UNA POSIBLE INSPECCION, Y ESTA ACOPLADA A LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO PARA CONDUCIR A LOS…