TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE CON TENSION DE RUPTURA INCREMENTADA.
TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE, QUE COMPRENDE UN SUSTRATO (1) CON UNA SUPERFICIE PRINCIPAL,
UNA CAPA (2) DE OXIDO SOBRE DICHA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA (3) DE SILICIO, CON UN PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, SOBRE LA CAPA DE OXIDO (2), UNA ZONA DE BASE (4), CON UN SEGUNDO VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO (3), UNA ZONA DE EMISOR (5), CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA ZONA DE BASE (4), UNA ZONA DE COLECTOR (6), CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO (3) A UNA DISTANCIA LATERAL DE LA ZONA DE BASE (4), UNA ZONA DE TERMINALES (8), CON EL SEGUNDO VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO (3) HASTA UNA CAPA DE OXIDO (2) EN EL LADO OPUESTO DE LA ZONA DE EMISOR (5) RESPECTO A LA ZONA DE COLECTOR (6), UNA PARTE (8') DE LA ZONA DE TERMINALES (8) QUE SE EXTIENDE LATERALMENTE A LO LARGO DE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE OXIDO (2), BAJO, AL MENOS, PARTE DE LA ZONA DE EMISOR (5), HACIA LA ZONA DE COLECTOR (6) A UNA DISTANCIA DE LA ZONA DE BASE (4), ESTANDO LA ZONA DE TERMINALES CONECTADA ELECTRICAMENTE A LA ZONA DE BASE (4).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON.
Nacionalidad solicitante: Suecia.
Dirección: ,126 25 STOCKHOLM.
Inventor/es: LITWIN, ANDREJ, ARNBORG, TORKEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 9 de Abril de 1996.
Fecha Concesión Europea: 10 de Julio de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/58 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores.
- H01L27/12 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
- H01L29/73 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Transistores bipolares de unión.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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