CIP-2021 : H01L 31/20 : comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/20 · · comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Convertidor fotovoltaico con estructura de emisor mejorada basada en componentes de silicio y un método para la producción del convertidor fotovoltaico.
(08/05/2019) Un convertidor fotovoltaico, que comprende una estructura de emisor hecha de componentes de silicio capaces de convertir fotones de alta energía en electrones libres en particular UV y fotones visibles así como fotones IR, esta estructura de emisor forma parte de una losa, oblea o chip de material fotovoltaico de tipo p o de tipo n,
- teniendo dicha losa, oblea o chip una superficie superior destinada a ser expuesta a radiación fotónica principalmente a radiación solar, que tiene una unión PN integrada que delimita la parte emisora y una parte de base, que tiene electrodos delanteros y traseros y que comprende al menos un área o región específicamente diseñada o adaptada para absorber…
Aditivos para silano para dispositivos fotovoltaicos de película delgada de silicio.
(15/10/2014) Un método de depósito de una película de silicio amorfo (-Si:H) o de una película de silicio microcristalino (-CSi:H) como película fotoconductora sobre un sustrato, que utiliza
silano;
hidrógeno;
al menos un aditivo escogido entre:
(a) silanos de cadena recta de orden superior, escogidos entre: disilano Si2H6, trisilano Si3H8, tetrasilano Si4H10, pentasilano Si5H12, hexasilano Si6H14, heptasilano Si7H16, octasilano Si8H18, nonasilano Si9H20, decasilano Si10H22, otros silanos de cadena recta de fórmula general SixH2x+2 donde x es de 2 a 20 y mezclas de ellos;
(b) silanos ramificados de orden superior, escogidos entre: 2-silil-trisilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3, 2,2-disilil15 trisilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH3, 2-silil-tetrasilano…
Célula fotovoltaica de heterounión con doble de dopaje y procedimiento de fabricación.
(25/12/2013) Célula fotovoltaica que comprende una heterounión entre un sustrato semiconductor cristalino de un primer tipo de conductividad y una primera capa amorfa , sobre una primera cara del sustrato, del mismo material semiconductor y de un segundo tipo de conductividad, opuesto al primero y que presenta un nivel de dopaje comprendido entre 1.1019 y 1.1022 átomos/cm3, estando recubierta la segunda cara del sustrato, opuesta a la primera cara, por una tercera capa amorfa del mismo material que el sustrato y del mismo tipo de conductividad, con un nivel de dopaje comprendido entre 1.1019 y 1.1022 átomos/cm3, caracterizada porque comprende además una segunda capa amorfa del mismo tipo de conductividad que la primera capa y que presenta un nivel de dopaje comprendido…
MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS.
(02/08/2012) Material fotovoltaico multiunión tipo P-I-N, dispositivo cerámico fotovoltaico que lo comprende y métodos de obtención de los mismos.
La presente invención se refiere a un material fotovoltaica tipo P-I-N caracterizada porque comprende al menos tres uniones semiconductoras tipo P-I-N apiladas en tándem, cuyas capas tipa P, I y N comprenden silicio microcristalino hidrogenado contenido en una matriz de silicio amorfo en su composición, y donde además cada una de las capas P y N de cada unión tipo P-I-N presenta una composición particular. Dicha material es adecuada para la obtención de dispositivas fotovoltaicas con soporte cerámico, preferentemente materiales convencionales empleados en la industria de la construcción. También es objeto de la presente invención el método de obtención del material fotovoltaico, así como…
MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS.
(12/07/2012). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Inventor/es: OROZCO MESSANA, JAVIER, HERNÁNDEZ FENOLLOSA,María de los Ángeles.
La presente invención se refiere a un material fotovoltaico tipo P-I-N caracterizado porque comprende al menos tres uniones semiconductoras tipo P-I-N apiladas en tándem, cuyas capas tipo P, I y N comprenden silicio microcristalino hidrogenado contenido en una matriz de silicio amorfo en su composición, y donde además cada una de las capas P y N de cada unión tipo P-I-N presenta una composición particular. Dicho material es adecuado para la obtención de dispositivos fotovoltaicos con soporte cerámico, preferentemente materiales convencionales empleados en la industria de la construcción. También es objeto de la presente invención el método de obtención del material fotovoltaico, asi como el método de acondicionamiento de la superficie del soporte cerámico en cuestión y el esmalte empleado para dicho acondicionamiento, cuya composición es novedosa e inventiva.
Fabricación de submódulos fotovoltaicos.
(20/04/2012) Método de fabricación de submódulos fotovoltaicos, comprendiendo dicho método:
la carga de un rollo continuo de película flexible y no electroconductora en una estación de trabajo, extrayéndose del rollo el primer extremo de la película, que define la anchura del mismo, para extenderlo entre una primera elevación y una segunda elevación en una primera posición;
el desplazamiento de un primer extremo de un revestimiento fotovoltaico hasta la proximidad de la primera posición, de tal modo que el primer extremo queda aproximadamente alineado con el primer extremo del revestimiento, para entrar en contacto con el mismo, adhiriéndose el revestimiento fotovoltaico a una zona…
Sistema de producción de batería solar de película delgada.
(10/04/2012) Aparato de fabricación de células solares de película delgada, en el que un sustrato de película flexible, con forma de tira, enrollado alrededor de un rodillo de alimentación, es suministrado a una cámara de deposición de película mantenida sustancialmente en un estado de vacío, se induce una descarga eléctrica a través de los electrodos de masa, posicionados para oponerse entre sí, y electrodos de aplicación que tienen un material diana en la cámara de deposición de película, se forma una película delgada de metal, de anchura N2, que se convierte en un electrodo, sobre la superficie del sustrato de…
CELULAS SOLARES NANOESTRUCTURADAS EN TANDEM AMORFOCRISTALINAS.
(12/05/2011) Células solares de nanohilos en tándem amorfocristalinas.Un dispositivo fotovoltaico que incluye una pluralidad de nanoestructuras alargadas dispuestas sobre la superficie de un substrato, y una película multicapa depositada de modo conforme sobre las nanoestructuras alargadas, formando una pluralidad de uniones fotoactivas. Un procedimiento para fabricar tales dispositivos fotovoltaicos incluye generar una pluralidad de nanoestructuras alargadas sobre la superficie de un substrato y depositar de modo conforme una película multicapa formando una pluralidad de uniones fotoactivas. La pluralidad de uniones fotoactivas se diseña para capturar diferentes longitudes de onda de la luz. Un panel solar incluye, al menos, un dispositivo fotovoltaico
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA CELULA FOTOVOLTAICA DE SILICIO Y CELULA OBTENIDA POR LA REALIZACION DE ESTE PROCEDIMIENTO.
(16/02/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITE DE NEUCHATEL. Inventor/es: MEIER, JOHANN, KROLL, ULRICH.
LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PROVISTO DE UNA CAMARA DE DEPOSICION QUE TIENE DOS ELECTRODOS ; UNO DE ELLOS INCLUYE UN SOPORTE PARA UN SUSTRATO Y ESTA CONECTADO A TIERRA, MIENTRAS QUE EL OTRO ESTA CONECTADO A UN GENERADOR ELECTRICO DE RADIOFRECUENCIA . EL DISPOSITIVO POSEE MEDIOS PARA EXTRAER EL GAS DE LA CAMARA Y MEDIOS DE ALIMENTACION DE GAS . ESTE DISPOSITIVO COMPRENDE ADEMAS MEDIOS DE DEPURACION DE LOS GASES INTRODUCIDOS EN LA CAMARA PREPARADOS PARA REDUCIR EL NUMERO DE ATOMOS DE OXIGENO CONTENIDOS EN EL GAS DE DEPOSITO, QUE ESTA FORMADO POR SILANO, HIDROGENO, ARGON O LAS TRES COSAS. EL METODO CONSISTE EN HACER EL VACIO EN LA CAMARA DE DEPOSITO , PURIFICAR EL GAS CON LOS MEDIOS DE DEPURACION , INTRODUCIR ESTOS GASES PURIFICADOS EN LA CAMARA Y GENERAR UN PLASMA ENTRE LOS ELECTRODOS . DE ESTE MODO SE DEPOSITA EN EL SUSTRATO UNA CAPA DE SILICIO MICROCRISTALINO INTRINSECO.
METODO PARA ELIMINAR SECCIONES CORTOCIRCUITADAS DE UNA CELULA SOLAR.
(16/05/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: KANEKA CORPORATION. Inventor/es: HAYASHI, KATSUHIKO, KONDO, MASATAKA.
Un método para eliminar cortocircuitos en un elemento de célula solar compuesto por una primera (2b) y una segunda (4b) capas de electrodo y una capa semiconductora (3b) para la conversión fotoeléctrica dispuesta entre las primera (2b) y segunda (4b) capas de electrodo, donde dicho método incluye la aplicación de una tensión alterna a través de las primera (2b) y segunda (4b) capas de electrodo, tensión alterna que contiene un componente inverso en un sentido inverso y un componente directo en un sentido directo, siendo el componente directo de magnitud más pequeña que el componente inverso, caracterizado porque la tensión alterna tiene una forma de onda sinusoidal truncada.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MODULOS DE CELULAS SOLARES DE CAPA FINA.
(01/02/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: KANEKA CORPORATION. Inventor/es: KONDO, MASATAKA.
Un método de fabricar un módulo integrado de batería solar de película fina incluyendo un sustrato , y una pluralidad de pilas unitarias conectadas en serie en el sustrato , incluyendo cada una de dichas pilas unitarias una primera capa de electrodo , una capa semiconductora y una segunda capa de electrodo que se apilan una sobre otra en el sustrato , incluyendo dicho método la secuencia de pasos de: - quitar en parte la primera capa de electrodo formada en el sustrato para dividir la primera capa de electrodo correspondiente a la pluralidad de pilas unitarias ; - formar una capa semiconductora en la primera capa de electrodo.
PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION POR PLASMA CON REGULACION DE TEMPERATURA DEL SUBSTRATO.
(01/12/2003). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU.
EN UN PROCESO DE DEPOSICION POR DESCARGA DE INCANDESCENCIA PARA LA PREPARACION DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DEL GRUPO IV, HIDROGENADAS, EL SUSTRATO SE MANTIENE A UNA TEMPERATURA QUE SE CORRELACIONA POSITIVAMENTE CON LA VELOCIDAD DE DEPOSICION Y QUE ES SUFICIENTEMENTE ALTA PARA IMPARTIR UNA ENERGIA CINETICA A LA CAPA PARA ACTIVAR LA ELIMINACION DE MORFOLOGIA INDESEABLES., PERO SUFICIENTEMENTE BAJA PARA EVITAR LA DEGRADACION DE LA CAPA CAUSADA POR LA PERDIDA EXCESIVA DE HIDROGENO.
APARATO PARA LOCALIZAR DEFECTOS DE FABRICACION EN UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO.
(16/11/2003) Aparato para la localización de defectos de fabricación en un elemento fotovoltaico, el cual está formado sustancialmente mediante un substrato semiconductor en forma de oblea, sobre cuyas superficies principales opuestas se han dispuesto conductores eléctricos para el transporte de portadores de carga eléctrica, que comprende: al menos un primer electrodo en contacto eléctrico con una primera superficie principal de dicho substrato, y que es desplazable sobre el citado substrato, un segundo electrodo , que se dispone en contacto eléctrico con un conductor sobre la segunda superficie principal, y medios de ajuste para ajustar una polarización entre los conductores eléctricos de las superficies principales…
PROCESO DE DEPOSICION ACTIVADA POR MICROONDAS CON REGULACION DE LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO.
(16/09/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG.
LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS.
PRODUCCION DE MODULOS FOTOVOLTAICOS DE PELICULA DELGADA CON CONEXIONES DE ALTA INTEGRIDAD Y CONTACTOS DE DOBLE CAPA.
(01/10/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: BP SOLAREX. Inventor/es: JANSEN,KAI W., MALEY,NAGI.
Producción de módulos fotovoltáicos de película delgada con conexiones de alta integridad y contactos de doble capa que constituyen módulos fotovoltáicos de altas prestaciones, con interconexiones mejoradas , mediante un proceso especial. Convenientemente, los módulos fotovoltáicos tienen un contacto dorsal (posterior) de doble capa y un contacto frontal por lo menos con una capa . El contacto frontal y la capa interior pueden comprender un óxido conductivo transparente. La capa exterior del contacto dorsal puede comprender un metal u óxido metálico. El contacto frontal puede tener también una capa dieléctrica . En una forma, el contacto dorsal de doble capa puede comprender una capa interior de óxido de zinc y una capa exterior de aluminio y el contacto frontal comprende una capa interior de óxido de estaño y una capa exterior dieléctrica de dióxido de silicio.
PROCESO Y APARATO PARA FORMAR UNA CAPA DEPOSITADA PARA UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ , EL MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ PRODUCIDO POR EL PROCESO, APARATO DE CONFORMADO DE LA PELICULA DEPOSITADA, Y METODO PARA LIMPIAR EL APARATO DE CONFORMADO DE LA PELICULA DEPOSITADA.
(01/03/1999). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OKAMURA, RYUJI, AKIYAMA, KAZUYOSHI, MURAYAMA, HITOSHI, HITSUISHI, KOJI, KOJIMA, SATOSHI, OHTOSHI, HIROKAZU, YAMAMURA, MASAAKI.
SE DESCRIBE UN PROCESO PARA PRODUCIR UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA CAPA RECEPTORA DE LUZ NO-MONOCRISTALINA SOBRE EL SUSTRATO; QUE COMPRENDE FORMAR AL MENOS UNA PARTE DE LA CAPA POR DESCOMPOSICION DE UN GAS DE MATERIAL INICIADOR QUE SE INTRODUCE EN UNA CAMARA DE REACCION POR MEDIO DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA CON UNA FRECUENCIA DE 20 A 450 MHZ.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON CAPA DE SEPARACION INTRINSECA DEPOSITADA MEDIANTE RF.
(01/05/1997). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM.
SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS, DE PELICULA FINA DEL TIPO DE LOS QUE TIENEN UNA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA DISPUESTA ENTRE DOS CAPAS SEMICONDUCTORAS, CON CARGAS OPUESTAS. UNA CAPA SEPARADORA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR INTRINSECO SE DEPOSITA MEDIANTE RF EN LA UNION ENTRE UNA CAPA INTRINSECA DE BASE, DEPOSITADA MEDIANTE MICROONDAS Y UNA CAPA DE MATERIAL DOPADO. LA PILA PRODUCIDA MEDIANTE EL METODO DE LA INVENCION TIENE UNAS CARACTERISTICAS MEJORADAS SOBRE LAS PILAS QUE TIENEN CAPAS INTRINSECAS DEPOSITADAS MEDIANTE MICROONDAS SIN NINGUNA CAPA DE BARRERA.
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.
(16/05/1996) UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN, Y CONTENIENDO TAMBIEN LOS ATOMOS…
PROCEDIMIENTO DE REALIZACION DE UNA CAPA QUE CONTIENE SILICIO EN UN DISPOSITIVO ELECTRONICO.
(16/10/1981). Solicitante/s: THOMSON-CSF.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS QUE CONTIENEN UNA CAPA DE SILICIO. EL PROCESO SE REALIZA EN DOS ESTAPAS. LA PRIMERA ETAPA INCLUYE DEPOSITAR SOBRE UN MATERIAL BASE ELEGIDO UNA CAPA DE SILICIO PURO O IMPURIFICADO, POR DESCOMPOSICION QUIMICA DE UNA MEXCLA GASEOSA QUE COMPRENDE SILANO. ESTA ETAPA SE REALIZA A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE LA TEMPERATURA DE CRISTALIZACION DE LA CAPA DESPOSITADA + 50 C, Y DICHA TEMPERATURA DE CRISTALIZACION - 50 C. LA SEGUNDA ETAPA ES DE TRATAMIENTO TERMICO, A TEMPERATURA INFERIOR A LA DE CRISTALIZACION, EN ATMOSFERA DE HIDROGENO. DE APLICACION EN PLACAS FOTOVOLTAICAS.
