ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P,

UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN, Y CONTENIENDO TAMBIEN LOS ATOMOS DE SE Y DE TE EN UNA RELACION CUANTITATIVA SE/TE DE 1:9 A 3:7 EN NUMERO DE ATOMOS. EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO PRESENTA UNA MEJORADA EFICACIA DE CONVERSION FOTOELECTRICA PARA LA LUZ DE CORTA LONGITUD DE ONDA Y TIENE UNA TENSION A CIRCUITO ABIERTO ELEVADA. EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO NO ES CAUSA DE FATIGA ALGUNA INDUCIDA POR LA LUZ NO DESEABLE AUN DESPUES DE USO CONTINUO DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.

Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

Fecha de Publicación: 16 de Mayo de 1996.

Fecha Concesión Europea: 13 de Marzo de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L31/0296 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p. ej. CdS, ZnS, HgCdTe.
H01L31/036 H01L 31/00 […] › caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
H01L31/075 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
H01L31/20 H01L 31/00 […] › comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.

Patentes similares o relacionadas:

Celda solar con sustrato corrugado flexible y método para la producción de la misma, del 1 de Julio de 2020, de Flexucell ApS: Un transductor fotoeléctrico que comprende: un sustrato constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie […]

Diodo bipolar con absorbedor óptico de estructura cuántica, del 12 de Febrero de 2019, de Dechamps & Sreball GbR: Un elemento constructivo semiconductor bipolar de al menos cinco capas que convierte la luz en corriente eléctrica, para lo cual se inserta una heteroestructura en una unión […]

Célula solar que incluye nanocable de silicio y método para fabricar la célula solar, del 23 de Enero de 2019, de Korea Institute Of Industrial Technology: Una célula solar que comprende: un sustrato, una primera capa de poli-Si del tipo ++ formada sobre el sustrato, una capa de nanocables de silicio del primer […]

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]

Elemento de conversión fotoeléctrica, del 16 de Diciembre de 2015, de TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA: Un dispositivo de conversión fotoeléctrica que comprende: una capa p; una capa n; una capa i dispuesta entre la capa p y la capa n; […]

Célula fotovoltaica de heterounión con doble de dopaje y procedimiento de fabricación, del 25 de Diciembre de 2013, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Célula fotovoltaica que comprende una heterounión entre un sustrato semiconductor cristalino de un primer tipo de conductividad y una primera capa […]

Convertidor fotoeléctrico apilado, del 31 de Mayo de 2013, de KANEKA CORPORATION: Un dispositivo de conversión fotoeléctrica del tipo capa apilada que comprende una pluralidad de unidades deconversión fotoeléctrica apiladas sobre […]

CELULA SOLAR DE HETEROCONTACTO CON GEOMETRIA INVERTIDA DE SU ESTRUCTURA DE CAPAS, del 3 de Diciembre de 2010, de HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH: - Célula solar de heterocontacto en estructura de ca- pas con un absorbedor de material semiconductor cristalino dopado tipo p o n, un emisor de un material semiconductor […]