CIP-2021 : H01L 41/187 : Composiciones cerámicas.

CIP-2021HH01H01LH01L 41/00H01L 41/187[3] › Composiciones cerámicas.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 41/187 · · · Composiciones cerámicas.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

PROCEDIMIENTO DE OBTENCIÓN DE RECUBRIMIENTOS CERÁMICOS DE ZIRCONATO-TITANATO DE PLOMO (PZT).

(27/06/2019). Solicitante/s: ASOCIACIÓN CENTRO TECNOLÓGICO CEIT-IK4. Inventor/es: BURGOS GARCÍA,Nerea, AZCONA CALERO,Mikel, FRAILE SANTAMARIA,Itziar, GABILONDO NIETO,Maitane.

Procedimiento de obtención de recubrimientos cerámicos de zirconato-titanato de plomo (PZT) que comprende las etapas de obtener una tinta de PZT, depositar sobre un sustrato la tinta de PZT, sinterizar la tinta de PZT mediante un tratamiento con láser, y someter al sustrato con la tinta de PZT sinterizada a un proceso de polarización.

PDF original: ES-2773935_A1.pdf

PDF original: ES-2773935_B2.pdf

MATERIAL CERÁMICO PIEZOELÉCTRICO DE ALTA TEMPERATURA DE BISCO3-PBTIO3, DISEÑADO QUÍMICAMENTE PARA OPERAR EN CONDICIONES DE ALTA POTENCIA Y PROCEDIMIENTO PARA OBTENER DICHO MATERIAL CERÁMICO.

(01/08/2017). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: ALGUERÓ GIMÉNEZ,Miguel, AMORÍN GONZÁLEZ,Harvey, CASTRO LOZANO,Alicia.

Un material cerámico piezoeléctrico de alta temperatura de BiScO3-PbTiO3 diseñado químicamente para operar en condiciones de alta potencia, y un procedimiento para obtener dicho material cerámico. La invención se refiere a un material cerámico piezoeléctrico de alta temperatura de BiScO3-PbTiO3 y fórmula Bi0,36Pb0,64Sc0,36-xMnxTi0,64O3 en la que x oscila de 0,02 a 0,05, que incluye un defecto puntual bajo diseño para reducir significativamente las pérdidas dieléctricas y mecánicas. Además, la invención hace referencia a un procedimiento para obtener dicho material cerámico mediante sinterización convencional de polvos nanocristalinos sintetizados mediante la activación mecanoquímica de una mezcla estequiométrica de precursores.

PDF original: ES-2628027_A1.pdf

PDF original: ES-2628027_B1.pdf

Cerámica.

(05/07/2017). Solicitante/s: Ionix Advanced Technologies Limited. Inventor/es: BELL,ANDREW JOHN, COMYN,TIMOTHY.

Una cerámica que comprende una solución sólida de fórmula: x(BiaK1-a)TiO3 - yBiFeO3 - zPbTiO3 en la que 0,4 ≤ a ≤ 0,6; 0 < x < 1; 0 < y < 1; 0 < z ≤ 0,5; y x + y + z ≥ 1, en la que la cerámica está sustancialmente libre de fases no de perovskita.

PDF original: ES-2637287_T3.pdf

Método y sistema de fabricación de un sensor piezoeléctrico a base de tinta de nanopartículas de PZT.

(11/01/2017). Solicitante/s: THE BOEING COMPANY. Inventor/es: DUCE,JEFFREY LYNN, JOHNSTON,SCOTT ROBERT, SHEN,I-YEU, CAO,GUOZHONG, HUANG,HSIEN-LIN.

Un método de fabricación de un sensor piezoeléctrico a base de tinta de nanopartículas de zirconatotitanato de plomo, comprendiendo el método: formular una tinta de nanopartículas de zirconato-titanato de plomo; y depositar la tinta de nanopartículas de zirconato-titanato de plomo sobre un sustrato mediante un proceso de depósito de tinta para formar un sensor piezoeléctrico a base de tinta de nanopartículas de zirconatotitanato de plomo; en el que la tinta de nanopartículas de zirconato-titanato de plomo comprende nanopartículas de zirconatotitanato de plomo precristalizadas, caracterizado porque la tinta de nanopartículas de zirconato-titanato de plomo comprende un promotor de adhesión a base de solgel para promover la adhesión de la tinta de nanopartículas de zirconato-titanato de plomo al sustrato o un promotor de adhesión a base de polímero para promover la adhesión de la tinta de nanopartículas de zirconato-titanato de plomo al sustrato.

PDF original: ES-2621536_T3.pdf

Materiales cerámicos piezoeléctricos a base de zirconato-titanato de plomo (PZT) con estructura cristalina de perovskita.

(01/04/2015) Materiales cerámicos piezoeléctricos, compuestos de manera esencial de zirconato-titanato de plomo (PZT) con la fórmula Pb2+(Zr4+, Ti4+)O3 2- y la estructura cristalina de la perovskita de la fórmula A2+B4+O3 2-, caracterizados por una sustitución de pares de iones aceptores y donantes parcialmente compensados en valencia B5+ 0,005/Nb5+ 0,002 para la formación de composiciones parcialmente compensadas en valencia del sistema [Pb0,995Sr0,02](B3+ 0,005(Zrx Ti1- x)0,975Nb5+ 0,02]O3, en donde x ≥ 0,50 a 0,55, de modo que en las composiciones está presente una sustitución acoplada de iones aceptores y donantes heterovalentes en sitios Zr/Ti, en donde…

Piezocerámica de alto rendimiento.

(04/12/2013) Material cerámico piezoeléctrico basado en titanato zirconato de plomo, caracterizado porque se correspondea la fórmula general (1-u)Pb(ZrxTi1-x)O3-uA2+(B'0,251+B''0,755+)O3(+wMe25+O5) en donde A2+ designa iones de metales alcalinotérreos, preferentemente Sr2+ y/o Ba2+, B' designa un metal alcalino, preferentemente Na y/o K, B'' y Me designan un metal pentavalente de la serie Nb, Ta o Sb, preferentemente Nb, y x, u y w tienen el siguientesignificado: 0,40 ≤ x ≤ 0,55 0< u ≤ 0,10 (0 ≤ w ≤ 1 % en peso) y que se puede preparar porque las perovskitas sin plomo correspondientes que tienen la composición generalA2+B'0,25 1+B''0,75 5+O3 se incorporan estequiométricamente en titanato zirconato de plomo, a través de…

PROCEDIMIENTO PARA MODULAR LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE OXIDOS CON ESTRUCTURA TIPO PEROVSKITA DERIVADOS DEL NIOBATO DE SODIO MEDIANTE LA CREACION DE VACANTES CATIONICAS.

(27/10/2010) La presente invención se refiere a un procedimiento para modificar controladamente las propiedades eléctricas del óxido NaNbO{sub,3} mediante la creación de vacantes catiónicas en la subred A de la estructura tipo perovskita. La introducción progresiva de vacantes en la subred A al dopar con un ión alcalinotérreo como por ejemplo Sr{sup,2+}o con ión de tierra rara como por ejemplo La{sup,3+} permite la estabilización de un material ferroeléctrico, y el cambio continuo de comportamiento ferroeléctrico a ferroeléctrico-relaxor característico de las disoluciones sólidas tipo perovskita sin plomo. La presente invención incluye el procedimiento para la obtención de los óxidos que, en función de sus propiedades, pueden ser usados en dispositivos electrónicos…

NUEVOS MATERIALES DIELECTRICOS CON PERMITIVIDADES COLOSALES BASADOS EN OXIDOS MIXTOS CON ORDEN DE CARGA A TEMPERATURA AMBIENTE O SUPERIOR.

(01/08/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDADE DE SANTIAGO DE COMPOSTELA UNIVERSIDADE DA CORUÑA. Inventor/es: RIVAS REY,JOSE, SEÑARIS RODRIGUEZ,MARIA ANTONIA, MIRA PEREZ,JORGE, FONDADO FONDADO,ALFONSO, RIVAS MURIAS,BEATRIZ.

Nuevo material dieléctrico con permitividad colosal basado en óxidos mixtos con orden de carga a temperatura ambiente o superior para la utilización como material de muy alta permitividad dieléctrica efectiva, caracterizado por tener una estructura derivada de la perovskita, por presentar el fenómeno de orden de carga, el fenómeno de orden de espín y una composición La1.5Sr0.5NiO4 exhibe permitividades dieléctricas efectivas a temperatura ambiente muy elevadas en un amplio rango de frecuencias.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MATERIALES PIEZOELECTRICOS COMPUESTOS.

(16/12/1994). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: CARMONA GONZALEZ, FRANCISCO, JIMENEZ DIAZ, BASILIO, PARDO MATA, LORENA.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MATERIALES PIEZOELECTRICOS COMPUESTOS. EN LA PRESENTE PATENTE DE INVENCION SE EXPONE UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MATERIALES PIEZOELECTRICOS COMPUESTOS MEDIANTE LA MEZCLA Y UNION A ALTA TEMPERATURA DE UNA CERAMICA PIEZOELECTRICA QUE ACTUA COMO FASE ACTIVA Y VIDRIOS INORGANICOS DE DIFERENTE COMPOSICION QUE ACTUAN COMO FASE DE SOPORTE MECANICO DESACOPLADORA DE LOS MODOS LATERALES DE VIBRACION DEL PIEZOELECTRICO Y ADAPTADOR DE IMPEDANCIA ACUSTICA CON EL MEDIO DE PROPAGACION DE LAS ONDAS ULTRASONORAS. EL PROCESO DE FABRICACION PERMITE LA REALIZACION DE MATERIALES COMPUESTOS PIEZOELECTRICOS DE CONTINUIDAD O MIXTA [ ] CUYAS PROPIEDADES COMO TRANSDUCTORES PIEZOELECTRICOS MEJORAN APRECIABLEMENTE LOS DE LAS CERAMICAS EN CIERTAS APLICACIONES Y LAS DE LOS COMPUESTOS DE FASE POLIMERICA EN EMISION Y EN AMBIENTES AGRESIVOS.

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .