(10/07/2019) Célula solar múltiple (MS) que presenta una primera célula parcial (SC1) compuesta por un compuesto de InGaAs, presentando la primera célula parcial (SC1) una primera constante de red (ASC1), y una segunda célula parcial (SC2) con una segunda constante de red (ASC2), siendo la primera constante de red (ASC1) al menos 0,008 Å mayor que la segunda constante de red (ASC2), y presentando cada célula parcial (SC1, SC2) una transición pn, y un tampón metamórfico (MP1), estando configurado el tampón (MP1) entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) y presentando el tampón (MP1) una sucesión de una primera capa con una primera constante de red (MPA1), una segunda capa con una segunda constante de red (MPA2) y al menos una tercera capa con una tercera constante de red (MPA3) y aumentando las constantes de red (MPA1, MPA2,…

(12/06/2019) Apilamiento de células solares (ST) que presenta mayoritariamente capas semiconductoras III-V, con una primera célula parcial (SC1) con una primera banda prohibida y con una primera constante de red, y una segunda célula parcial (SC2) con una segunda banda prohibida y con una segunda constante de red, y una sucesión de capas intermedias dispuesta entre las dos células parciales (SC1, SC2), presentando la sucesión de capas intermedias una primera capa de barrera (B1) y un diodo túnel (TD1) y una segunda capa de barrera (B2), y presentando el diodo túnel (TD1) una capa n+ degenerada con una tercera constante de red y una capa p+ degenerada con una cuarta constante de red, y estando dispuestas las capas en dicho orden, siendo…

(07/12/2017) Célula fotovoltaica (C_i) que comprende al menos una sub-célula de un primer semiconductor y una sub-célula de un segundo semiconductor conectados mediante tres electrodos (T1, T2, T3). El segundo semiconductor es típicamente silicio, mientras que el primer semiconductor es un material de con mayor banda prohibida depositado más cercano a una superficie de incidencia de radiación electromagnética. El primer electrodo (T1) se encuentra en la cara anterior de la célula fotovoltaica (C_i), mientras que el segundo electrodo (T2) y el tercer electrodo (T3) se encuentran en la cara posterior de dicha fotovoltaica (C_i). Tanto el segundo electrodo (T2) como el tercer electrodo (T3) están conectados al segundo…

(05/12/2017) Célula fotovoltaica, panel fotovoltaico y método de fabricación de células fotovoltaicas. Célula fotovoltaica (C_i) que comprende al menos una sub-célula de un primer semiconductor y una sub-célula de un segundo semiconductor conectados mediante tres electrodos (T1, T2, T3). El segundo semiconductor es típicamente silicio, mientras que el primer semiconductor es un material de con mayor banda prohibida depositado más cercano a una superficie de incidencia de radiación electromagnética. El primer electrodo (T1) se encuentra en la cara anterior de la célula fotovoltaica (C_i), mientras que…

(21/09/2016) Célula solar múltiple monolítica que consiste esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas de las que una subcélula es una subcélula de GaInAs y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque por debajo de la subcélula de GaInAs está dispuesto un espejo semiconductor , y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor d de las capas del espejo semiconductor 10 nm ≤ d ≤ 150 nm y el espejo semiconductor consiste en n capas donde 10 ≤ n ≤ 50, y la semianchura HWB del espejo semiconductor…

(10/03/2016) Célula solar múltiple monolítica compuesta esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, en la que la célula solar múltiple comprende tres subcélulas de GaInP / GaInAs / Ge, en la que GaInP está configurada como célula superior y GaInAs como célula intermedia y Ge como célula inferior, caracterizada porque entre la célula intermedia y la célula inferior está dispuesto un espejo semiconductor y la célula intermedia presenta un espesor reducido y el espesor dm es de 500 ≤ dm ≤ 2500 nm, porque el espejo semiconductor presenta varias capas de índice de refracción y/o composición de material y/o espesor diferente uno de otro, y siendo el espesor d de las capas del espejo…

(19/02/2016) Célula solar múltiple monolítica constituida esencialmente por elementos de los grupos principales III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque una de las subcélulas de la célula solar múltiple es del grupo de GaInNAs y está dispuesto un espejo semiconductor entre dos subcélulas , estando incorporado el espejo por debajo de la subcélula de GaInNAs y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor…

(09/12/2015) Colector de energía solar híbrido, del tipo que comprende al menos una célula fotovoltaica para la conversión de energía solar en energía eléctrica y al menos un receptor térmico para la conversión de energía solar en energía térmica por calentamiento de un fluido, estando dispuesto el receptor térmico de forma que reciba la energía solar que atraviesa la célula fotovoltaica , comprendiendo la célula fotovoltaica varias uniones semi-conductoras superpuestas que tienen unas bandas prohibidas de diferentes anchos, teniendo cada unión semiconductora un ancho de banda prohibida igual o superior a 1,2 eV, especialmente igual o superior a 1,4 eV.