CIP-2021 : H01L 23/31 : caracterizados por su disposición.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/31 · · caracterizados por su disposición.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Composición de resina epoxi curable.
(25/09/2019). Solicitante/s: Daicel Corporation . Inventor/es: SAKANE,MASANORI.
Una composición de resina epoxi curable líquida que comprende un compuesto epoxi cicloalifático (A); una sílice (B); y un éster de fosfito (C), teniendo el compuesto epoxi cicloalifático (A) al menos un esqueleto alicíclico y dos o más grupos epoxi por molécula,
en donde el éster de fosfito (C) se selecciona del grupo que consiste en difosfito de bis(2,6-di-t-butil-4- metilfenil)pentaeritriol, tris(2-etilhexil)fosfito y triisodecil fosfito.
PDF original: ES-2750565_T3.pdf
Sensor de corrosión que tiene conexiones de cable doble encapsulado y método para fabricarlo.
(11/09/2019) Un método para fabricar un sensor de corrosión, comprendiendo dicho sensor un módulo de chip y un módulo de conexión ambos formados sobre un sustrato , en el que una capa de material aislante se deposita sobre dicho sustrato, y en el que, sobre dicho material aislante, se montan varias tiras metálicas sobre dicho sustrato que comprende dicho material aislante, formando dicho módulo conexiones eléctricas a las tiras metálicas para permitir la comunicación entre las tiras y el equipo de monitorización para el sensor, el módulo que incluye varias conexiones de cables, donde el método incluye los pasos de recubrir manualmente cada una de las conexiones de cables con uno de los compuestos de sellado preliminares seleccionados, respectivamente, y curando los compuestos…
Una estructura semiconductora y un método para formarla.
(20/03/2019) Una estructura semiconductora adecuada para dispositivos de expulsión de fluidos, que comprende:
un sustrato que comprende una primera superficie;
un primer material aislante dispuesto sobre al menos una parte de la primera superficie, el primer material aislante que comprende una pluralidad de aberturas que forman un camino a la primera superficie;
un primer material conductor dispuesto sobre el primer material aislante , el primer material conductor que está dispuesto de modo que la pluralidad de aberturas estén sustancialmente libres del primer material conductor ;
un segundo material aislante dispuesto sobre el primer material conductor y partes del primer material aislante , el segundo material aislante que está dispuesto de modo que la pluralidad de aberturas…
Conjuntos de chips semiconductores, procedimientos de fabricación de los mismos y componentes para los mismos.
(03/08/2016) Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip semiconductor que tiene una pluralidad de caras ; una pluralidad de contactos en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una capa separadora que se apoya en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una pluralidad de terminales para su conexión a una pluralidad de zonas terminales de contacto de un sustrato al cual el conjunto va a ser montado, estando dispuestos dichos terminales separados sobre la capa separadora y al menos parte de dichos terminales recubriendo una superficie de dicha pluralidad de superficies del chip semiconductor, de forma que dichos terminales yacen dentro de la periferia de…
Procedimiento de fabricación de una célula solar con una doble capa dieléctrica de pasivación superficial y una correspondiente célula solar.
(27/08/2014) Procedimiento para la fabricación de una célula solar de silicio, que comprende las etapas siguientes: Preparación de un sustrato de silicio ;
Deposición de una primera capa dieléctrica sobre una superficie del sustrato de silicio mediante deposición química de vapor secuencial, en donde la primera capa dieléctrica tiene óxido de aluminio;
caracterizado por Deposición de una segunda capa dieléctrica sobre una superficie de la primera capa dieléctrica , en donde los materiales de las primera y segunda capas dieléctricas son diferentes y en donde en la segunda capa dieléctrica incluye hidrógeno.
Sistema y procedimiento de recubrimiento de protección ambiental.
(18/10/2013) Un conjunto de placa de circuito que comprende:
una placa de circuito que tiene una superficie exterior; estando la superficie exterior configurada con unapluralidad de componentes eléctricos discretos que son fabricados independientemente unos de otros.una primera capa dieléctrica protectora superpuesta a la superficie exterior y caracterizada por unasegunda capa dieléctrica superponiendo la primera capa dieléctrica protectora y la pluralidad de loscomponentes eléctricos discretos, la segunda capa dieléctrica comprende un material dieléctrico conun módulo de elasticidad inferior a 3.5 Giga-Pascales(GPa), una constante dieléctrica…
Sistema y procedimiento de recubrimiento de protección ambiental.
(24/07/2013) Un conjunto de placa de circuito que comprende:
una placa de circuito que tiene una superficie exterior;
una pluralidad de componentes eléctricos (146a, 146b, 146c) discretos fabricados cada uno independientementeentre sí, estando cada componente eléctrico (146a, 146b, 146c) discreto acoplado a la superficie exterior de la placade circuito;
una primera capa dieléctrica protectora superpuesta a la superficie exterior y los componentes eléctricos(146a, 146b, 146c) discretos, cubriendo totalmente la primera capa dieléctrica protectora los componenteseléctricos (146a, 146b, 146c) discretos;
una segunda capa dieléctrica superpuesta a la primera capa dieléctrica protectora , teniendo lasegunda capa dieléctrica un grosor…
INSTALACION DE CONTROL PARA CAMPOS SOLARES.
(16/06/2007) Circuito de protección para la protección frente a sobretensiones para un transceptor CAN-bus (TC)diseñado en cuanto a tensión para una primera red de a bordo (Vbat1), que funciona en una segunda red de a bordo (Vbat2) con una tensión de la red de a bordo que es varias veces superior a la primera red de a bordo (Vbat1), en solitario o en una red de a bordo de dos tensiones con la primera (Vbat1) y la segunda (Vbat2) red de a bordo, caracterizado porque entre ambas conexiones de bus (TCHI, TCLO) del transceptor (TC) están dispuestos dos diodos (D3, D3), cuyos cátodos están unidos entre sí y conectados a un potencial (P) predeterminado, entre cada conexión de bus (TCHI, TCLO) del transceptor (TC) y de la línea de bus (HI, LO) a él asociada, está dispuesta una resistencia limitadora (R3, R4), y para restablecer…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y SU FABRICACION.
(01/03/2006) Un procedimiento de producción de dispositivos semiconductores para producir un dispositivo semiconductor que está encapsulado y en el que se forma un circuito ajustable sobre un chip semiconductor , teniendo el circuito ajustable un elemento del circuito con propiedades eléctricas que pueden ajustarse a través de un ajuste por láser, comprendiendo el procedimiento de producción las etapas de: encapsulado del chip semiconductor con un material transparente permitiendo la penetración de un haz de láser dentro de un intervalo predeterminado de longitudes de onda con la suficiente energía para cortar…
MODULO DE CHIP, ESPECIALMENTE PARA EL IMPLANTE EN UN CUERPO DE TARJETA DE CHIP.
(01/03/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: HOUDEAU, DETLEF, STAMPKA, PETER, HUBER, MICHAEL, HEITZER, JOSEF.
SE EXPONE UN MODULO DE CHIP, ESPECIALMENTE PARA INSTALACION EN EL CUERPO DE UNA TARJETA DE CHIP , QUE COMPRENDE UN SOPORTE Y UN CHIP COLOCADO SOBRE EL MISMO. EL MODULO DE CHIP EXPUESTO SE CARACTERIZA POR UNA ELEVACION TIPO BASE , QUE ABARCA EL CHIP DE FORMA TOTAL O PARCIAL.
PAQUETE DE PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS PORTADOR DE CHIP, MOLDEADO PARCIALMENTE.
(01/04/1998) UN BASTIDOR CONDUCTOR ESTA INTERCALADO ENTRE DOS PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS (PCBS) . LAS PCBS FORMAN UNA PARTE PRINCIPAL DEL CUERPO DEL PAQUETE Y AISLAN LOS CONDUCTORES DEL BASTIDOR CONDUCTOR DEL COMPUESTO DE MOLDEO PLASTICO. EN UNA REALIZACION, UN PCB SUPERIOR (SUSTRATO) ES FORMADO COMO UN ANILLO CUADRADO, QUE TIENE UNA ABERTURA QUE CONTIENE UN DISIPADOR DEL CALOR . UN PCB INFERIOR TAMBIEN ESTA FORMADO COMO UN ANILLO CUADRADO Y TIENE UNA ABERTURA MAS PEQUEÑA PARA RECIBIR UNA MATRIZ . LA CARA POSTERIOR (120A) DE LA MATRIZ ESTA MONTADA HACIA EL DISIPADOR DE CALOR . LA CARA FRONTAL EXPUESTA (120B) DE LA MATRIZ ESTA UNIDA POR ALAMBRE A LOS EXTREMOS INTERIORES (138A) DE TRAZADORES CONDUCTORES SOBRE LA CARA EXPUESTA DEL PCB INFERIOR . LOS EXTREMOS EXTERIORES (138B) DE LOS TRAZADORES ESTAN CONECTADOS ELECTRICAMENTE A LOS CONDUCTORES…
PROCEDIMIENTO DE REALIZACION DE UN MODULO ELECTRONICO Y MODULO ELECTRONICO QUE SE OBTIENE POR DICHO PROCEDIMIENTO.
(01/10/1997). Solicitante/s: SCHLUMBERGER INDUSTRIES. Inventor/es: ROSE, RENE.
EL INVENTO SE REFIERE A LA REALIZACION DE UN MODULO ELECTRONICO PARA TARJETA DE MEMORIA. EL INVENTO CONSISTE EN, A PARTIR DE UN ARMAZON-BASE QUE DEFINE LAS ZONAS DE CONTACTO EXTERNAS Y LAS ZONAS DE CONEXION ELECTRICA , MOLDEAR SOBRE EL ARMAZON-BASE POR INYECCION UNA PIEZA MOLDEADA (39 Y 40) QUE DEFINE UNA CAVIDAD PARA LA PASTILLA SEMI-CONDUCTORA DEL MODULO ELECTRONICO, EN FIJAR LA PASTILLA SEMI-CONDUCTORA EN ESTA CAVIDAD, EN ENLAZAR ELECTRICAMENTE LAS BORNAS DEL CHIP CON LAS ZONAS DE CONEXION ELECTRICA Y EN RECUBRIR EL CHIP LLENANDO LA CAVIDAD CON UN MATERIAL AISLANTE.
METODO PARA PROCESAMIENTO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS EMBALADOS EN PLASTICO.
(01/06/1997). Solicitante/s: NCR INTERNATIONAL INC.. Inventor/es: ELLIOTT, BLAINE KEITH.
EL INVENTO SE REFIERE A UN METODO PARA PROCESAMIENTO DE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO EMBALADO EN PLASTICO ANTES DE CONECTAR DICHO DISPOSITIVO MEDIANTE SOLDEO A UN TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO. EL DISPOSITIVO TIENE CONDUCTORES SOLDADOS PARA CONEXION A LA TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO, LA SUELDA DE LOS CONDUCTORES TIENE UN TEMPERATURA CRITICA DE APROXIMADAMENTE 60 GRADOS CENTIGRADOS QUE SI SE EXCEDE PRODUCE QUE LA SUELDA ESTE EXPUESTA A OXIDACION. EL METODO INCLUYE LAS FASES DE COLOCACION DEL DISPOSITIVO EN UN HORNO, REDUCIENDO LA TEMPERATURA EN EL HORNO A MENOS DQUE 35 TORR, Y CALENTANDO EL DISPOSITIVO A UNA TEMPERATURA ENTRE LOS 30 Y 35 GRADOS CENTIGRADOS PARA EXPELER LA HUMEDAD ABSORBIDA POR EL MATERIAL DE ENCAPSULAMIENTO DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO SE TRANSPORTA MEDIANTE UNA PORTADORA PLASTICA CUANDO SE COLOCA EN EL HORNO, LA PORTADORA ES UN TUBO DE PLASTICO EN EL QUE SE INSTALA EL DISPOSITIVO, O UNA CINTA PLASTICA A LA QUE SE ADHIERE EL DISPOSITIVO.
SOPORTE DE CHIP CON REVESTIMIENTO PROTECTOR PARA LA SUPERFICIE CON CIRCUITOS.
(16/11/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: FREY, BRENDA DIANE, JOSEPH, CHARLES ARNOLD, OLSHEFSKI, FRANCIS JOHN, WILSON, JAMES WARREN.
SE PRESENTA UN SOPORTE DE CHIP QUE COMPRENDE UN SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP Y AL MENOS UN CHIP SEMICONDUCTOR MONTADO EN UNA CONFIGURACION DE CHIP DE VUELO, A TRAVES DE UNA S BOLAS DE SOLDADURA, SOBRE UNA SUPERFICIE CIRCUITADA DEL SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP. LAS BOLAS DE SOLDADURA SON ENCAPSULADAS EN UN PRIMER ENCAPSULANTE QUE TIENE UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN EPOXI. ADEMAS, AL MENOS UNA PARTE DE LA CIRCUITERIA SOBRE LA SUPERFICIE CIRCUITADA ESTA ENCAPSULADA EN UN SEGUNDO ENCAPSULANTE QUE TIENEN UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN URETANO, Y CUYA COMPOSICION ES ELEGIDA DE MANERA QUE EL SEGUNDO ENCAPSULANTE EXHIBA UN MODULO DE ELASTICIDAD QUE ES IGUAL O INFERIOR A 69.106 N/M2 CONSIGUIENTEMENTE, EL SEGUNDO ENCAPSULANTE NO EXHIBE NI GRIETAS INTERNAS, NI GRIETAS DE ENTRECARAS EN LA INTERCONEXION CON EL PRIMER ENCAPSULANTE, NI EL SEGUNDO ENCAPSULADO SE DELAMINA A PARTIR DE LA SUPERFICIE CIRCUITADA, CUANDO EL SOPORTE DE CHIP ES CICLADO TERMICAMENTE.
