DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y SU FABRICACION.
Un procedimiento de producción de dispositivos semiconductores para producir un dispositivo semiconductor (10) que está encapsulado y en el que se forma un circuito ajustable (12) sobre un chip semiconductor (11),
teniendo el circuito ajustable un elemento del circuito con propiedades eléctricas que pueden ajustarse a través de un ajuste por láser, comprendiendo el procedimiento de producción las etapas de: encapsulado del chip semiconductor (11) con un material transparente (14) permitiendo la penetración de un haz de láser (13) dentro de un intervalo predeterminado de longitudes de onda con la suficiente energía para cortar parte del circuito ajustable (12), en el que el material transparente (14) tiene un índice de absorción de energía del haz de láser (13) suficientemente bajo y cubre completamente el chip semiconductor (11) tras la etapa de encapsulado; y ajuste de parte del circuito ajustable (12) para obtener un valor deseado para el circuito ajustable (12) enfocando, tras la etapa de encapsulado, el haz de láser (13) sobre el circuito ajustable (12) a través del material transparente (14).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: RICOH COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 3-6, NAKAMAGOME 1-CHOME, OHTA-KU,TOKYO 143-8555.
Inventor/es: TAKAI, MASAMI, NAKAMURA, AKIRA, TAKEDA, SATOSHI, MATSUKI, TATSUYA, 201, JUNESS MIYAZAKIDAI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 26 de Marzo de 1999.
Fecha Concesión Europea: 7 de Septiembre de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/822 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).
- H01L23/29 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por el material.
- H01L23/31 H01L 23/00 […] › caracterizados por su disposición.
- H01L23/525 H01L 23/00 […] › con interconexiones modificables.
- H01L27/04 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › el sustrato común es un cuerpo semiconductor.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes.
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