Niveladores para la deposición de cobre en la microelectrónica.
Una composición electrolítica acuosa útil en el relleno de elementos submicrónicos de un dispositivo de circuito integrado semiconductor,
o de vías a través del silicio, comprendiendo la composición:
un ácido;
iones de cobre; y
un nivelador que comprende un compuesto de oligómero y/o de polímero seleccionado del grupo que consiste en sales que comprenden un catión que tiene la estructura:
**(Ver fórmula)**
en donde:
G se selecciona del grupo que consiste en -O-, O-((A)r-O)s- y -((A)r-O)s-
A tiene la estructura
**(Ver fórmula)**
B tiene la estructura,
**(Ver fórmula)**
D tiene la estructura,
**(Ver fórmula)**
cada uno de p, q, r, t, u, w, e y, es un número entero entre 1 y 6 inclusive, cada uno de v, x, k, y z, es independientemente un número entero entre 0 y 6 inclusive, s es un número entero entre 1 y 10 inclusive, k es al menos uno cuando v o x son distintos de 0, cada uno de R1 a R6, R9 a R19, R23, R25 y R34, se selecciona, independientemente entre sí, del grupo que consiste en hidrógeno o alquilo inferior que comprende de 1 a 4 átomos de carbono, cada uno de R7, R8, R20, R21, R22, R24 y R33, se selecciona, independientemente entre sí, del grupo que consiste en hidrocarburo alifático, sustituido o no sustituido, que tiene de 1 a 4 átomos de carbono, y
n es mayor de 1 y hasta 30;
siempre que, cuando se prepare por reacción de un agente alquilante de estructura (I)
**(Ver fórmula)**
con un compuesto de amina de estructura (II)
**(Ver fórmula)**
en el que R13 es hidrógeno, dicho nivelador puede comprender, o consistir en, cadenas poliméricas u oligoméricas que corresponden a la estructura (III), excepto que R13 se desplaza en algunas o en todas las unidades repetitivas mediante la reacción con el agente alquilante de estructura (I), a través del cual dichas cadenas poliméricas u oligoméricas están reticuladas.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2015/057097.
Solicitante: MacDermid Enthone Inc.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 245 Freight Street Waterbury CT 06702 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: RICHARDSON,THOMAS, PANECCASIO,JR. VINCENT, WHITTEN,KYLE, ROUYA,ERIC.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C25D3/38 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › C25D 3/00 Revestimientos electrolíticos; Baños utilizados. › de cobre.
- C25D7/12 C25D […] › C25D 7/00 Deposiciones de metales por vía electrolítica caracterizadas por el objeto revestido. › Semiconductores.
- H05K3/42 ELECTRICIDAD. › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENCAPSULADOS O DETALLES DE LA CONSTRUCCIÓN DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS. › H05K 3/00 Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos. › Agujeros de paso metalizados.
PDF original: ES-2819839_T3.pdf
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