Disposición de circuito de semiconductor.

Disposición de circuito de semiconductor (1), que presenta

- al menos dos módulos de medio puente (2) con respectivamente una conexión de tensión alterna (23),

una conexión de tensión continua negativa (22) y una conexión de tensión continua positiva (21), donde cada módulo de medio puente (2) presenta dos superficies longitudinales (32) opuestas, que esencialmente se extienden de forma paralela con respecto a una conexión desde una de las conexiones de tensión continua (21, 22) hacia la conexión de tensión alterna (23), y dos superficies laterales opuestas, de las cuales una se sitúa más cerca con respecto a la conexión de tensión alterna (23) y forma una superficie de tensión alterna (33);

- una barra colectora de tensión continua positiva (41), una barra colectora de tensión continua negativa (42) y al menos una barra colectora de tensión alterna (43), donde las conexiones de tensión alterna (23) están conectadas eléctricamente unas con otras mediante la barra colectora de tensión alterna (43), donde al menos en el área de las conexiones de tensión alterna (23), la barra colectora de tensión continua positiva (41) y la barra colectora de tensión continua negativa (42) se extienden sobre un área en la cual está dispuesta la barra colectora de tensión alterna (43), donde dos, de al menos dos módulos de medio puente (2), están dispuestos uno junto a otro, de manera que las superficies de tensión alterna (33) están dispuestas de forma contigua unas con respecto a otras, se sitúan de forma opuesta en su respectiva superficie de tensión alterna (33) y las conexiones de tensión alterna (23) forman las conexiones más internas, donde la barra colectora de tensión alterna (43) forma una barra colectora que se sitúa de forma más próxima a los módulos de medio puente (2), y la barra colectora de tensión continua positiva (41) y la negativa (42), en función de la disposición de las conexiones de tensión continua (21, 22) de los módulos de medio puente (2), de forma relativa con respecto las conexiones de tensión alterna (23), forman la segunda barra colectora más próxima con respecto al módulo de medio puente (2), así como la más alejada, y donde la barra colectora de tensión alterna (43), así como la barra colectora de tensión continua positiva (41) y la negativa (42), para la conexión con las respectivas conexiones (23, 22, 21) de los módulos de medio puente (2), están dispuestas una con respecto a otra sin una penetración.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E17171087.

Solicitante: Siemens Mobility GmbH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Otto-Hahn-Ring 6 81739 München ALEMANIA.

Inventor/es: HENKEL, THOMAS, NAGEL,ANDREAS, LECHLER,MARTIN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/538 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › estando la estructura de interconexión entre una pluralidad de chips semiconductores situada en el interior o encima de sustratos aislantes.
  • H02M1/088 H […] › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA.H02M APARATOS PARA LA TRANSFORMACION DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE ALTERNA, DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE CONTINUA O DE CORRIENTE CONTINUA EN CORRIENTE CONTINUA Y UTILIZADOS CON LAS REDES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA O SISTEMAS DE ALIMENTACION SIMILARES; TRANSFORMACION DE UNA POTENCIA DE ENTRADA EN CORRIENTE CONTINUA O ALTERNA EN UNA POTENCIA DE SALIDA DE CHOQUE; SU CONTROL O REGULACION (transformación de la corriente o de la tensión especialmente adaptada para su uso en los relojes electrónicos sin partes móviles G04G 19/02; sistemas de regulacion de variables eléctricas o magnéticas en general, p. ej. utilizando transformadores, reactancias o bobinas de choque, combinacion de tales sistemas con convertidores estáticos G05F; para computadores digitales G06F 1/00; transformadores H01F; conexión o control de un convertidor teniendo en cuenta su unión funcional con una fuente similar u otra fuente de alimentación H02J; convertidores dinamoeléctricos H02K 47/00; control de los transformadores, reactancias o bobinas de choque, control o regulación de motores, generadores eléctricos o convertidores dinamoeléctricos H02P; generadores de impulsos H03K). › H02M 1/00 Detalles de aparatos para transformación. › para el control simultáneo de dispositivos semiconductores conectados en serie o en paralelo.
  • H02M7/00 H02M […] › Transformación de una potencia de entrada en corriente alterna en una potencia de salida en corriente continua; Transformación de una potencia de entrada en corriente continua en una potencia de salida en corriente alterna.
  • H05K7/14 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS (detalles de instrumentos o detalles comparables de otros aparatos no previstos en otro lugar G12B; circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/01, H01L 27/13; medios no impresos para realizar conexiones con o entre circuitos impresos H01R; envolturas o detalles de realización de tipos particulares de aparatos, ver las subclases apropiadas; procedimientos que sólo comprenden una técnica prevista en otro lugar, p. ej. calefacción, pulverización, ver la subclase apropiada). › H05K 7/00 Detalles constructivos comunes a diferentes tipos de aparatos eléctricos (envolturas, cajas, cajones H05K 5/00). › Montaje de la estructura del soporte en la envoltura, sobre el marco o sobre el armazón.
  • H05K7/20 H05K 7/00 […] › Modificaciones para facilitar la refrigeración, ventilación o calefacción.

PDF original: ES-2780936_T3.pdf

 

Disposición de circuito de semiconductor.
Disposición de circuito de semiconductor.
Disposición de circuito de semiconductor.

Reivindicaciones:

1. Disposición de circuito de semiconductor (1) , que presenta

- al menos dos módulos de medio puente (2) con respectivamente una conexión de tensión alterna (23) , una conexión de tensión continua negativa (22) y una conexión de tensión continua positiva (21) , donde cada módulo de medio puente (2) presenta dos superficies longitudinales (32) opuestas, que esencialmente se extienden de forma paralela con respecto a una conexión desde una de las conexiones de tensión continua (21, 22) hacia la conexión de tensión alterna (23) , y dos superficies laterales opuestas, de las cuales una se sitúa más cerca con respecto a la conexión de tensión alterna (23) y forma una superficie de tensión alterna (33) ;

- una barra colectora de tensión continua positiva (41) , una barra colectora de tensión continua negativa (42) y al menos una barra colectora de tensión alterna (43) , donde las conexiones de tensión alterna (23) están conectadas eléctricamente unas con otras mediante la barra colectora de tensión alterna (43) , donde al menos en el área de las conexiones de tensión alterna (23) , la barra colectora de tensión continua positiva (41) y la barra colectora de tensión continua negativa (42) se extienden sobre un área en la cual está dispuesta la barra colectora de tensión alterna (43) , donde dos, de al menos dos módulos de medio puente (2) , están dispuestos uno junto a otro, de manera que las superficies de tensión alterna (33) están dispuestas de forma contigua unas con respecto a otras, se sitúan de forma opuesta en su respectiva superficie de tensión alterna (33) y las conexiones de tensión alterna (23) forman las conexiones más internas, donde la barra colectora de tensión alterna (43) forma una barra colectora que se sitúa de forma más próxima a los módulos de medio puente (2) , y la barra colectora de tensión continua positiva (41) y la negativa (42) , en función de la disposición de las conexiones de tensión continua (21, 22) de los módulos de medio puente (2) , de forma relativa con respecto las conexiones de tensión alterna (23) , forman la segunda barra colectora más próxima con respecto al módulo de medio puente (2) , así como la más alejada, y donde la barra colectora de tensión alterna (43) , así como la barra colectora de tensión continua positiva (41) y la negativa (42) , para la conexión con las respectivas conexiones (23, 22, 21) de los módulos de medio puente (2) , están dispuestas una con respecto a otra sin una penetración.

2. Disposición de circuito de semiconductor (1) según la reivindicación 1, donde los módulos de medio puente (2) respectivamente están dispuestos en forma de pares, de manera que las superficies de tensión alterna (33) de dos módulos de medio puente (2) están dispuestas respectivamente de forma contigua una con respecto a otra.

3. Disposición de circuito de semiconductor (1) según la reivindicación 2, donde los diferentes módulos de medio puente (2) dispuestos en forma de pares, de forma contigua con respecto a sus superficies de tensión alterna (33) , con respecto a su superficie longitudinal (32) están dispuestos de forma contigua unos con respecto a otros.

4. Disposición de circuito de semiconductor (1) según una de las reivindicaciones 1 a 3, donde los módulos de medio puente (2) están montados sobre un plano, en particular sobre un cuerpo de refrigeración (4) .

5. Disposición de circuito de semiconductor (1) según una de las reivindicaciones 1 a 4, donde los módulos de medio puente (2) contiguos están dispuestos paralelamente uno con respecto a otro.

6. Convertidor (3) , con al menos una disposición de circuito de semiconductor (1) según una de las reivindicaciones 1 a 5.

7. Vehículo (7) , en particular vehículo ferroviario, con al menos una disposición de circuito de semiconductor (1) según una de las reivindicaciones 1 a 5 o con un convertidor (3) según la reivindicación 6.

 

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