Derivados de indacen-4-ona, procedimiento para su preparación y polímeros que los contienen.

Proceso para la preparacion de un derivado de indacen-4-ona que tiene la formula general (I):



**(Ver fórmula)**

en la cual W, W1, Z, Y, R1 y R2 tienen los significados como sigue:

- W y W1, que son los mismos o diferentes, preferiblemente los mismos, representan un atomo de oxigeno; un atomo de azufre; un grupo N-R3 en el cual R3 representa un atomo de hidrogeno, o es seleccionado de entre grupos alquilo C1-C20, lineales o ramificados;

- Z y Y, que son los mismos o diferentes, preferiblemente los mismos, representan un atomo de nitrogeno; o un grupo C-R4 en el cual R4 representa un atomo de hidrogeno, o es seleccionado de entre grupos alquilo C1-C20, lineales o ramificados; grupos cicloalquilo opcionalmente sustituidos, grupos arilo opcionalmente sustituidos, grupos heteroarilo opcionalmente sustituidos, grupos alcoxilo C1-C20 lineales o ramificados, grupos polietilenoxilo R5-O-[CH2- CH2-O]n- en los cuales R5 es seleccionado de entre grupos alquilo C1-C20 lineales o ramificados, y n es un entero que varia de 1 a 4, grupos -R6-OR7 en los cuales R6 es seleccionado de entre grupos alquileno C1-C20 lineales o ramificados y R7 representa un atomo de hidrogeno o es seleccionado de entre grupos alquilo C1-C20 lineales o ramificados, o es seleccionado de entre grupos polietilenoxilo R5-[OCH2-CH2-]n- en los cuales R5 tiene los mismos significados como se reportaron anteriormente y n es un entero que varia de 1 a 4, grupos -COR8 en los cuales R8 es seleccionado de entre grupos alquilo C1-C20 lineales o ramificados, grupos

-COOR9 en los que R9 es seleccionado de entre grupos alquilo C1-C20 lineales o ramificados; o representan un grupo -CHO, o un grupo ciano (-CN);

- R1 y R2, que son los mismos o diferentes, son seleccionados de entre grupos alquilo C1-C20 lineales o ramificados; grupos cicloalquilo opcionalmente sustituidos; grupos arilo opcionalmente sustituidos; grupos heteroarilo opcionalmente sustituidos; grupos alcoxilo C1-C20 lineales o ramificados; grupos polietilenoxilo R5-O-[CH2-CH2-O]n25 en los cuales R5 tiene los mismos significados reportados anteriormente y n es un entero que varia de 1 a 4;

- grupos R6-OR7 en los cuales R6 y R7 tienen los mismos significados reportados anteriormente; grupos -COR8 en los cuales R8 tiene los mismos significados reportados anteriormente; grupos -COOR9 en los cuales R9 tiene los mismos significados reportados anteriormente; o representa un grupo -CHO, o un grupo ciano (-CN);

que comprende las siguientes etapas:

(a) causar que por lo menos un compuesto de heteroarilo que incorpora un grupo alquino terminal, que tiene la formula general (II):

**(Ver fórmula)**

en la cual W y Z tienen los mismos significados reportados anteriormente, reaccione con por lo menos un compuesto de heteroarilo halogenado que tiene la formula general (III):

**(Ver fórmula)**

...

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2016/060935.

Solicitante: ENI S.P.A..

Nacionalidad solicitante: Italia.

Dirección: Piazzale E. Mattei 1 00144 Roma ITALIA.

Inventor/es: PO, RICCARDO, BIANCHI,GABRIELE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C07D495/04 QUIMICA; METALURGIA.C07 QUIMICA ORGANICA.C07D COMPUESTOS HETEROCICLICOS (Compuestos macromoleculares C08). › C07D 495/00 Compuestos heterocíclicos que contienen en el sistema condensado al menos un heterociclo que tiene átomos de azufre como únicos heteroátomos del ciclo. › Sistemas orto-condensados.
  • H01G9/20 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01G CONDENSADORES; CONDENSADORES, RECTIFICADORES, DETECTORES, CONMUTADORES O DISPOSITIVOS FOTOSENSIBLES O SENSIBLES A LA TEMPERATURA, DEL TIPO ELECTROLITICO (empleo de materiales especificados por sus propiedades dieléctricas H01B 3/00; condensadores con una barrera de potencial o una barrera de superficie H01L 29/00). › H01G 9/00 Condensadores electrolíticos, rectificadores electrolíticos, detectores electrolíticos, conmutadores, dispositivos de conmutación electrolíticos, dispositivos electrolíticos fotosensibles o sensibles a la temperatura; Procesos para su fabricación. › Dispositivos fotosensibles.
  • H01L51/00 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00).

PDF original: ES-2789400_T3.pdf

 

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